在勻強(qiáng)磁場中，一個(gè)原來靜止的原子核發(fā)生衰變，得到一個(gè)如圖所示的徑跡，圖中箭頭表示衰變后新核的運(yùn)動(dòng)方向，不計(jì)發(fā)出光子的能量，則下列說法正確的是（　�。�

A．發(fā)生的是β衰變，b為β粒子徑跡

B．發(fā)生的是α衰變，b為α粒子徑跡

C．磁場方向垂直紙面向外

D．磁場方向垂直紙面向里

如圖所示，在y軸右側(cè)平面內(nèi)存在方向向內(nèi)的勻強(qiáng)磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0、5T，坐標(biāo)原點(diǎn)O有一放射源，可以向y軸右側(cè)面內(nèi)沿各個(gè)方向放射比荷

q

m

=4×106C/Kg的正離子，這些正離子的速率分別在零到vmax=2×106m/s的范圍內(nèi)，不計(jì)離子之間的相互作用．
（1）求離子打到y(tǒng)軸上的范圍
（2）若在某時(shí)刻沿+x方向放射各種速率的離子，求經(jīng)過t=

5π

3

×10-7s時(shí)這些離子所在位置構(gòu)成的曲線方程．
（3）若從某時(shí)刻開始向y軸右側(cè)各個(gè)方向放射各種速率的離子，求經(jīng)過t=

5π

3

×10-7s時(shí)已進(jìn)入磁場的離子可能出現(xiàn)的區(qū)域面積．

如圖所示，在平面直角坐標(biāo)系xoy的第四象限有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場，一質(zhì)量為m=5.0×10^-8kg、電量為q=1.0×10^-6C的帶電粒子，從靜止開始經(jīng)U₀=10V的電壓加速后，從P點(diǎn)沿圖示方向進(jìn)入磁場，已知OP=30cm，（粒子重力不計(jì)，sin37°=0.6，cos37°=0.8），求：
（1）帶電粒子到達(dá)P點(diǎn)時(shí)速度v的大小
（2）若磁感應(yīng)強(qiáng)度B=2.0T，粒子從x軸上的Q點(diǎn)離開磁場，求QO的距離
（3）若粒子不能進(jìn)入x軸上方，求磁感應(yīng)強(qiáng)度B'滿足的條件．

如圖所示，豎直放置的兩塊很大的平行金屬板a、b，相距為d，ab間的電場強(qiáng)度為E，今有一帶正電的微粒從a板下邊緣以初速度v₀豎直向上射入電場，當(dāng)它飛到b板時(shí)，速度大小不變，而方向變成水平方向，且剛好從高度也為d的狹縫穿過b板而進(jìn)入bc區(qū)域，bc寬度也為d，所加電場大小為E，方向豎直向上，磁感應(yīng)強(qiáng)度方向垂直于紙面向里，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小等于

E

v0

，重力加速度為g，則下列關(guān)于粒子運(yùn)動(dòng)的有關(guān)說法中正確的是（　　）

A．粒子在ab區(qū)域中做勻變速運(yùn)動(dòng)，運(yùn)動(dòng)時(shí)間為 v0 g

B．粒子在bc區(qū)域中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)，圓周半徑r=2d

C．粒子在bc區(qū)域中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)，運(yùn)動(dòng)時(shí)間為 πd 6v0

D．粒子在ab、bc區(qū)域中運(yùn)動(dòng)的總時(shí)間為 (π+6)d 3v0

如圖所示，方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場的邊界，是一個(gè)半徑為r的圓，圓心O₁在x軸上，OO₁距離等于圓的半徑．虛線MN平行于x軸且與圓相切于P點(diǎn)，在MN的上方是正交的勻強(qiáng)電場和勻強(qiáng)磁場，電場強(qiáng)度的大小為E，方向沿x軸的負(fù)方向，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，方向垂直紙面向外．有-群相同的正粒子，以相同的速率，在紙面內(nèi)沿不同方向從原點(diǎn)O射入第I象限，粒子的速度方向在與x軸成θ=30°角的范圍內(nèi)，其中沿x軸正方向進(jìn)入磁場的粒子經(jīng)過P點(diǎn)射入MN后，恰好在正交的電磁場中做直線運(yùn)動(dòng)．粒子的質(zhì)量為m．電荷量為q（不計(jì)粒子的重力）．求：
（1）粒子的初速率；
（2）圓形有界磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度：
（3）若只撤去虛線MN上面的磁場B，這些粒子經(jīng)過y軸的坐標(biāo)范圍．

如圖1，在xoy 平面內(nèi)有垂直紙面的有界勻強(qiáng)磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B，其中0＜x＜a區(qū)域內(nèi)磁場方向垂直xoy 平面向里，a＜x區(qū)域內(nèi)磁場方向垂直xoy 平面向外，x＜0區(qū)域內(nèi)無磁場．一個(gè)帶正電q、質(zhì)量為m 的粒子（粒子重力不計(jì)）在坐標(biāo)原點(diǎn)處，以某一初速度沿x軸正方向射入磁場．



（1）求要使粒子能進(jìn)入第二個(gè)磁場，初速度要滿足的條件；
（2）粒子初速度改為v₁，要使粒子經(jīng)過兩個(gè)磁場后沿x軸負(fù)方向經(jīng)過O點(diǎn)，求圖中磁場分界線（圖中虛線）的橫坐標(biāo)值為多少？要在圖2中畫出軌跡圖．
（3）在第二問的情況下，要使帶電粒子第二次回到O點(diǎn)，且回到O點(diǎn)時(shí)的速度方向沿x軸正方向，請?jiān)趚＜0內(nèi)設(shè)計(jì)符合要求的磁場，在圖2上標(biāo)明磁場的方向、磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小和邊界的坐標(biāo)？
（4）若粒子在第一個(gè)磁場中作圓周運(yùn)動(dòng)的軌跡半徑為R=

2

a，求粒子在磁場中的軌跡與x 軸的交點(diǎn)坐標(biāo)．

如圖，真空室內(nèi)存在勻強(qiáng)磁場，磁場方向垂直于紙面向里，磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小B=0.60T，磁場內(nèi)有一塊平面感光板ab，板面與磁場方向平行，在距ab的距離l=16cm處，有一個(gè)點(diǎn)狀的α放射源S，它向各個(gè)方向發(fā)射α粒子，α粒子的速度都是v=3.0×10⁶m/s，已知α粒子的電荷與質(zhì)量之比

q

m

=5.0×107C/kg，現(xiàn)只考慮在圖紙平面中運(yùn)動(dòng)的α粒子，求ab上被α粒子打中的區(qū)域的長度．

如圖甲所示的控制電子運(yùn)動(dòng)裝置由偏轉(zhuǎn)電場、偏轉(zhuǎn)磁場組成．偏轉(zhuǎn)電場處在加有電壓U、相距為d的兩塊水平平行放置的導(dǎo)體板之間，勻強(qiáng)磁場水平寬度一定，豎直長度足夠大，其緊靠偏轉(zhuǎn)電場的右邊．大量電子以相同初速度連續(xù)不斷地沿兩板正中間虛線的方向向右射入導(dǎo)體板之間．當(dāng)兩板間沒有加電壓時(shí)，這些電子通過兩板之間的時(shí)間為2t₀；當(dāng)兩板間加上圖乙所示的電壓U時(shí)，所有電子均能通過電場、穿過磁場，最后打在豎直放置的熒光屏上．已知電子的質(zhì)量為m、電荷量為e，不計(jì)電子的重力及電子間的相互作用，電壓U的最大值為U₀，磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向水平且垂直紙面向里．
（1）如果電子在t=t₀時(shí)刻進(jìn)入兩板間，求它離開偏轉(zhuǎn)電場時(shí)豎直分位移的大�。�


（2）要使電子在t=0時(shí)刻進(jìn)入電場并能最終垂直打在熒光屏上，勻強(qiáng)磁場的水平寬度l為多少？
（3）在滿足第（2）問的情況下，打在熒光屏上的電子束的寬度為多少？

圖a為測量分子速率分布的裝置示意圖．圓筒繞其中心勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，側(cè)面開有狹縫N，內(nèi)側(cè)貼有記錄薄膜，M為正對狹縫的位置．從原子爐R中射出的銀原子蒸汽穿過屏上的S縫后進(jìn)入狹縫N，在圓筒轉(zhuǎn)動(dòng)半個(gè)周期的時(shí)間內(nèi)相繼到達(dá)并沉積在薄膜上．展開的薄膜如圖b所示，NP，PQ間距相等．則（　�。�

A．到達(dá)M附近的銀原子速率較大

B．到達(dá)Q附近的銀原子速率較大

C．位于PQ區(qū)間的分子百分率大于位于NP區(qū)間的分子百分率

D．位于PQ區(qū)間的分子百分率小于位于NP區(qū)間的分子百分率