題目列表(包括答案和解析)
元素 | 相關(guān)信息 |
X | X的基態(tài)原子核外3個(gè)能級(jí)上有電子,且每個(gè)能級(jí)上的電子數(shù)相等 |
Y | 原子最外層電子數(shù)是次外層的三倍 |
Z | 單質(zhì)及其化合物的焰色反應(yīng)為黃色 |
W | W元素基態(tài)原子的M層全充滿(mǎn),N層只有一個(gè)電子 |
(14分)X、Y、Z、W是元素周期表中前四周期的常見(jiàn)元素,其相關(guān)信息如下表;
元素 | 相關(guān)信息 |
X | X的基態(tài)原子核外3個(gè)能級(jí)上有電子,且每個(gè)能級(jí)上的電子數(shù)相等 |
Y | 原子最外層電子數(shù)是次外層的三倍 |
Z | 單質(zhì)及其化合物的焰色反應(yīng)為黃色 |
W | W元素基態(tài)原子的M層全充滿(mǎn),N層只有一個(gè)電子 |
⑴ X位于元素周期表第 族。X的一種單質(zhì)熔點(diǎn)很高,硬度很大,則這種單質(zhì)的晶體屬于 晶體。
⑵ X與Y中電負(fù)性較強(qiáng)的是(填元素符號(hào)) ;XY2的電子式是 ,分子中存在 個(gè)σ鍵。
⑶Z2Y2中含有的化學(xué)鍵類(lèi)型有 。陰、陽(yáng)離子的個(gè)數(shù)比為 。
⑷W的基態(tài)原子核外電子排布式是 。
⑸廢舊印刷電路板上有W的單質(zhì)A。用H2O2和H2SO4的混合溶液可溶出印刷電路板上的A。已知:
A(s)+H2SO4(aq) == ASO4(aq) + H2(g) ΔH=+64.4kJ·mol-1
2H2O2(l) == 2H2O(l)+ O2(g) ΔH= -196.4kJ·mol-1
H2(g)+O2(g) == H2O(l) ΔH= -285.8kJ·mol-1
請(qǐng)寫(xiě)出A與H2SO4、H2O2反應(yīng)生成ASO4(aq)和H2O(l)的熱化學(xué)方程式(A用化學(xué)式表示):
。
(14分)X、Y、Z、W是元素周期表中前四周期的常見(jiàn)元素,其相關(guān)信息如下表;
元素 |
相關(guān)信息 |
X |
X的基態(tài)原子核外3個(gè)能級(jí)上有電子,且每個(gè)能級(jí)上的電子數(shù)相等 |
Y |
原子最外層電子數(shù)是次外層的三倍 |
Z |
單質(zhì)及其化合物的焰色反應(yīng)為黃色 |
W |
W元素基態(tài)原子的M層全充滿(mǎn),N層只有一個(gè)電子 |
⑴ X位于元素周期表第 族。X的一種單質(zhì)熔點(diǎn)很高,硬度很大,則這種單質(zhì)的晶體屬于 晶體。
⑵ X與Y中電負(fù)性較強(qiáng)的是(填元素符號(hào)) ;XY2的電子式是 ,分子中存在 個(gè)σ鍵。
⑶Z2Y2中含有的化學(xué)鍵類(lèi)型有 。陰、陽(yáng)離子的個(gè)數(shù)比為 。
⑷W的基態(tài)原子核外電子排布式是 。
⑸廢舊印刷電路板上有W的單質(zhì)A。用H2O2和H2SO4的混合溶液可溶出印刷電路板上的A。已知:
A(s)+H2SO4 (aq) == ASO4(aq) + H2(g) ΔH=+64.4kJ·mol-1
2H2O2(l) == 2H2O(l) + O2(g) ΔH= -196.4kJ·mol-1
H2(g)+O2(g) == H2O(l) ΔH= -285.8kJ·mol-1
請(qǐng)寫(xiě)出A與H2SO4、H2O2反應(yīng)生成ASO4(aq)和H2O(l)的熱化學(xué)方程式(A用化學(xué)式表示):
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已知A、B、C、D、E、F為周期表前四周期原子序數(shù)依次增大的六種元素.其中A是元素周期表中原子半徑最小的元素,B原子最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的2倍.D、E為同主族元素,且E的原子序數(shù)為D的2倍.F元素在地殼中含量位于金屬元素的第二位.試回答下列問(wèn)題:
(1)F元素價(jià)層電子排布式為_(kāi)_______.
(2)關(guān)于B2A2的下列說(shuō)法中正確的是________.
A.B2A2中的所有原子都滿(mǎn)足8電子結(jié)構(gòu)
B.每個(gè)B2A2分子中σ鍵和π鍵數(shù)目比為1∶1
C.B2A2是由極性鍵和非極性鍵形成的非極性分子
D.B2A2分子中的B-A鍵屬于s-spσ鍵
(3)B和D形成的一種三原子分子與C和D形成的一種化合物互為等電子體,則滿(mǎn)足上述條件的B和D形成的化合物的空間構(gòu)型是________.
(4)C元素原子的第一電離能比B、D兩元素原子的第一電離能高的主要原因________.
(5)A與D可以形成原子個(gè)數(shù)比分別為2∶1,1∶1的兩種化合物X和Y,其中Y含有________鍵(填“極性鍵”“非極性鍵”),A與C組成的兩種化合物M和N所含的電子數(shù)分別與X、Y相等,則M的電子式為_(kāi)_______,N的結(jié)構(gòu)式為_(kāi)_______.
(6)E的氫化物的價(jià)層電子對(duì)互斥理論模型為_(kāi)_______,E原子的雜化方式為_(kāi)_______雜化.
(7)F單質(zhì)的晶體在不同溫度下有兩種堆積方式,晶胞分別如下圖所示.面心立方晶胞和體心立方晶胞的棱邊長(zhǎng)分別為acm、bcm,則F單質(zhì)的面心立方晶胞和體心立方晶胞的密度之比為_(kāi)_______,F(xiàn)原子配位數(shù)之比為_(kāi)_______.
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