高純度單晶硅是典型的無機非金屬材料，是制備半導體的重要材料，它的發(fā)現(xiàn)和使用曾引起計算機的一場“革命”。高純硅通常用以下方法制備：用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含F(xiàn)e、Al、B、P等雜質），粗硅與氯氣反應生成四氯化硅（反應溫度為450～500℃），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置圖。

相關信息：a．四氯化硅遇水極易水解；b．硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接化合生成相應的氯化物；c．有關物質的物理常數(shù)見下表：

物質	SiCl4	BCl3	AlCl3	FeCl3	PCl5
沸點/℃	57.7	12.8	—	315	—
熔點/℃	－70.0	－107.2	—	—	—
升華溫度/℃	—	—	180	300	162

 

請回答下列問題：

（1）儀器e的名稱為               ，裝置A中f管的作用是                           ，其中發(fā)生反應的離子方程式為                                              。

（2）裝置B中的試劑是                      。

（3）某學習小組設計了以下兩種實驗方案：方案甲：g接裝置Ⅰ；方案乙：g接裝置Ⅱ。但是甲乙兩個方案中虛線內裝置均有不足之處，請你評價后填寫下表。

方案	不足之處
甲
乙

 

（4）在上述（3）的評價基礎上，請設計一個合理方案：                                   。

（5）通過上述合理的裝置制取并收集到的粗產物可通過精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質元素是            （填寫元素符號）。

 

高純度單晶硅是典型的無機非金屬材料，是制備半導體的重要材料，它的發(fā)現(xiàn)和使用曾引起計算機的一場“革命”。高純硅通常用以下方法制備：用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含F(xiàn)e、Al、B、P等雜質），粗硅與氯氣反應生成四氯化硅（反應溫度為450～500℃），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置圖。

相關信息：a．四氯化硅遇水極易水解；b．硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接化合生成相應的氯化物；c．有關物質的物理常數(shù)見下表：

物質	SiCl4	BCl3	AlCl3	FeCl3	PCl5
沸點/℃	57.7	12.8	—	315	—
熔點/℃	－70.0	－107.2	—	—	—
升華溫度/℃	—	—	180	300	162

 

請回答下列問題：

（1）儀器e的名稱為____________，裝置A中f管的作用是_______________________________________，其中發(fā)生反應的離子方程式為_____        ____________________________________     _______。

（2）裝置B中的試劑是____________。

（3）某學習小組設計了以下兩種實驗方案：方案甲：g接裝置Ⅰ；方案乙：g接裝置Ⅱ。但是甲乙兩個方案中虛線內裝置均有不足之處，請你評價后填寫下表。

方案	不足之處
甲
乙

 

（4）在上述（3）的評價基礎上，請設計一個合理方案：___________     ________                  。

（5）通過上述合理的裝置制取并收集到的粗產物可通過精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質元素是    （填寫元素符號）。

 

高純度單晶硅是典型的無機非金屬材料，是制備半導體的重要材料，它的發(fā)現(xiàn)和使用曾引起計算機的一場“革命”。高純硅通常用以下方法制備：用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含F(xiàn)e、Al、B、P等雜質），粗硅與氯氣反應生成四氯化硅（反應溫度為450～500℃），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置圖。

相關信息：a．四氯化硅遇水極易水解；b．硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接化合生成相應的氯化物；c．有關物質的物理常數(shù)見下表：

物質	SiCl4	BCl3	AlCl3	FeCl3	PCl5
沸點/℃	57.7	12.8	—	315	—
熔點/℃	－70.0	－107.2	—	—	—
升華溫度/℃	—	—	180	300	162

 
請回答下列問題：
（1）儀器e的名稱為____________，裝置A中f管的作用是_______________________________________，其中發(fā)生反應的離子方程式為_____        ____________________________________    _______。
（2）裝置B中的試劑是____________。
（3）某學習小組設計了以下兩種實驗方案：方案甲：g接裝置Ⅰ；方案乙：g接裝置Ⅱ。但是甲乙兩個方案中虛線內裝置均有不足之處，請你評價后填寫下表。

方案	不足之處
甲
乙

 
（4）在上述（3）的評價基礎上，請設計一個合理方案：___________    ________                 。
（5）通過上述合理的裝置制取并收集到的粗產物可通過精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質元素是   （填寫元素符號）。