圖中虛線為勻強(qiáng)電場中與場強(qiáng)方向垂直的等間距平行直線，兩粒子M、N質(zhì)量相等，所帶電荷的絕對值也相等．現(xiàn)將M、N從虛線上的O點(diǎn)以相同速率射出，兩粒子在電場中運(yùn)動的軌跡分別如圖中兩條實(shí)線所示．點(diǎn)a、b、c為實(shí)線與虛線的交點(diǎn)，已知O點(diǎn)電勢高于c點(diǎn)．若不計重力，則下面說法正確的是(　　)

真空中的某裝置如圖所示，現(xiàn)有質(zhì)子、氘核和α粒子都從O點(diǎn)由靜止釋放，經(jīng)過相同加速電場和偏轉(zhuǎn)電場，射出后都打在同一個與OO′垂直的熒光屏上，使熒光屏上出現(xiàn)亮點(diǎn)(已知質(zhì)子、氘核和α粒子質(zhì)量之比為1∶2∶4，電荷量之比為1∶1∶2，重力不計)．下列說法中正確的是( 　　)

細(xì)胞膜也稱生物膜或質(zhì)膜．是由類脂、蛋白質(zhì)和糖類組成．質(zhì)膜中的類脂也稱膜脂，是質(zhì)膜的基本骨架，膜蛋白質(zhì)是膜功能的主要體現(xiàn)者．如果細(xì)胞膜的厚度約等于800 nm(1 nm＝10^{－9 m)}，當(dāng)膜的內(nèi)外層間的電壓達(dá)到0.4 V時，即可讓一價鈉離子滲透．設(shè)細(xì)胞膜內(nèi)的電場為勻強(qiáng)電場，則鈉離子在滲透時(　　)

如圖所示，讓平行板電容器帶電后,靜電計的指針偏轉(zhuǎn)一定角度，若不改變A、B兩極板帶的電量而減小兩極板間的距離，同時在兩極板間插入電介質(zhì)，那么靜電計指針的偏轉(zhuǎn)角度 (    )

A．一定減小     B．一定增大
C．一定不變     D．可能不變

如下圖所示的真空空間中，僅在正方體中的黑點(diǎn)處存在著電荷量大小相等的點(diǎn)電荷，則圖中a、b兩點(diǎn)電場強(qiáng)度和電勢均相同的是(　　)

如圖所示，a，b，c，d是某勻強(qiáng)電場中的四個點(diǎn)，它們正好是一個矩形的四個頂點(diǎn)，ab=cd=L，ad=bc=2L，電場線與矩形所在平面平行。已知a點(diǎn)電勢為20V，b點(diǎn)電勢為24V,d點(diǎn)電勢為12V。一個質(zhì)子從b點(diǎn)以v₀的速度射入電場，入射方向與bc成45°，一段時間后經(jīng)過C點(diǎn)。不計質(zhì)子的重力，下列判斷正確的是

A．c點(diǎn)的電勢高于a點(diǎn)電勢

B．電場強(qiáng)度方向由b指向d

C．質(zhì)子從b運(yùn)動到c所用的時間為

D．質(zhì)子從b運(yùn)動到c，電場力做功為4eV

某靜電場中的一條電場線與x軸重合，其電勢的變化規(guī)律如圖所示。在O點(diǎn)由靜止釋放一個負(fù)電荷，該負(fù)電荷僅受電場力的作用，則在區(qū)間內(nèi)（   ）

如圖所示，在勻強(qiáng)電場中有a、b、c、d四點(diǎn)，它們處于同一圓周上，且ac、bd分別是圓的直徑，已知a、b、c三點(diǎn)的電勢分別為φ_a＝9V，φ_b＝15V，φ_c＝18V，則d點(diǎn)的電勢為(    )

點(diǎn)電荷A、B是帶電量為Q的正電荷，C、D是帶電量為Q的負(fù)電荷，它們處在一個矩形的四個頂點(diǎn)上。它們產(chǎn)生靜電場的等勢面如圖中虛線所示，在電場中對稱地有一個正方形路徑abcd(與ABCD共面)，如圖中實(shí)線所示，O為正方形與矩形的中心，則（    ）

A．取無窮遠(yuǎn)處電勢為零，則O點(diǎn)電勢為零，場強(qiáng)為零
B．b、d兩點(diǎn)場強(qiáng)相等，b點(diǎn)比d點(diǎn)電勢高
C．將某一正試探電荷沿正方形路徑a→d→c移動，電場力先做正功，后做負(fù)功
D．將某一正試探電荷沿正方形路徑a→b→c移動，電場力先做正功，后做負(fù)功

如圖所示，O是一固定的點(diǎn)電荷，另一點(diǎn)電荷P從很遠(yuǎn)處以初速度v₀射入點(diǎn)電荷的電場，在電場力作用下的運(yùn)動軌跡是曲線MN，1、2、3是以O(shè)為中心，R₁、R₂、R₃為半徑畫出的三個圓，且R₃－R₂＝R₂－R₁，a、b、c、d為軌跡MN與三個圓的一些交點(diǎn)，以|W_ab|表示點(diǎn)電荷P由a到b的過程中電場力的功的大小，|W_cd|表示由c到d的過程中電場力做的功的大小，則(    )