科目: 來源: 題型:選擇題
A. | $\frac{{L}_{1}}{2}$$\sqrt{\frac{g}{6h}}$<v<L1$\sqrt{\frac{g}{6h}}$ | B. | $\frac{{L}_{1}}{4}$$\sqrt{\frac{g}{h}}$<v<$\sqrt{\frac{(4{L}_{1}^{2}+{L}_{2}^{2})g}{6h}}$ | ||
C. | $\frac{{L}_{1}}{2}$$\sqrt{\frac{g}{6h}}$<v<$\frac{1}{2}$$\sqrt{\frac{(4{L}_{1}^{2}+{L}_{2}^{2})g}{6h}}$ | D. | $\frac{{L}_{1}}{4}$$\sqrt{\frac{g}{h}}$<v<$\frac{1}{2}$$\sqrt{\frac{(4{L}_{1}^{2}+{L}_{2}^{2})g}{6h}}$ |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | W=$\frac{1}{2}$mgR,質(zhì)點(diǎn)恰好可以到達(dá)Q點(diǎn) | |
B. | W>$\frac{1}{2}$mgR,質(zhì)點(diǎn)不能到達(dá)Q點(diǎn) | |
C. | W=$\frac{1}{2}$mgR,質(zhì)點(diǎn)到達(dá)Q點(diǎn)后,繼續(xù)上升一段距離 | |
D. | W<$\frac{1}{2}$mgR,質(zhì)點(diǎn)到達(dá)Q點(diǎn)后,繼續(xù)上升一段距離 |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | U=66V,k=$\frac{1}{9}$ | B. | U=22V,k=$\frac{1}{9}$ | C. | U=66V,k=$\frac{1}{3}$ | D. | U=22V,k=$\frac{1}{3}$ |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 直線a位于某一等勢面內(nèi),φM>φQ | |
B. | 直線c位于某一等勢面內(nèi),φM>φN | |
C. | 若電子由M點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到Q點(diǎn),電場力做正功 | |
D. | 若電子由P點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到Q點(diǎn),電場力做負(fù)功 |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 軌道半徑減少,角速度增大 | B. | 軌道半徑減少,角速度減少 | ||
C. | 軌道半徑增大,角速度增大 | D. | 軌道半徑增大,角速度減少 |
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科目: 來源: 題型:解答題
F(N) | 0 | 0.50 | 1.00 | 1.50 | 2.00 | 2.50 |
l(cm) | l0 | 10.97 | 12.02 | 13.00 | 13.98 | 15.05 |
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | 末速度大小為$\sqrt{2}$v0 | B. | 末速度沿水平方向 | ||
C. | 重力勢能減少了$\frac{1}{2}$mgd | D. | 克服電場力做功為mgd |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | B. | ||||
C. | D. |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | $\frac{3kQ}{4{a}^{2}}$,沿y軸正向 | B. | $\frac{3kQ}{4{a}^{2}}$,沿y軸負(fù)向 | ||
C. | $\frac{5kQ}{4{a}^{2}}$,沿y軸正向 | D. | $\frac{5kQ}{4{a}^{2}}$,沿y軸負(fù)向 |
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | 處于磁場中的圓盤部分,靠近圓心處電勢高 | |
B. | 所加磁場越強(qiáng)越易使圓盤停止轉(zhuǎn)動(dòng) | |
C. | 若所加磁場反向,圓盤將加速轉(zhuǎn)動(dòng) | |
D. | 若所加磁場穿過整個(gè)圓盤,圓盤將勻速轉(zhuǎn)動(dòng) |
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