科目: 來源: 題型:單選題
如圖所示,在一根一端封閉、內(nèi)壁光滑的直管MN內(nèi)有一個帶正電的小球,空間中充滿豎直向下的勻強(qiáng)磁場。開始時,直管水平放置,且小球位于管的封閉端M處。現(xiàn)使直管沿水平方向向右勻速運(yùn)動,經(jīng)一段時間后小球到達(dá)管的開口端N處。在小球從M到N的過程中
A.磁場對小球不做功 |
B.直管對小球做正功 |
C.小球所受磁場力的方向不變 |
D.小球的運(yùn)動軌跡是一直線 |
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科目: 來源: 題型:單選題
如圖所示,邊長為L的等邊三角形ABC為兩有界勻強(qiáng)磁場的理想邊界,三角形內(nèi)的磁場方向垂直紙面向外,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,三角形外的磁場(足夠大)方向垂直紙面向里,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小也為B.把粒子源放在頂點(diǎn)A處,它將沿∠A的角平分線發(fā)射質(zhì)量為m、電荷量為q、初速度為v0的帶電粒子(粒子重力不計(jì)).若從A射出的粒子:①帶負(fù)電,v0=,第一次到達(dá)C點(diǎn)所用時間為t1;②帶負(fù)電,v0=,第一次到達(dá)C點(diǎn)所用時間為t2;③帶正電,v0=,第一次到達(dá)C點(diǎn)所用時間為t3;④帶正電,v0=,第一次到達(dá)C點(diǎn)所用時間為t4.則( )
A.t1=T B.t2=T C.t3=T D.t4=T
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科目: 來源: 題型:單選題
如圖是某離子速度選擇器的原理示意圖,在一半徑為R 的絕緣圓柱形筒內(nèi)有磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,方向平行于軸線.在圓柱形筒上某一直徑兩端開有小孔M、N,現(xiàn)有一束速率不同、比荷均為k的正、負(fù)離子,從M孔以α角入射,一些具有特定速度的離子未與筒壁碰撞而直接從N孔射出(不考慮離子間的作用力和重力).則從N孔射出的離子( )
A.是正離子,速率為kBR/cos α |
B.是正離子,速率為kBR/sin α |
C.是負(fù)離子,速率為kBR/sin α |
D.是負(fù)離子,速率為kBR/cos α |
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科目: 來源: 題型:單選題
空間存在垂直于紙面方向的均勻磁場,其方向隨時間做周期性變化,磁感應(yīng)強(qiáng)度B隨時間t變化的圖象如圖所示.規(guī)定B>0時,磁場的方向穿出紙面.一電荷量q=5π×10-7 C、質(zhì)量m=5×10-10 kg的帶電粒子,位于某點(diǎn)O處,在t=0時以初速度v0=π m/s沿某方向開始運(yùn)動.不計(jì)重力的作用,不計(jì)磁場的變化可能產(chǎn)生的一切其他影響.則在磁場變化N個(N為整數(shù))周期的時間內(nèi)帶電粒子的平均速度的大小等于( )
A.π m/s | B.m/s | C.2m/s | D.2 m/s |
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科目: 來源: 題型:單選題
如圖所示,在豎直平面內(nèi)有兩根平行金屬導(dǎo)軌,上端與電阻R相連,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場垂直導(dǎo)軌平面.一質(zhì)量為m的金屬棒以初速度v0沿導(dǎo)軌豎直向上運(yùn)動,上升到某一高度后又返回到原處,整個過程金屬棒與導(dǎo)軌接觸良好,導(dǎo)軌與棒的電阻不計(jì).下列說法正確的是( )
A.回到出發(fā)點(diǎn)的速度v大于初速度v0 |
B.上升過程通過R的最大電流小于下落過程通過R的最大電流 |
C.上升過程電阻R上產(chǎn)生的熱量大于下落過程電阻R上產(chǎn)生的熱量 |
D.上升過程所用時間大于下落過程所用的時間 |
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科目: 來源: 題型:單選題
如圖所示,空間存在相互垂直的勻強(qiáng)電場和勻強(qiáng)磁場,電場的方向豎直向下,磁場方向水平(圖中垂直紙面向里),一帶電油滴P恰好處于靜止?fàn)顟B(tài),則下列說法正確的是( )
A.若僅撤去電場,P可能做勻加速直線運(yùn)動 |
B.若僅撤去磁場,P可能做勻加速直線運(yùn)動 |
C.若給P一初速度,P不可能做勻速直線運(yùn)動 |
D.若給P一初速度,P可能做勻速圓周運(yùn)動 |
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科目: 來源: 題型:單選題
兩根足夠長的光滑導(dǎo)軌豎直放置,間距為L,底端接阻值為R的電阻。將質(zhì)量為m的金屬棒懸掛在一個固定的輕彈簧下端,金屬棒和導(dǎo)軌接觸良好,導(dǎo)軌所在平面與磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場垂直,如圖所示。除電阻R外其余電阻不計(jì),F(xiàn)將金屬棒從彈簧原長位置由靜止釋放。則
A.釋放瞬間金屬棒的加速度小于重力加速度g |
B.金屬棒向下運(yùn)動時,流過電阻R的電流方向?yàn)閎→a |
C.金屬棒的速度為v時,所受的安培力大小為 |
D.電阻R上產(chǎn)生的總熱量等于金屬棒重力勢能的減少 |
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科目: 來源: 題型:單選題
圖為可測定比荷的某裝置的簡化示意圖,在第一象限區(qū)域內(nèi)有垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B=2.0×10-3T,在X軸上距坐標(biāo)原點(diǎn)L=0.50m的P處為離子的入射口,在Y軸上安放接收器,現(xiàn)將一帶正電荷的粒子以v=3.5×104m/s的速率從P處射入磁場,若粒子在y軸上距坐標(biāo)原點(diǎn)L=0.50m的M處被觀測到,且運(yùn)動軌跡半徑恰好最小,設(shè)帶電粒子的質(zhì)量為m,電量為q, 不計(jì)其重力。則上述粒子的比荷(C/kg) 是
A. | B.4.9× | C. | D. |
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科目: 來源: 題型:單選題
某單色光照射到一逸出功為W的光電材料表面,所產(chǎn)生的光電子在垂直于磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場中做圓周運(yùn)動的最大半徑為r,設(shè)電子的質(zhì)量為m,帶電量為e,普朗克常量為h,則該光波的頻率為( )
A. | B. | C.- | D.+ |
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科目: 來源: 題型:單選題
如圖是荷質(zhì)比相同的a、b兩粒子從O點(diǎn)垂直勻強(qiáng)磁場進(jìn)入正方形區(qū)域的運(yùn)動軌跡,則
A.a(chǎn)的質(zhì)量比b的質(zhì)量大 | B.a(chǎn)帶正電荷、b帶負(fù)電荷 |
C.a(chǎn)在磁場中的運(yùn)動速率比b的大 | D.a(chǎn)在磁場中的運(yùn)動時間比b的長 |
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