如圖所示，把一個(gè)架在絕緣支架上的枕形導(dǎo)體放在正電荷形成的電場(chǎng)中，導(dǎo)體處于靜電平衡時(shí)，下敘說(shuō)法正確的是（　�。�

A．A、B兩點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)相等，且都為零

B．A、B兩點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)不相等

C．感應(yīng)電荷產(chǎn)生的附加場(chǎng)強(qiáng)大小是|EA|＜|EB|

D．當(dāng)電鍵K閉合時(shí)，電子從大地沿導(dǎo)線(xiàn)向?qū)�體移動(dòng)

細(xì)胞膜也稱(chēng)生物膜或質(zhì)膜．是由類(lèi)脂、蛋白質(zhì)和糖類(lèi)組成．質(zhì)膜中的類(lèi)脂也稱(chēng)膜脂，是質(zhì)膜的基本骨架，膜蛋白質(zhì)是膜功能的主要體現(xiàn)者．如果細(xì)胞膜的厚度約等于800nm（1nm=10^-9 m），當(dāng)膜的內(nèi)外層間的電壓達(dá)到0.4V時(shí)，即可讓一價(jià)鈉離子滲透．設(shè)細(xì)胞膜內(nèi)的電場(chǎng)為勻強(qiáng)電場(chǎng)，則鈉離子在滲透時(shí)（　　）

A．膜內(nèi)電場(chǎng)強(qiáng)度約為5×105V/m

B．膜內(nèi)電場(chǎng)強(qiáng)度約為2×105V/m

C．每個(gè)鈉離子沿電場(chǎng)方向透過(guò)膜時(shí)電場(chǎng)力做功約為6.4×10-20J

D．每個(gè)鈉離子沿電場(chǎng)方向透過(guò)膜時(shí)電場(chǎng)力做功約為1.6×10-19J

靜電場(chǎng)方向平行于x軸，其電勢(shì)φ隨x的分布可簡(jiǎn)化為如圖所示的折線(xiàn)．一質(zhì)量為m、帶電量為+q的粒子（不計(jì)重力），以初速度v₀從O點(diǎn)進(jìn)入電場(chǎng)，沿x軸正方向運(yùn)動(dòng)．下列敘述正確的是（　�。�

A．粒子從O運(yùn)動(dòng)到x1的過(guò)程中，電場(chǎng)力做正功

B．粒子從x1運(yùn)動(dòng)到x3的過(guò)程中一直加速

C．要使粒子能運(yùn)動(dòng)到x4處，粒子的初速度v0至少為2 qφ0 m

D．若v0=2 qφ0 m ，粒子在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中的最大速度為 6qφ0 m

“電子能量分析器”主要由處于真空中的電子偏轉(zhuǎn)器和探測(cè)板組成．偏轉(zhuǎn)器是由兩個(gè)相互絕緣、半徑分別為R_A和R_B的同心金屬半球面A和B構(gòu)成，A、B為電勢(shì)值不等的等勢(shì)面，其過(guò)球心的截面如圖所示．一束電荷量為e、質(zhì)量為m的電子以不同的動(dòng)能從偏轉(zhuǎn)器左端M的正中間小孔垂直入射，進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)區(qū)域，最后到達(dá)偏轉(zhuǎn)器右端的探測(cè)板N，其中動(dòng)能為E_k0的電子沿等勢(shì)面C做勻速圓周運(yùn)動(dòng)到達(dá)N板的正中間．忽略電場(chǎng)的邊緣效應(yīng)．
（1）判斷球面A、B的電勢(shì)高低，并說(shuō)明理由；
（2）求等勢(shì)面C所在處電場(chǎng)強(qiáng)度E的大�。�
（3）若半球面A、B和等勢(shì)面C的電勢(shì)分別為φ_A、φ_B和φ_C，則到達(dá)N板左、右邊緣處的電子，經(jīng)過(guò)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)前、后的動(dòng)能改變量△E_k左和△E_k右分別為多少？
（4）比較|△E_k左|和|△E_k右|的大小，并說(shuō)明理由．

在真空中A、B兩點(diǎn)分別放有異種點(diǎn)電荷+Q和-2Q，以AB連線(xiàn)中點(diǎn)O為圓心作一圓形路徑abcd，如圖所示，則下列說(shuō)法正確的是（　�。�

A．場(chǎng)強(qiáng)大小關(guān)系有Ea=Eb、Ec=Ed

B．電勢(shì)高低關(guān)系有φa＞φb、φc=φd

C．將一負(fù)點(diǎn)電荷沿圓弧由a運(yùn)動(dòng)到b的過(guò)程中電場(chǎng)力做負(fù)功

D．將一正點(diǎn)電荷沿直線(xiàn)由c運(yùn)動(dòng)到d的過(guò)程中電勢(shì)能始終不變

為測(cè)定電場(chǎng)中某點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度，先在該點(diǎn)放一點(diǎn)電荷，電荷量為+q，測(cè)得該點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度為E₁；再在該點(diǎn)改放另一個(gè)點(diǎn)電荷，電荷量為-2q，測(cè)得該點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度為E₂．則（　　）

A．E1=E2，方向相同	B．E1=E2，方向相反
C．E1＜E2，方向相同	D．E1＞E2，方向相反

如圖所示，xOy平面是無(wú)窮大導(dǎo)體的表面，該導(dǎo)體充滿(mǎn)z＜0的空間，z＞0的空間為真空．將電荷為q的點(diǎn)電荷置于z軸上z=h處，則在xOy平面上會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電荷．空間任意一點(diǎn)處的電場(chǎng)皆是由點(diǎn)電荷q和導(dǎo)體表面上的感應(yīng)電荷共同激發(fā)的．已知靜電平衡時(shí)導(dǎo)體內(nèi)部場(chǎng)強(qiáng)處處為零，則在z軸上z=h/2處的場(chǎng)強(qiáng)大小為（k為靜電力常量）（　　）

A．k 4q h2

B．k 4q 9h2

C．k 32q 9h2

D．k 40q 9h2

如圖，空間有平行于紙面的勻強(qiáng)電場(chǎng)，一帶電量為-q的質(zhì)點(diǎn)（不計(jì)重力）在電場(chǎng)力和某恒力的作用下沿圖中虛線(xiàn)從靜止開(kāi)始沿直線(xiàn)從M運(yùn)動(dòng)到N．已知力F與MN的夾角為θ，M、N間距為d，則（　　）

A．勻強(qiáng)電場(chǎng)可能與F方向相反

B．質(zhì)點(diǎn)由M運(yùn)動(dòng)到N的過(guò)程中，電勢(shì)能一定增加

C．M、N兩點(diǎn)的電勢(shì)差大小可能等于 Fdcosθ q

D．勻強(qiáng)電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)最小值為 Ftanθ q ．

如圖甲所示，在一條電場(chǎng)線(xiàn)上有A、B兩點(diǎn)，若從A點(diǎn)由靜止釋放一電子，假設(shè)電子僅受電場(chǎng)力作用，電子從A點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到B點(diǎn)的速度-時(shí)間圖象如圖乙所示，則（　�。�

A．電子在A、B兩點(diǎn)受的電場(chǎng)力FA＜FB

B．A、B兩點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度EA＞EB

C．A、B兩點(diǎn)的電勢(shì)φA＜φB

D．電子在A、B兩點(diǎn)具有的電勢(shì)能EPA＜EPB

如圖所示，O為兩個(gè)等量異種點(diǎn)電荷+q、-q連線(xiàn)的中點(diǎn)，P為連線(xiàn)中垂線(xiàn)上的任意一點(diǎn)，分別用φ_o、φ_p和E_o、E_p代表該電場(chǎng)中O、P兩點(diǎn)的電勢(shì)和場(chǎng)強(qiáng)的大小，則（　�。�

A．φo＞φp，Eo＞Ep	B．φo=φp，Eo＞Ep
C．φo＜φp，Eo＜Ep	D．φo=φp，Eo=Ep