【題目】如圖所示，物體A放在足夠長的木板B的右端，木板B靜止于水平面，時，電動機通過水平細繩以恒力F拉木板B，使它做初速度為零，加速度的勻加速直線運動，已知A的質量和B的質量均為，A．B之間的動摩擦因數，B與水平面之間的動摩擦因數，最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小視為相等，重力加速度g取，求：

（1）物體A剛運動時的加速度大小和方向；

（2）時，電動機的輸出功率P；

（3）若時，將電動機的輸出 功率立即調整為，并在以后的運動過程中始終保持這一功率不變，則再經過多長時間物體A與木板B的速度相等？

A. 小車被彈回時速度υ一定小于υ0

B. 直桿在槽內移動的距離等于

C. 直桿在槽內向右運動時，小車與直桿始終保持相對靜止

D. 彈簧的彈力可能大于直桿與槽間的最大靜摩擦力

【題目】發(fā)電機的轉子在勻速轉動過程中，下列物理量不發(fā)生改變的有（　�。�
A.穿過線圈的磁通量
B.線圈中產生的感應電動勢
C.閉合回路中的電流
D.閉合回路中電流變化的周期

【題目】如圖所示，C、D為平行正對的兩金屬板，在D板右方一邊長為的正方形區(qū)域內存在勻強磁場，該區(qū)域恰好在一對平行且正對的金屬板M．N之間，M、N兩板均接地，極板的右端處放置一觀察屏。在C、D兩板間加上如圖乙所示的交變電壓，并從C板O處以每秒個的頻率均勻的源源不斷地釋放出電子，所有電子的初動能均為，初速度方向均沿直線，通過電場的電子從M、N的正中間垂直射入磁場，已知電子的質量為，磁感應強度為，問：

（1）電子從D板上小孔點射出時，速度的最大值是多少？

（2）電子到達觀察屏（觀察屏足夠大）上的范圍有多大？

（3）在變化的一個周期內，有多少個電子能到達觀察屏？

【題目】如圖所示，光滑桿AB長為L，B端固定一根勁度系數為k、原長為的輕彈簧，質量為m的小球套在光滑桿上并與彈簧的上端連接， 為過B點的豎直軸，桿與水平面間的夾角始終為。

（1）感保持靜止狀態(tài)，讓小球從彈簧的原長位置靜止釋放，求小球釋放瞬間的加速度大小a及小球速度最大時彈簧的壓縮量；

（2）當球隨桿一起繞軸勻速轉動時，彈簧伸長量為，求勻速轉動的角速度；

（3）若，移去彈簧，當桿繞軸以角速度，勻速轉動時，小球恰好在桿上某一位置隨桿在水平面內勻速轉動，球受輕微擾動后沿桿向上滑動，到最高點A時球沿桿方向的速度大小為，求小球從開始滑動到離開桿過程中，桿對球所做的功W。

A. 這列波沿x軸負方向傳播

B. 這列波的周期為0．4s

C. t=0時刻質點a沿y軸正方向運動

D. t=0時刻質點a經0．2s通過的路程為0．4m

E. x=2m處的質點的位移表達式為y=0．2sin（5πt+π）（m）

【題目】用圖示裝置測量重錘的質量，在定滑輪兩側分別掛上重錘和n塊質量均為的鐵皮，重錘下端貼一遮光片，鐵架臺上安裝有光電門，調整重錘的高度，使其從適當的位置由靜止開始下落，讀出遮光片通過光電門的擋光時間；從定滑輪左側依次取下1塊鐵皮放到右側重錘上，讓重錘每次都從同一位置由靜止開始下落，計時器記錄的擋光時間分別為、…，計算出、…

（1）擋光時間為時，重錘的加速度為，從左側取下塊鐵片置于右側重錘上時，對應的擋光時間為，重錘的加速度為，則 （結果用和表示）。

（2）作出的圖線是一條直線，直線的斜率為k，則重錘的質量 。

（3）若重錘的質量約為，為使實驗測量數據合理，鐵片質量比較恰當的取值是 。

（4）請?zhí)岢鲆粭l減小實驗誤差的建議： 。

【題目】某種半導體元件，電路符號為“”，其特點是具有單向導電性，即電流從正極流入時電阻比較小，從負極流入時電阻比較大。

（1）某實驗興趣小組要測繪該中半導體元件的伏安特性曲線，因該半導體元件外殼所印的標識模糊，為判斷正負極，用多用電表電阻檔測定期正反向電阻，將選擇開關旋至合適倍率，調整歐姆零點后，將黑表筆接觸二極管的左端．紅表筆接觸右端時，指針偏角比較小；再將紅、黑表筆位置對調時，指針偏角比較大，由此判斷 端為該半導體元件的正極（選填“左”、“右”）。

（2）如圖是廠家提供的伏安特性曲線，該小組只對加正向電壓時的伏安特性曲線進行了測繪，以驗證與廠家提供的數據是否吻合，可選用的器材有：

A．直流電源，電動勢，內阻忽略不計；

B．的滑動變阻器一只；

C．量程、內阻約的電壓表一只；

D．量程、內阻約的電壓表一只；

E．量程、內阻約的電流表一只；

F．量程、內阻約的電流表一只；

G．待測二極管一只；

H．導線．電鍵等。

為了提高測量結果的準確度，電壓表應選用 ，電流表應選用 （填序號字母）。

（3）為了達到測量目的，請在虛線框中畫出正確的實驗電路原理圖。

（4）該小組通過實驗采集數據后描繪出了該半導體元件的伏安特性曲線，通過對比，與廠家提供的曲線基本吻合，如果將該半導體元件與一阻值的電阻串聯(lián)，再接至電動勢、內阻不計的電源上，該半導體元件處于正向導通狀態(tài)，則此時該半導體元件的電功率為 。

A. 地面對斜劈的摩擦力方向水平向右

B. 若F增大，地面對斜劈的摩擦力也增大

C. 若F反向，地面對斜劈的摩擦力也反向

D. 地面對斜劈的彈力大于斜劈和物塊的重力之和

【題目】以下說法中正確的是（　�。�
A.無線電波、可見光、紅外線、紫外線、X射線的波長逐漸減小
B.折射率越大，介質對光的偏折本領越大
C.海市蜃樓產生是因為光的衍射現象
D.相機鏡頭上的增透膜利用的是光的偏振現象，增加了透射光的能量，讓成像更清晰