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a、b兩種單色光以相同的入射角從某種介質(zhì)射向真空,光路如圖所示,則以下敘述正確的是:
A.a(chǎn)光的全反射臨界角小于b光的全反射臨界角。
B.通過同一雙縫干涉裝置,a光的干涉條紋間距比b光的寬。
C.在該介質(zhì)中a光的傳播速度小于b光的傳播速度。
D.在該介質(zhì)中a光的波長大于b光的波長。
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如圖所示,一定質(zhì)量的理想氣體被活塞封閉在可導熱的氣缸內(nèi),活塞相對于底部的高度為h,可沿氣缸無摩擦地滑動.取質(zhì)量為m的沙子緩慢地倒在活塞的上表面上。沙子倒完時,活塞下降了h/4,再取一定質(zhì)量的沙子緩慢地倒在活塞的上表面。外界大氣的壓強和溫度始終保持不變,此次沙子倒完時活塞距氣缸底部的高度力h/2.求第二次倒在活塞上的沙子的質(zhì)量。
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下列說法正確的是 。
A.氣體的內(nèi)能是分子熱運動的動能和分子間的勢能之和:
B.氣體的溫度變化時,其分子平均動能和分子間勢能也隨之改變;
C.功可以全部轉(zhuǎn)化為熱,但熱量不能全部轉(zhuǎn)化為功;
D.一定量的氣體,在體積不變時,分子每秒平均碰撞次數(shù)隨著溫度降低而減。
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在水平光滑的絕緣桌面內(nèi)建立如圖所示的直角坐標系xOy,將第1、II象限稱為區(qū)域一,第Ⅲ、Ⅳ象限稱為區(qū)域二,其中一個區(qū)域內(nèi)有勻強電場,另一個區(qū)域內(nèi)有大小為2×10-2T、方向垂直桌面的勻強磁場,把一個比荷為 C/kg的正電荷從坐標為(0,-1)的A點處由靜止釋放,電荷以一定的速度從坐標為(1,0)的C點第一次經(jīng)x軸進入?yún)^(qū)域一,經(jīng)過一段時間,從坐標原點O再次回到區(qū)域二.
(1)指出哪個區(qū)域存在電場、哪個區(qū)域存在磁場,以及電場和磁場的方向.
(2)求電場強度的大。
(3)求電荷第三次經(jīng)過x軸的位置.
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一物體在某一時刻以一定的初速度v0開始作勻變速直線運動,已知物體在第3s內(nèi)的位移是7.5m,在第6、第7兩秒內(nèi)的位移是8m,求物體運動的初速度v0及加速度a?
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一電流表的內(nèi)電阻Rg約在1~2kΩ,現(xiàn)要測量它的內(nèi)電阻,提供的器材有:
A.待測電流表(量程200μA) B.電阻箱R(0~9999Ω)
C.滑動變阻器R1(0~20Ω1A) D.滑動變阻器R2(O~lkΩ0.5A)
E.電源E(4V,內(nèi)阻不計) F.開關(guān)S
G.導線若干條
(1)請你在答題卡線框內(nèi)畫出測量電流表內(nèi)電阻的電路設計圖。
(2)電路中滑動變阻器應選用 (填選項前字母)
(3)電路接好并檢查無誤后,如何調(diào)節(jié)電阻箱和滑動變阻器,測電流表的內(nèi)電阻,要求寫出具體步驟,并寫明要記錄的物理量(用字母表示) 寫出計算這個內(nèi)電阻的表達式Rg= 。
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如圖所示的裝置由氣墊導軌、兩個光電門、滑塊和沙桶等組成。光電門可以測出滑塊分別通過兩個光電門的瞬時速度,導軌標尺可以測出兩個光電門間的距離,另用天平測出滑塊和沙桶的質(zhì)量分別為M和m。下面說法正確的是 (選填字母代號)
A.用該裝置可以測出滑塊的加速度
B.用該裝置驗證牛頓第二定律時,要保證拉力近似等于沙桶的重力,必須滿足M>>m
C.可以用該裝置驗證機械能守恒定律,但必須滿足M>>m
D.不能用該裝置驗證動能定理。
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在光滑絕緣水平面的P點正上方0點固定一電荷量為+Q的點電荷,在水平面上的N點,由靜止釋放質(zhì)量為m,電荷量為-q的檢驗電荷,該檢驗電荷經(jīng)過P點時速度為v,圖中θ=60°。則在+Q形成的電場中(規(guī)定P點的電勢為零)
A.N點電勢低于P點電勢
B.N點電勢為
C.P點電場強度大小是N點的2倍
D.檢驗電荷在N點具有的電勢能為
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如圖所示,一光滑平行金屬軌道平面與水平面成θ角,兩導軌上端用一電阻R相連,該裝置處于勻強磁場中,磁場方向垂直軌道平面向上。質(zhì)量為m的金屬桿ab,以初速度v0從軌道底端向上滑行,滑行到某一高度h后又返回到底端。若運動過程中,金屬桿保持與導軌垂直且接觸良好,并不計金屬桿ab的電阻及運動時所受空氣阻力,則
A.上滑過程的時間比下滑過程長
B.回到出發(fā)點的速度v的大小等于初速度v0的大小
C.上滑過程通過電阻R的電量比下滑過程多
D.上滑過程通過電阻R產(chǎn)生的熱量比下滑過程多
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