（8分）用螺旋測微器測量一小球的直徑，結(jié)果如下圖甲所示，小球的直徑是    mm。在一些用來測量角度的儀器上，有一個(gè)可轉(zhuǎn)動的圓盤，圓盤的邊緣標(biāo)有角度刻度。為了較準(zhǔn)確地測量出圓盤轉(zhuǎn)動的角度，在圓盤外側(cè)有一個(gè)固定不動的游標(biāo)，上面共有10個(gè)分度，游標(biāo)總角度為9度。下圖乙畫出游標(biāo)和圓盤的一部分。讀出此時(shí)圓盤的零刻度線相對于游標(biāo)零刻度線轉(zhuǎn)過的角度為     度。

（12分）圖示是某同學(xué)測量小燈泡功率的實(shí)驗(yàn)原理圖，變阻器全阻值為10Ω，A燈泡為“2.5V,1W”，B燈泡為“2.5V,1W”，電源電動勢為6V。連好電路后閉合開關(guān)S，發(fā)現(xiàn)A、B燈都不亮。該同學(xué)采用下列方法進(jìn)行檢測。①應(yīng)用多用表的直流電壓檔進(jìn)行檢測，那么選擇開關(guān)應(yīng)置于     檔（填序號）。

A．2.5V             B．10V    C．20V    D．50V

該同學(xué)測試的結(jié)果如表一所示,在測試a、b間直流電壓時(shí),紅表筆應(yīng)接觸    (填a或b)

表一：

②將開關(guān)S斷開，再選擇歐姆檔測試，測量結(jié)果如表二所示：

表二：

那么檢測出的故障是           （填序號）

A．燈A斷路    B．燈B斷路    C．滑動變阻器斷路    D．d、e間導(dǎo)線斷路

（14分）如圖所示，光滑水平面上物體A置于物體B上，2m_A=m_B，A受水平恒力F₁，B受水平恒力F₂，F(xiàn)₁與F₂方向相同，但F₁<F₂，物體A與物體B保持相對靜止，試求物體B受到物體A對它的摩擦力的大小和方向。

（18分）兩個(gè)氘核發(fā)生如下核反應(yīng)：，其中氘核的質(zhì)量為2.0136u，氦核的質(zhì)量為3.015u，中子質(zhì)量為1.0087u，（1u質(zhì)量對應(yīng)的能量為931.5Mev）（1）求核反應(yīng)中釋放的核能；（2）在以上兩氘核以相等的動能0.35Mev進(jìn)行對碰撞，并且核能全部轉(zhuǎn)化為機(jī)械能的情況下，求反應(yīng)中產(chǎn)生的中子和氦核的動能；（3）假設(shè)反應(yīng)中產(chǎn)生的氦核沿直線向原來靜止的碳核（）接近，受庫侖力的影響，當(dāng)它們距離最近時(shí)，兩個(gè)原子核的動能各是多少？

（20分）如圖所示，OACO為置于水平面內(nèi)的光滑閉合金屬導(dǎo)軌，O、C處分別接有短電阻絲（圖中用粗線表示），R₁=4Ω、R₂=8Ω（導(dǎo)軌其它部分電阻不計(jì)）。導(dǎo)軌OAC的形狀滿足 （單位：m）。磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.2T的勻強(qiáng)磁場方向垂直于導(dǎo)軌平面。一足夠長的金屬棒在水平外力F作用下，以恒定的速率v=5.0m/s水平向右在導(dǎo)軌上從O點(diǎn)滑動到C點(diǎn)，棒與導(dǎo)軌接觸良好且始終保持與OC導(dǎo)軌垂直，不計(jì)棒的電阻。求：（1）外力F的最大值；（2）金屬棒在導(dǎo)軌上運(yùn)動時(shí)電阻絲R₁上消耗的最大功率；（3）在滑動過程中通過金屬棒的電流I與時(shí)間t的關(guān)系。

關(guān)于電容器的電容C、電壓U和所帶電荷量Q之間的關(guān)系，以下說法正確的是：

A．C由U確定                         

B．C由Q確定   

C．C一定時(shí)，Q與U成正比             

D．C一定時(shí)，Q與U成反比

圖中的實(shí)線表示電場線，虛線表示只受電場力作用的帶電粒子的運(yùn)動軌跡，粒子先經(jīng)過M點(diǎn)，再經(jīng)過N點(diǎn)，可以判定…：

A．M點(diǎn)的電勢大于N點(diǎn)的電勢       

B．M點(diǎn)的電勢能小于N點(diǎn)的電勢能                                                                                        

C．粒子可能帶負(fù)電               

D．粒子在M點(diǎn)的動能小于在N點(diǎn)的動能 

帶電的粒子在某電場中僅受電場力作用，能分別完成以下兩種運(yùn)動：①在電場線上運(yùn)動，②在等勢面上做勻速圓周運(yùn)動。該電場可能由：

A．一個(gè)帶正電的點(diǎn)電荷形成     

B．一個(gè)帶負(fù)電的點(diǎn)電荷形成

C．兩個(gè)分立的帶等量負(fù)電的點(diǎn)電荷形成   

D．一帶負(fù)電的點(diǎn)電荷與帶正電的無限大平板形成

a、b、c、d是勻強(qiáng)電場中的四個(gè)點(diǎn)，它們正好是一個(gè)矩形的四個(gè)頂點(diǎn)。電場線與矩形所在平面平行。已知a點(diǎn)的電勢為20 V，b點(diǎn)的電勢為24 V，d點(diǎn)的電勢為4V，如圖由此可知c點(diǎn)的電勢為：

A.4 V             B.8V             C.12V              D.24V

如圖，在真空中一條豎直向下的電場線上有兩點(diǎn)a和b。一帶電質(zhì)點(diǎn)在a處由靜止釋放后沿電場線向上運(yùn)動，到達(dá)b點(diǎn)時(shí)速度恰好為零。則下面說法正確的是：

A．若是點(diǎn)電荷的電場a點(diǎn)離場源近      

B．質(zhì)點(diǎn)在b點(diǎn)所受到的加速度一定為零

C．帶電質(zhì)點(diǎn)在a點(diǎn)的電勢能大于在b點(diǎn)的電勢能  

D．a點(diǎn)的電勢高于b點(diǎn)的電勢