如圖所示是高壓電場干燥中藥技術基本原理圖，在大導體板MN上鋪一薄層中藥材，針狀電極O和平板電極MN接高壓直流電源，其間產(chǎn)生較強的電場.水分子是極性分子，可以看成棒狀帶電體，一端帶正電，另一端帶等量負電；水分子在電場力的作用下會加速從中藥材中分離出去，在鼓風機的作用下飛離電場區(qū)域從而加速干燥．圖中虛線ABCD是某一水分子從A處由靜止開始的運動軌跡.下列說法正確的是

A. A處的電場強度大于D處

B. B處的電勢高于C處

C. 水分子做勻變速運動

D. 水分子由A運動到C的過程中電勢能減少

質(zhì)量為m的球從地面以初速度υ0豎直向上拋出，已知球所受的空氣阻力與速度大小成正比.下列圖象分別描述了球在空中運動的加速度a、速度υ隨時間t的變化關系和動能Ek、機械能E（選地面處重力勢能為零）隨球距離地面高度h的變化關系，其中可能正確的是

A. B.

C. D.

關于下列器材的原理和用途，敘述正確的是

A. 變壓器可以改變交流電壓與穩(wěn)恒直流電壓

B. 扼流圈對變化的電流有阻礙作用

C. 真空冶煉爐的工作原理是通過線圈發(fā)熱使爐內(nèi)金屬熔化

D. 磁電式儀表中用來做線圈骨架的鋁框能起電磁阻尼的作用

如圖甲所示是家用臺燈亮度調(diào)節(jié)原理圖，理想自耦變壓器的a、b間接入如圖乙所示正弦交流電壓.交流電流表A為理想電表，燈泡額定電壓為15V、額定功率30W（設燈泡的電阻值保持不變），當P在c處時燈泡正常發(fā)光.下列描述正確的有

A. 燈泡正常發(fā)光時變壓器線圈的總匝數(shù)與c點下方的匝數(shù)之比為44∶3

B. 當燈泡正常發(fā)光時電流表的讀數(shù)為2A

C. 將調(diào)壓端的滑動觸頭P向下移動時，變壓器的輸入功率變小

D. 將調(diào)壓端的滑動觸頭P向下移動時，變壓器的輸入電壓變小

目前的手機觸摸屏大多是電容式觸摸屏．電容式觸摸屏內(nèi)有一導電層．導電層四個角引出四個電極，當手指觸摸屏幕時，人體和觸摸屏就形成了一個電容，電容具有“通高頻”的作用，從而導致有電流分別從觸摸屏四角上的電極中流出，并且流經(jīng)這四個電極的電流與手指到四角的距離成正比，控制器通過對這四個電流比例的精確計算，得出觸摸點的位置信息．在開機狀態(tài)下，下列說法正確的是（　　）

A. 電容式觸摸屏感測手指觸摸點的位置是因為手指對屏幕按壓產(chǎn)生了形變

B. 電容式觸摸屏感測手指觸摸點的位置是利用了電磁感應現(xiàn)象

C. 當手指觸摸屏幕時手指有微弱的電流流過

D. 當手指離開屏幕時，電容變小，對高頻電流的阻礙變大，控制器不易檢測到手指的準確位置

如圖所示，在豎直平面內(nèi)固定兩個很靠近的同心圓軌道，外圓內(nèi)表面光滑，內(nèi)圓外表面粗糙．一質(zhì)量為m的小球從軌道的最低點以初速度向右運動，球的直徑略小于兩圓間距，球運動的軌道半徑為R，不計空氣阻力．下列說法正確的是

A. 若，則小球在整個運動過程克服中摩擦力做功等于mgR

B. 若使小球在最低點的速度大于，則小球在整個運動過程中，機械能守恒

C. 若小球要做一個完整的圓周運動，小球在最低點的速度必須大于等于

D. 若小球第一次運動到最高點，內(nèi)環(huán)對小球的支持力為0.5mg，則小球在最低點對外圓環(huán)的壓力為5.5mg

有一只量程為3V的電壓表，內(nèi)阻約為5～8kΩ，某同學要精確地測量該電壓表的內(nèi)阻，設計的測量電路如圖甲所示，其中R2為最大電阻9999Ω的電阻箱，R1為滑動變阻器，電源電動勢為4.5V，內(nèi)阻很小.實驗步驟如下：

①按電路圖連接電路；

②閉合S2；

③將滑動變阻器滑片調(diào)至最左端；

④閉合S1；

⑤調(diào)節(jié)滑動變阻器，使電壓表滿偏；

⑥再打開S2，調(diào)節(jié)電阻箱，調(diào)至電壓表半偏，并記下電阻箱的讀數(shù)，并認為此時電阻箱的電阻為該電壓表的內(nèi)阻.

（1）乙圖電阻箱的讀數(shù)為______kΩ.

（2）實驗室中有兩個滑動變阻器：（a）最大阻值為20Ω，額定電流為1A；（b）最大阻值為10kΩ，額定電流為20mA.為了能精確測量電壓表內(nèi)阻，實驗中應選擇 ______
滑動變阻器（填變阻器前的字母代號）.

（3）實驗中S2從閉合到打開（打開S2之前，電阻箱置于9999Ω），打開后A、B兩點的電壓UAB______3V（選填“>”、“<”或“=”）.

（4）實驗中由于電路設計所存在的實驗誤差（系統(tǒng)誤差），導致測量值______真實值（選填“>”、“<”或“=”）.

下列說法正確的是______

A．單晶體有確定的熔點，多晶體沒有確定的熔點

B．若絕對濕度增加且大氣溫度降低，則相對濕度增大

C．物體溫度升高1℃相當于熱力學溫度升高274K

D．在真空、高溫條件下，可利用分子擴散向半導體材料中摻入其它元素

質(zhì)量一定的理想氣體完成如圖所示的循環(huán)，其中A→B過程是絕熱過程，B→C過程是等溫過程，則A→B過程氣體內(nèi)能______(選填“增加”、“減小”或“不變”)，從狀態(tài)A經(jīng)B、C再回到狀態(tài)A的過程中，氣體吸收的熱量______放出的熱量(選填“大于”、“小于”或“等于”).