(1)若裝置勻速轉(zhuǎn)動(dòng)的角速度為ω1時(shí)，細(xì)線1上的張力為零而細(xì)線2與豎直方向的夾角仍為37°，求角速度ω1的大�。�

(2)若裝置勻速轉(zhuǎn)動(dòng)的角速度ω2＝ rad/s，求細(xì)線2與豎直方向的夾角．

(1)升降機(jī)的總質(zhì)量大小;

(2)升降機(jī)在0~7s內(nèi)上升的高度

（1）粒子帶正電還是帶負(fù)電？

（2）粒子打在熒光屏上的位置距O點(diǎn)多遠(yuǎn)處？

（3）粒子打在熒光屏上時(shí)的動(dòng)能為多大？

【題目】某原子核的衰變過程是，符號(hào)表示放出一個(gè)粒子，表示放出一個(gè)粒子，下列說法中正確的是　　

A. 核C比核B的中子數(shù)少2

B. 核C比核A的質(zhì)量數(shù)少5

C. 原子核為A的中性原子的電子數(shù)比原子核為B的中性原子的電子數(shù)多1

D. 核C比核A的質(zhì)子數(shù)少1

【題目】如圖所示,一內(nèi)壁光滑的絕緣圓管ADB固定在豎直平面內(nèi),圓管的圓心為0,D點(diǎn)為圓管的最低點(diǎn),A、B兩點(diǎn)在同一水平線上,AB=2L,圓環(huán)的半徑r=L(圓管的直徑忽略不計(jì)),過OD的虛線與過AB的虛線垂直相交于C點(diǎn),在虛線AB的上方存在水平向右的、范圓足夠大的勻強(qiáng)電場(chǎng)；虛線AB的下方存在豎直向下的、范圍足夠大的勻強(qiáng)電場(chǎng),電場(chǎng)強(qiáng)度大小等于,圓心0正上方的P點(diǎn)有一質(zhì)量為m、電荷量為-q(q>0)的絕緣小物體(可視為質(zhì)點(diǎn)),PC間距為L�，F(xiàn)將該小物體無初速度釋放,經(jīng)過一段時(shí)間,小物體剛好沿切線無碰撞地進(jìn)入圓管內(nèi),并繼續(xù)運(yùn)動(dòng),重力加速度用g表示。

（1）虛線AB上方勻強(qiáng)電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度為多大?

（2）小物體由P點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到B點(diǎn)的時(shí)間為多少?

【題目】如圖所示,半徑R=0.4m的光滑圓弧軌道BC固定在豎直平面內(nèi),軌道的上端點(diǎn)B和圓心O的連線與水平方向的夾角=30°。下端點(diǎn)C為軌道的最低點(diǎn)且與粗糙水平面相切,一質(zhì)量為m=0.1kg的小物塊(可視為質(zhì)點(diǎn))從空中的A點(diǎn)以=2m/s的速度被水平拋出,恰好從B點(diǎn)沿軌道切線方向進(jìn)入軌道,g取10m/s2。求:

（1）小物塊從A點(diǎn)運(yùn)動(dòng)至B點(diǎn)的時(shí)間；

（2）小物塊經(jīng)過圓弧軌道上的C點(diǎn)時(shí),對(duì)軌道的壓力。

A. A點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度大于B點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度

B. 電子在A點(diǎn)的電勢(shì)能小于在B點(diǎn)的電勢(shì)能

C. 把質(zhì)子從A點(diǎn)移動(dòng)到B點(diǎn)，靜電力對(duì)質(zhì)子做功為零

D. 把質(zhì)子從A點(diǎn)移動(dòng)到MN上任何一點(diǎn)，質(zhì)子電勢(shì)能都增加

A. M點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度小于N點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度

B. M點(diǎn)的電勢(shì)低于N點(diǎn)的電勢(shì)

C. 負(fù)點(diǎn)電荷在M點(diǎn)的電勢(shì)能小于在N點(diǎn)的電勢(shì)能

D. 負(fù)點(diǎn)電荷在M點(diǎn)的動(dòng)能大于在N點(diǎn)的動(dòng)能

【題目】恒星內(nèi)部發(fā)生著各種熱核反應(yīng)，其中“氦燃燒”的核反應(yīng)方程為：，其中X表示某種粒子，是不穩(wěn)定的粒子，其半衰期為T，則下列說法正確的是　　

A. X粒子是

B. 的衰變需要外部作用激發(fā)才能發(fā)生

C. 經(jīng)過3個(gè)T，剩下的占開始時(shí)的

D. “氦燃燒”的核反應(yīng)是裂變反應(yīng)

【題目】原子核X發(fā)生衰變后變成Y核，Y核吸收一個(gè)中子后生成Z核并放出一個(gè)粒子，則下面說法正確的是　　

A. X核比Z核多一個(gè)中子

B. X核比Z核多一個(gè)質(zhì)子

C. X核的質(zhì)量數(shù)比Z核質(zhì)量數(shù)大3

D. X核的電荷數(shù)比Z核電荷數(shù)多