A. 粒子帶正電，由A到B的過程中加速度一直增大

B. 粒子帶負電，由A到B的過程中速度先增大再減小

C. 粒子帶正電，由A到B的過程中電場力一直做正功

D. 粒子帶負電，由A到B的過程中電勢能先增大再減小，但B點電勢能比A點大

A. 小球M第二次的位置比第一次時離A點近

B. 小球M第二次的位置比第一次時離B點近

C. 小球N第二次的豎直位置比第一次時高

D. 小球N第二次的豎直位置比第一次時低

A.該波的傳播速率為4m/s

B.該波的傳播方向沿x軸正方向

C.經(jīng)過0.5s，質(zhì)點P沿波的傳播方向向前傳播2m

D.該波在傳播過程中若遇到4m的障礙物，能發(fā)生明顯衍射現(xiàn)象

A.通過電阻R的電流方向為M→P

B.回路的感應電流I＝

C.通過電阻R的電量q＝

D.ab桿產(chǎn)生的熱功率P＝

【題目】在豎直平面內(nèi)建立一平面直角坐標系xoy，x軸沿水平方向，如圖甲所示．第二象限內(nèi)有一水平向右的勻強電場，場強為E1．坐標系的第一、四象限內(nèi)有一正交的勻強電場和勻強交變磁場，電場方向豎直向上，場強E2=，勻強磁場方向垂直紙面．處在第三象限的某種發(fā)射裝置（圖中沒有畫出）豎直向上射出一個比荷=102C/kg的帶正電的微粒（可視為質(zhì)點），該微粒以v0=4m/s的速度從-x上的A點進入第二象限，并以v1=8m/s速度從+y上的C點沿水平方向進入第一象限．取微粒剛進入第一象限的時刻為0時刻，磁感應強度按圖乙所示規(guī)律變化（以垂直紙面向外的磁場方向為正方向），g=10m/s2．試求：

（1）帶電微粒運動到C點的縱坐標值h及電場強度E1；

（2）+x軸上有一點D，OD=OC，若帶電微粒在通過C點后的運動過程中不再越過y軸，要使其恰能沿x軸正方向通過D點，求磁感應強度B0及其磁場的變化周期T0為多少？

（3）要使帶電微粒通過C點后的運動過程中不再越過y軸，求交變磁場磁感應強度B0和變化周期T0的乘積B0T0應滿足的關系？

【題目】如圖所示，水平絕緣軌道，左側(cè)存在水平向右的有界勻強電場，電場區(qū)域?qū)挾葹?/span>L，右側(cè)固定以輕質(zhì)彈簧，電場內(nèi)的軌道粗糙，與物體間的摩擦因數(shù)為μ=0.5，電場外的軌道光滑，質(zhì)量為m、帶電量為+q的物體A從電場左邊界由靜止釋放后加速運動，離開電場后與質(zhì)量為2m的物體B碰撞并粘在一起運動，碰撞時間極短，開始B靠在處于原長的輕彈簧左端但不栓接，（A、B均可視為質(zhì)點），已知勻強電場強度大小為，求：

（1）彈簧的最大彈性勢能；

（2）整個過程A在電場中運動的總路程；

【題目】如圖所示，abcd是邊長為L的正方形回路，處在斜向左上的勻強磁場中，磁場方向與回路平面呈45度角，ab，cd為金屬棒，ad,bc為細的金屬絲，金屬絲的質(zhì)量不計，ab金屬棒固定且兩端通過導線與另一側(cè)的電源相連，連接在另一端的cd金屬棒剛好能懸在空中且正方形回路處于水平，cd段金屬棒的質(zhì)量為m通過回路的磁通量為，重力加速度為g則cd棒中電流的大小和方向：

A. ，方向從d到c B. ，方向從c到d

C. ，方向從d到c D. ,方向從c到d

A. x1處電場強度最小，但不為零

B. 粒子在0～x2段做勻變速運動，x2～x3段做勻速直線運動

C. 若x1、x3處電勢為1、3，則1<3

D. x2～x3段的電場強度大小方向均不變

（1）用毫米刻度尺測量接入電路中的被測金屬絲的有效長度，測量結(jié)果如圖甲所示，金屬絲的另一端與刻度尺的零刻線對齊，則接入電路的金屬絲長度為______cm．用螺旋測微器測量金屬絲的直徑，測量結(jié)果如圖乙所示，則金屬絲的直徑為______mm。

（2）在接下來實驗中發(fā)現(xiàn)電流表量程太小，需要通過測量電流表的滿偏電流和內(nèi)阻來擴大電流表量程。他設計了一個用標準電流表G1（量程為0～30μA）來校對待測電流表G2的滿偏電流和測定G2內(nèi)阻的電路，如圖所示。已知G1的量程略大于G2的量程，圖中R1為滑動變阻器，R2為電阻箱。該同學順利完成了這個實驗。

①實驗步驟如下：

A.分別將R1和R2的阻值調(diào)至最大。

B.合上開關S1。

C.調(diào)節(jié)R1使G2的指針偏轉(zhuǎn)到滿刻度，此時G1的示數(shù)I1如圖甲所示，則I1=______μA。

D.合上開關S2。

E.反復調(diào)節(jié)R1和R2的阻值，使G2的指針偏轉(zhuǎn)到滿刻度的一半，G1的示數(shù)仍為I1，此時電阻箱R2的示數(shù)r如圖乙所示，則r=______Ω。

②若要將G2的量程擴大為I，并結(jié)合前述實驗過程中測量的結(jié)果，寫出需在G2上并聯(lián)的分流電阻RS的表達式，RS=______。（用I、I1、r表示）

（1）制造霍爾元件的半導體參與導電的自由電荷帶負電，電流從乙圖中霍爾元件右側(cè)流入，左側(cè)流出，霍爾元件______（填“前表面”或“后表面”）電勢高；

（2）已知霍爾元件單位體積內(nèi)自由電荷數(shù)為n，每個自由電荷的電荷量為e，霍爾元件的厚度為h。為測量霍爾元件所處區(qū)域的磁感應強度B，根據(jù)乙圖中所給的器材和電路，還必須測量的物理量有______（寫出具體的物理量名稱及其符號），計算式B=______。