(1)N≡N 第三周期ⅥA族 (2)分子晶體 X 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

X、Y、Z、W是元素周期表中前四周期的常見(jiàn)元素,其相關(guān)信息如下表;
元素相關(guān)信息
XX的基態(tài)原子核外3個(gè)能級(jí)上有電子,且每個(gè)能級(jí)上的電子數(shù)相等
Y原子最外層電子數(shù)是次外層的三倍
Z單質(zhì)及其化合物的焰色反應(yīng)為黃色
WW元素基態(tài)原子的M層全充滿(mǎn),N層只有一個(gè)電子
(1)X位于元素周期表第______族.X的一種單質(zhì)熔點(diǎn)很高,硬度很大,則這種單質(zhì)的晶體屬于______晶體.
(2)X與Y中電負(fù)性較強(qiáng)的是(填元素符號(hào))______;XY2的電子式是______,分子中存在______個(gè)σ鍵.
(3)Z2Y2中含有的化學(xué)鍵類(lèi)型有______.陰、陽(yáng)離子的個(gè)數(shù)比為_(kāi)_____.
(4)W的基態(tài)原子核外電子排布式是______.
(5)廢舊印刷電路板上有W的單質(zhì)A.用H2O2和H2SO4的混合溶液可溶出印刷電路板上的A.已知:
A(s)+H2SO4(aq)═ASO4(aq)+H2(g)△H=+64.4kJ?mol-1
2H2O2(l)═2H2O(l)+O2(g)△H=-196.4kJ?mol-1
H2(g)+O2(g)═H2O(l)△H=-285.8kJ?mol-1
請(qǐng)寫(xiě)出A與H2SO4、H2O2反應(yīng)生成ASO4(aq)和H2O(l)的熱化學(xué)方程式(A用化學(xué)式表示):______.

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(14分)X、Y、Z、W是元素周期表中前四周期的常見(jiàn)元素,其相關(guān)信息如下表;

元素

相關(guān)信息

X

X的基態(tài)原子核外3個(gè)能級(jí)上有電子,且每個(gè)能級(jí)上的電子數(shù)相等

Y

原子最外層電子數(shù)是次外層的三倍

Z

單質(zhì)及其化合物的焰色反應(yīng)為黃色

W

W元素基態(tài)原子的M層全充滿(mǎn),N層只有一個(gè)電子

⑴ X位于元素周期表第        族。X的一種單質(zhì)熔點(diǎn)很高,硬度很大,則這種單質(zhì)的晶體屬于          晶體。

⑵ X與Y中電負(fù)性較強(qiáng)的是(填元素符號(hào))      ;XY2的電子式是            ,分子中存在        個(gè)σ鍵。

⑶Z2Y2中含有的化學(xué)鍵類(lèi)型有                      。陰、陽(yáng)離子的個(gè)數(shù)比為       。

⑷W的基態(tài)原子核外電子排布式是                    。

⑸廢舊印刷電路板上有W的單質(zhì)A。用H2O2和H2SO4的混合溶液可溶出印刷電路板上的A。已知:

A(s)+H2SO4(aq) == ASO4(aq) + H2(g)    ΔH=+64.4kJ·mol-1

2H2O2(l) == 2H2O(l)+ O2(g)            ΔH= -196.4kJ·mol-1

H2(g)+O2(g) == H2O(l)              ΔH= -285.8kJ·mol-1

請(qǐng)寫(xiě)出A與H2SO4、H2O2反應(yīng)生成ASO4(aq)和H2O(l)的熱化學(xué)方程式(A用化學(xué)式表示):

                                                         

 

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(14分)X、Y、Z、W是元素周期表中前四周期的常見(jiàn)元素,其相關(guān)信息如下表;

元素

相關(guān)信息

X

X的基態(tài)原子核外3個(gè)能級(jí)上有電子,且每個(gè)能級(jí)上的電子數(shù)相等

Y

原子最外層電子數(shù)是次外層的三倍

Z

單質(zhì)及其化合物的焰色反應(yīng)為黃色

W

W元素基態(tài)原子的M層全充滿(mǎn),N層只有一個(gè)電子

⑴ X位于元素周期表第        族。X的一種單質(zhì)熔點(diǎn)很高,硬度很大,則這種單質(zhì)的晶體屬于           晶體。

⑵ X與Y中電負(fù)性較強(qiáng)的是(填元素符號(hào))       ;XY2的電子式是            ,分子中存在        個(gè)σ鍵。

⑶Z2Y2中含有的化學(xué)鍵類(lèi)型有                      。陰、陽(yáng)離子的個(gè)數(shù)比為       。

⑷W的基態(tài)原子核外電子排布式是                     。

⑸廢舊印刷電路板上有W的單質(zhì)A。用H2O2和H2SO4的混合溶液可溶出印刷電路板上的A。已知:

A(s)+H2SO4 (aq) == ASO4(aq) + H2(g)    ΔH=+64.4kJ·mol-1

2H2O2(l) == 2H2O(l) + O2(g)            ΔH= -196.4kJ·mol-1

H2(g)+O2(g) == H2O(l)              ΔH= -285.8kJ·mol-1

請(qǐng)寫(xiě)出A與H2SO4、H2O2反應(yīng)生成ASO4(aq)和H2O(l)的熱化學(xué)方程式(A用化學(xué)式表示):

                                                          。

 

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已知A、B、C、D、E、F為周期表前四周期原子序數(shù)依次增大的六種元素。其中A是元素周期表中原子半徑最小的元素,B原子最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的2倍。D、E為同主族元素,且E的原子序數(shù)為D的2倍。F元素在地殼中含量位于金屬元素的第二位。試回答下列問(wèn)題:
(1)F元素價(jià)層電子排布式為 ____________________。
(2)關(guān)于B2A2的下列說(shuō)法中正確的是 ________________。
A.B2A2中的所有原子都滿(mǎn)足8電子結(jié)構(gòu)         
B.每個(gè)B2A2分子中σ鍵和π鍵數(shù)目比為1:1
C.B2A2是由極性鍵和非極性鍵形成的非極性分子    
D.B2A2分子中的B-A鍵屬于s—pσ鍵
(3)B和D形成的一種三原子分子與C和D形成的一種化合物互為等電子體,則滿(mǎn)足上述條件的B和D形成的化合物的空間構(gòu)型是 ________________。
(4)C元素原子的第一電離能比B、D兩元素原子的第一電離能高的主要原因____________
(5)A與D可以形成原子個(gè)數(shù)比分別為2:1,1:1的兩種化合物X和Y,其中 Y含有_____________鍵(填“極性鍵”“非極性鍵”),A與C組成的兩種化合物M和N所含的電子數(shù)分別與X、Y相 等,則M的電子式為_(kāi)____________ ,N的結(jié)構(gòu)式為_(kāi)_____________。
(6)E的氫化物的價(jià)層電子對(duì)互斥理論模型為 _______,E 原子的雜化方式為 _________雜化。
(7)F單質(zhì)的晶體在不同溫度下有兩種堆積方式,晶胞分別如右圖所示。面心立方晶胞和體心立方晶胞的棱邊長(zhǎng)分別為acm、bcm,則F單質(zhì)的面心立方晶胞和體心立方晶胞的密度之比為_(kāi)___________,F(xiàn)原子配位數(shù)之比為_(kāi)____________。

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已知A、B、C、D、E、F為周期表前四周期原子序數(shù)依次增大的六種元素.其中A是元素周期表中原子半徑最小的元素,B原子最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的2倍.D、E為同主族元素,且E的原子序數(shù)為D的2倍.F元素在地殼中含量位于金屬元素的第二位.試回答下列問(wèn)題:

(1)F元素價(jià)層電子排布式為_(kāi)_______.

(2)關(guān)于B2A2的下列說(shuō)法中正確的是________.

A.B2A2中的所有原子都滿(mǎn)足8電子結(jié)構(gòu)

B.每個(gè)B2A2分子中σ鍵和π鍵數(shù)目比為1∶1

C.B2A2是由極性鍵和非極性鍵形成的非極性分子

D.B2A2分子中的B-A鍵屬于s-spσ鍵

(3)B和D形成的一種三原子分子與C和D形成的一種化合物互為等電子體,則滿(mǎn)足上述條件的B和D形成的化合物的空間構(gòu)型是________.

(4)C元素原子的第一電離能比B、D兩元素原子的第一電離能高的主要原因________.

(5)A與D可以形成原子個(gè)數(shù)比分別為2∶1,1∶1的兩種化合物X和Y,其中Y含有________鍵(填“極性鍵”“非極性鍵”),A與C組成的兩種化合物M和N所含的電子數(shù)分別與X、Y相等,則M的電子式為_(kāi)_______,N的結(jié)構(gòu)式為_(kāi)_______.

(6)E的氫化物的價(jià)層電子對(duì)互斥理論模型為_(kāi)_______,E原子的雜化方式為_(kāi)_______雜化.

(7)F單質(zhì)的晶體在不同溫度下有兩種堆積方式,晶胞分別如下圖所示.面心立方晶胞和體心立方晶胞的棱邊長(zhǎng)分別為acm、bcm,則F單質(zhì)的面心立方晶胞和體心立方晶胞的密度之比為_(kāi)_______,F(xiàn)原子配位數(shù)之比為_(kāi)_______.

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