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【題目】如圖所示,排球場地長為a,寬為b,網(wǎng)高為h.若發(fā)球員站在P點(diǎn)(P點(diǎn)在場地邊緣的中點(diǎn)) 從離地面高度為H處垂直于網(wǎng)所在的豎直平面發(fā)球,要使球既不觸網(wǎng)又不越界,能夠使球到達(dá)對(duì)方場地,排球視為質(zhì)點(diǎn),重力加速度為g,不計(jì)空氣阻力,則( )
A. 球在空中飛行的時(shí)間為
B. 發(fā)球的最小速度為
C. 發(fā)球的最大速度為
D. 球在空中飛行的速度變化率為g
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【題目】某同學(xué)欲測一電阻RX (阻值約300Ω)的阻值,可供選擇的儀器有:
電流表A1:量程10mA;
電流表A2:量程0.6A;
電壓表V1:量程3V;
電壓表V2:量程15V;
電源電動(dòng)勢為4.5V.
該同學(xué)先按圖接好電路,閉合S1后把開關(guān)S2撥至A時(shí)發(fā)現(xiàn)兩電表指針偏轉(zhuǎn)的角度都在滿偏的4/5處;再把開關(guān)S2撥至b時(shí)發(fā)現(xiàn).其中一個(gè)電表的指針偏角幾乎不變,另一個(gè)電表指針偏轉(zhuǎn)到滿偏3/4處,則該同學(xué)在實(shí)驗(yàn)中所選電壓表的量程為______,所選電流表的量程為______RX的測量值為________.
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【題目】對(duì)UAB=1V的理解,正確的是()
A.從A到B移動(dòng)qC的電荷,電場力做功1J
B.從A到B移動(dòng)1C的正電荷,電場力做功1J
C.從A到B移動(dòng)1C的負(fù)電荷,克服電場力做功1J
D.從A到B移動(dòng)1C的負(fù)電荷,外力做功1J
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【題目】如圖所示,在E=103V/m的豎直勻強(qiáng)電場中,有一光滑的半圓形絕緣軌道QPN與一水平絕緣軌道MN在N點(diǎn)平滑相接,半圓形軌道平面與電場線平行,其半徑R=40cm,N為半圓形軌道最低點(diǎn),P為QN圓弧的中點(diǎn),一帶負(fù)電的小滑塊質(zhì)量m=10g,電荷量q=10﹣4C與水平軌道間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ=0.15,位于N點(diǎn)右側(cè)1.5m的M點(diǎn)處,取g=10m/s2.求:
(1)要使小滑塊恰能運(yùn)動(dòng)到圓軌道的最高點(diǎn)Q,則滑塊應(yīng)從M點(diǎn)以多大的初速度v0向左運(yùn)動(dòng)?
(2)這樣運(yùn)動(dòng)的滑塊通過P點(diǎn)時(shí)受到軌道的壓力是多大?
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【題目】一電壓表由電流表G與電阻R串聯(lián)而成,如圖所示,若在使用中發(fā)現(xiàn)此電壓表的讀數(shù)總比準(zhǔn)確值稍小一些,采用下列哪種措施可能加以改進(jìn)( )
A. 在R上串聯(lián)一比R小得多的電阻
B. 在R上串聯(lián)一比R大得多的電阻
C. 在R上并聯(lián)一比R小得多的電阻
D. 在R上并聯(lián)一比R大得多的電阻
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【題目】如圖所示,在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為壓、平行P、Q連線向右的勻強(qiáng)磁場中,兩長直導(dǎo)線P和Q垂 直于紙面固定放置,兩者之間的距離為l.在兩導(dǎo)線中均通有方向垂直于紙面向里的電流I時(shí),紙面內(nèi)與兩導(dǎo)線距離均為l的a點(diǎn)處的磁感應(yīng)強(qiáng)度為2B0.下列說法正確的是( )
A. 兩電流在a處產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為3B0
B. P中電流在a點(diǎn)處產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為
C. 若在a點(diǎn)處垂直紙面放一長度為L、電流為I的導(dǎo)線,則該導(dǎo)線所受的安培力大小一定為
D. 若使P中的電流反向、其他條件不變,則a點(diǎn)處磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為
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【題目】某靜電場中,與x軸重合的電場線的電勢φ在x軸上的分布如圖所示.下列說法正確的是( 。
A. 在x軸上,x3處的電場強(qiáng)度最大
B. x1處的電場強(qiáng)度大于x4處的電場強(qiáng)度
C. 負(fù)電荷從x2移到x4,電勢能減小
D. 電荷量為q的正點(diǎn)電荷從x3移到x4,電場力做功為
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【題目】如圖所示,水平絕緣軌道AB與處于豎直平面內(nèi)的半圓形絕緣光滑軌道BC平滑連接,半圓形軌道的半徑R=0.4m。軌道所在空間存在水平向右的勻強(qiáng)電場,電場強(qiáng)度E=1.0×104 N/C。現(xiàn)有一電荷量q=1.0×10—4 C,質(zhì)量m=0.1kg的帶電體(可視為質(zhì)點(diǎn)),在水平軌道上的P點(diǎn)由靜止釋放,帶電體運(yùn)動(dòng)到圓形軌道最低點(diǎn)B時(shí)的速度υB=5 m/s。已知帶電體與水平軌道間的動(dòng)摩擦因數(shù)為0.5,重力加速度g=10 m/s2。求:
(1)帶電體運(yùn)動(dòng)到圓形軌道的最低點(diǎn)B時(shí),圓形軌道對(duì)帶電體支持力的大小;
(2)帶電體在水平軌道上的釋放點(diǎn)P到B點(diǎn)的距離;
(3)帶電體第一次經(jīng)過C點(diǎn)后,落在水平軌道上的位置到B點(diǎn)的距離。
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【題目】對(duì)于一定質(zhì)量的理想氣體,下列說法正確的是( 。
A. 溫度升高,所有分子運(yùn)動(dòng)速率都變大
B. 溫度升高,分子平均動(dòng)能變大
C. 氣體分子無論在什么溫度下,其分子速率都呈現(xiàn)“中間多、兩頭少”的分布特點(diǎn)
D. 溫度升高,氣體的壓強(qiáng)一定增大
E. 外界對(duì)氣體做功,氣體的溫度可能降低
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【題目】如圖所示,某一空間存在正交的勻強(qiáng)電場和勻強(qiáng)磁場共存的場區(qū),三個(gè)速度不同的質(zhì)子沿垂直電場線和磁感線方向從同一點(diǎn)射入場區(qū),其軌跡為圖中Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三條虛線.設(shè)三個(gè)質(zhì)子沿軌跡Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ進(jìn)入場區(qū)時(shí)速度大小分別為v1、v2、v3,射出場區(qū)時(shí)速度大小分別為v1′、v2′、v3′,不計(jì)質(zhì)子所受到的重力,則下列判斷正確的是 ( )
A. v1>v2>v3,v1>v1′,v3<v3′ B. v1>v2>v3,v1<v1′,v3<v3′
C. v1<v2<v3,v1>v1′,v3>v3′ D. v1<v2<v3,v1<v1′,v3<v3′
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