（2012年4月浙江紹興模擬）如圖所示，以直角三角形AOC 為邊界的有界勻強磁場區(qū)域，磁感應強度為B，∠A=60°，AO= a。在O 點放置一個粒子源，可以向各個方向發(fā)射某種帶負電粒子，粒子的比荷為q/m，發(fā)射速度大小都為v₀，且滿足v₀=，發(fā)射方向由圖中的角度θ表示。對于粒子進入磁場后的運動（不計重力作用），下列說法正確的是

       A．粒子有可能打到A 點

       B．以θ = 60°飛入的粒子運動時間最短

       C．以θ<30°飛入的粒子運動的時間都相等

       D．在AC 邊界上只有一半?yún)^(qū)域有粒子射出

    (2012年4月20日湖北武漢調(diào)研測試)  如圖所示,O點有一粒子源,在某時刻發(fā)射大量質(zhì)量為m、電荷量為q的帶正電的粒子，它們的速度大小相等,速度方向均在xOy平面內(nèi)。在直線x=a與x=2a之間存在垂直于xOy平面向外的磁感應強度為B的勻強磁場,與y軸正方向成60°角發(fā)射的粒子恰好垂直于磁場右邊界射出。不計粒子的重力和粒子間的相互作用力。關(guān)于這些子的運動，下列說法正確的,

A.粒子的速度大小為2aBq/m

B.  粒子的速度大小為aBq/m

C.  與y軸正方向成120°角射出的粒子在磁場中運動的時間最長

D.  與y軸正方向成90°角射出的粒子在磁場中運動的時間最長

（2012年5月福建廈門模擬）顯像管原理的示意圖如圖所示，當沒有磁場時，電子束將打在熒光屏正中的O點，安裝在管徑上的偏轉(zhuǎn)線圈可以產(chǎn)生磁場，使電子束發(fā)生偏轉(zhuǎn)。設(shè)垂直紙面向里的磁場方向為正方向，若使高速電子流打在熒光屏上的位置由a點逐漸移動到b點，下列變化的磁場能夠使電子發(fā)生上述偏轉(zhuǎn)的是

（河北省衡水中學2012屆高三上學期第四次調(diào)研）如圖所示，帶有正電荷的A粒子和B粒子同時從勻強磁場的邊界上的P點以等大的速度，以與邊界成30°和60°的交角射入磁場，又恰好不從另一邊界飛出，設(shè)邊界上方的磁場范圍足夠大，下列說法中正確的是（    ）

A. A、B兩粒子在磁場中做圓周運動的半徑之比為1/

B. A、B兩粒子在磁場中做圓周運動的半徑之比為3/（2+）

C. A、B兩粒子的m/q之比為1/    

D. A、B兩粒子的m/q之比為3/（2+）

（江蘇省揚州中學2012屆高三上學期12月質(zhì)量檢測）如圖所示，直角三角形ABC中存在一勻強磁場，比荷相同的兩個粒子沿AB方向自A點射入磁場，分別從AC邊上的P、Q兩點射出，則（    ）

A．從P射出的粒子速度大                    

B．從Q射出的粒子速度大

C．從P射出的粒子，在磁場中運動的時間長    

D．兩粒子在磁場中運動的時間一樣長

（北京市朝陽區(qū)2012屆高三上學期期末考試試題）正方形區(qū)域ABCD中有垂直于紙面向里的勻強磁場，一個粒子（不計重力）以一定速度從AB邊的中點M沿既垂直于AB邊又垂直于磁場的方向射入磁場，正好從AD邊的中點N射出。若將磁感應強度B變?yōu)樵瓉淼?倍，其他條件不變，則這個粒子射出磁場的位置是（    ）

A．A點                            B．ND之間的某一點   

C．CD之間的某一點    D．BC之間的某一點

（湖北省黃岡市黃州區(qū)一中2012屆高三月考）如圖所示，有一垂直于紙向外的有界勻強磁場，磁場的磁感應強度為B，其邊界為一邊長L的正三角形（邊界上有磁場），ABC為三角形的三個頂點。今有一質(zhì)量為m、電荷量為+q的粒子（不計重力），以速度從AB邊上的某點P既垂直于AB邊又垂直于磁場的方向射入，然后從BC邊上某點Q射出。

C．          D．

（2012北京西城期末）如圖所示，A、B、C是等邊三角形的三個頂點，O是A、B連線的中點。以O為坐標原點，A、B連線為x軸，O、C連線為y軸，建立坐標系。過A、B、C、O四個點各有一條長直導線垂直穿過紙面，導線中通有大小相等、方向向里的電流。則過O點的通電直導線所受安培力的方向為

A．沿y軸正方向           

B．沿y軸負方向

C．沿x軸正方向          

D．沿x軸負方向

（江西省重點中學協(xié)作體2012屆高三第二次聯(lián)考）如圖所示，一個半徑為R的導電圓環(huán)與一個軸向?qū)ΨQ的發(fā)散磁場處處正交，環(huán)上各點的磁感應強度B大小相等，方向均與環(huán)面軸線方向成θ角（環(huán)面軸線為豎直方向）。若導線環(huán)上載有如圖所示的恒定電流I，則下列說法正確的是（    ）

A．導電圓環(huán)有收縮的趨勢                        

B．導電圓環(huán)所受安培力方向豎直向上

C．導電圓環(huán)所受安培力的大小為2BIR                    

D．導電圓環(huán)所受安培力的大小為2πBIRsinθ

（2012年2月福建晉江四校第二次聯(lián)考）如圖所示，長為L的通電直導體棒放在光滑水平絕緣軌道上，勁度系數(shù)為k的水平輕彈簧一端固定，另一端拴在棒的中點，且與棒垂直，整個裝置處于方向豎直向上、磁感應強度為B的勻強磁場中，彈簧伸長x，棒處于靜止狀態(tài)．則 （   ）

A．導體棒中的電流方向從b流向a

B．導體棒中的電流大小為

C．若只將磁場方向緩慢順時針轉(zhuǎn)過一小角度，x變大

D．若只將磁場方向緩慢逆時針轉(zhuǎn)過一小角度，x變大