科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 電壓表的示數(shù)為22V | B. | R處出現(xiàn)火情時(shí)電壓表示數(shù)增大 | ||
C. | R處出現(xiàn)火情時(shí)電流表示數(shù)增大 | D. | R處出現(xiàn)火情時(shí)R0消耗的功率增大 |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 微粒從B至C做加速運(yùn)動(dòng),且vC=4m/s | |
B. | 微粒先做減速運(yùn)動(dòng),后做加速運(yùn)動(dòng) | |
C. | 微粒運(yùn)動(dòng)的最終速度為$\sqrt{5}$m/s | |
D. | 微粒最終可能返回至B點(diǎn),且過B點(diǎn)時(shí)的速度大小$\sqrt{5}$m/s |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | B. | C. | D. |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 3顆“超級地球”的質(zhì)量之比 | |
B. | 3顆“超級地球”運(yùn)動(dòng)的向心加速度之比 | |
C. | 3顆“超級地球”所受的引力之比 | |
D. | 該恒星的質(zhì)量 |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 受到水平向右的摩擦力作用 | B. | 不受摩擦力的作用 | ||
C. | 處于失重狀態(tài) | D. | 所受力的合力豎直向上 |
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科目: 來源: 題型:解答題
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | t=0時(shí),線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav0 | |
B. | 在t0時(shí)刻線框的速度為v0-$\frac{2F{t}_{0}}{m}$ | |
C. | 線框完全離開磁場的瞬間位置3速度一定比t0時(shí)刻線框的速度大 | |
D. | 線框從1位置進(jìn)入磁場到完全離開磁場位置3過程中,線框中產(chǎn)生的電熱為2Fb |
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | 由于兩波振幅不等,故兩列波相遇時(shí)不會(huì)發(fā)生干涉現(xiàn)象 | |
B. | 兩列波同時(shí)傳到坐標(biāo)原點(diǎn) | |
C. | x=0.2cm處的質(zhì)點(diǎn)開始振動(dòng)時(shí)的方向向y軸的負(fù)方向 | |
D. | 兩列波相遇時(shí)會(huì)發(fā)生干涉且x=0.5cm處為振動(dòng)加強(qiáng)的點(diǎn) |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 在真空中,a光的傳播速度大于b光的傳播速度 | |
B. | 在玻璃中,a光的傳播速度小于b光的傳播速度 | |
C. | 同時(shí)增大入射角,則b光的出射光線先消失 | |
D. | 對同一雙縫干涉裝置,a光的干涉條紋比b光的干涉條紋寬 |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | X核比Z核多一個(gè)質(zhì)子 | B. | X核比Z核少一個(gè)中子 | ||
C. | X核與Z核的總電荷是Y核電荷的3倍 | D. | X核的質(zhì)量數(shù)比Z核質(zhì)量數(shù)大3 |
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