關(guān)于各種材料的電阻率，下列說(shuō)法正確的是
A．純金屬的電阻率較合金的電阻率小
B．把一根長(zhǎng)導(dǎo)線截成兩段，每段的電阻率是原來(lái)的1/2
C．任何材料的電阻率在任何條件下都不可能為零
D．任何材料的電阻率都隨溫度的升高而增大

一塊N型半導(dǎo)體薄片（稱霍爾元件），其橫載面為矩形，體積為b×c×d，如圖所示。已知其單位體積內(nèi)的電子數(shù)為n、電阻率為ρ、電子電荷量e.將此元件放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)方向沿Z軸方向，并通有沿x軸方向的電流I。
(1)此元件的CC^/兩個(gè)側(cè)面中，哪個(gè)面電勢(shì)高？
(2)試證明在磁感應(yīng)強(qiáng)度一定時(shí)，此元件的CC^/ 兩個(gè)側(cè)面的電勢(shì)差與其中的電流成正比
(3)磁強(qiáng)計(jì)是利用霍爾效應(yīng)來(lái)測(cè)量磁感應(yīng)強(qiáng)度B 的儀器。其測(cè)量方法為：將導(dǎo)體放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)之中，用毫安表測(cè)量通以電流I，用毫伏表測(cè)量C、C/間的電壓U CC’， 就可測(cè)得B。若已知其霍爾系數(shù)。并測(cè)得U CC’=0.6mV,I=3mA。試求該元件所在處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小。

電容式話筒的保真度比動(dòng)圈式話筒好, 其工作原理如圖所示, Q是絕緣支架,M是薄金屬膜和固定電極N形成一個(gè)電容器,被直流電源充電,當(dāng)聲波使膜片振動(dòng)時(shí),電容發(fā)生變化,電路中形成變化的電流,當(dāng)膜片向右運(yùn)動(dòng)的過程中有
A、電容變大                  
B、電容變小
C、導(dǎo)線AB中有向左的電流   
D、導(dǎo)線AB中有向右的電流

 

隨著生活質(zhì)量的提高，自動(dòng)干手機(jī)已進(jìn)入家庭，洗手后，將濕手靠近自動(dòng)干手機(jī)，機(jī)內(nèi)的傳感器便驅(qū)動(dòng)電熱器加熱，有熱空氣從機(jī)內(nèi)噴出，將濕手烘干。手靠近干手機(jī)能使傳感器工作，是因?yàn)?nbsp;  
  A. 改變了濕度     B. 改變了溫度    C. 改變了磁場(chǎng)       D. 改變了電容

如圖所示為小型電磁繼電器的構(gòu)造示意圖，其中L為含鐵芯的線圈．P為可經(jīng)O點(diǎn)轉(zhuǎn)動(dòng)的鐵片，K為彈簧，S為一對(duì)觸頭，A、B、C、D為四個(gè)接線柱．電磁繼電器與傳感器配合，可完成自動(dòng)控制的要求．其工作方式是
A．A與B接信號(hào)電壓，C與D可跟被控電路串聯(lián)
B．A與B接信號(hào)電壓，C與D可跟被控電路并聯(lián)
C．C與 D接信號(hào)電壓，A與B可跟被控電路串聯(lián)
D．C與 D接信號(hào)電壓，A與B可跟被控電路并聯(lián)

如圖所示，R ₁為定值電阻，R ₂為負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻（負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻是指阻值隨溫度的升高而減小的熱敏電阻），L為小燈泡，當(dāng)溫度降低時(shí)
A．R ₁兩端的電壓增大           B．電流表的示數(shù)增大
C．小燈泡的亮度變強(qiáng)            D．小燈泡的亮度變?nèi)?br/>

如圖所示為一測(cè)定液面高低的傳感器示意圖，A為固定的導(dǎo)體芯，B為導(dǎo)體芯外面的一層絕緣物質(zhì)，C為導(dǎo)電液體，把傳感器接到圖示電路中，已知靈敏電流表指針偏轉(zhuǎn)方向與電流方向相同。如果發(fā)現(xiàn)指針正向右偏轉(zhuǎn)，則導(dǎo)電液體的深度h變化為
A．h正在增大      B．h正在減小
C．h不變          D．無(wú)法確定

下列方法有可能使半導(dǎo)體材料的電阻率減小的是
A．升高半導(dǎo)體的溫度                B．用光照射半導(dǎo)體
C．在半導(dǎo)體中加入微量其它雜質(zhì)      D．以上情況都不可能

有一電學(xué)元件，溫度升高時(shí)電阻卻大幅度減小，則這種元件可能是
A．金屬導(dǎo)體       B．絕緣體        C．半導(dǎo)體         D．超導(dǎo)體

如圖是真空中一邊長(zhǎng)均為L 的矩形管的截面，在上、下兩管壁的中點(diǎn)a、b兩個(gè)小孔，矩形管中有垂直紙面、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)�，F(xiàn)有一質(zhì)最為m電荷盆為q的粒子從a孔垂直于管壁射人管中（粒子的重力不計(jì)，在管中粒子與管壁相碰后反彈速度大小不變）。欲使該粒子能從b孔垂直于管壁飛出，求：
（1）若粒子在管內(nèi)運(yùn)動(dòng)的時(shí)間最短，其射人速度。應(yīng)為多少？此時(shí)粒子在管中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間是多少？
（2）能夠保證粒子從b孔垂直管壁飛出的速度表達(dá)式。