高純硅常用于電子工業(yè).制備純硅反應(yīng)的熱化學(xué)方程式如下: SiCl4(g)+2H2(g)Si,△H= +QkJ/mol 某溫度.壓強(qiáng)下.只將一定量反應(yīng)物通入2L的密閉容器進(jìn)行以上反應(yīng).下列敘述不正確的是 A.尋找性質(zhì)優(yōu)良的催化劑.適當(dāng)降低反應(yīng)所吸收的能量 B.若反應(yīng)開始投入H2為1mol.則達(dá)平衡時(shí).吸收熱量為0.5QkJ C.反應(yīng)至4min時(shí).若HCl為0.24mol.則H2的反應(yīng)速率為0.015mol/(Lmin) D.當(dāng)反應(yīng)吸熱0.5QkJ時(shí).生成的HCl通入1 L 2mol/L的NaOH溶液恰好反應(yīng) 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

“材料”的發(fā)現(xiàn)和使用往往會(huì)極大地推動(dòng)生產(chǎn)、生活的發(fā)展，一些材料的出現(xiàn)甚至具有里程碑式劃時(shí)代的意義．請(qǐng)你回答以下問(wèn)題：
（1）無(wú)機(jī)非金屬材料．高純度單晶硅是典型的無(wú)機(jī)非金屬材料，又稱“半導(dǎo)體”材料，它的發(fā)現(xiàn)和使用曾引起計(jì)算機(jī)的一場(chǎng)“革命”．這種材料可以按下列方法制備：
SiO2
①C
高溫
Si（粗）
②HCl
℃300
SiHCl3
③過(guò)量H2
1000℃～1100℃
Si（純）
寫出步驟①的化學(xué)方程式
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑
．
（2）磁性材料．這種材料一般含有鐵元素，鐵以化學(xué)性質(zhì)活潑用途廣泛而著稱．其中在工業(yè)上常用于印刷電路板工業(yè)，請(qǐng)寫出反應(yīng)的離子方程式
Cu+2Fe3+=Cu2++2Fe2+
Cu+2Fe3+=Cu2++2Fe2+

（3）激光材料．我國(guó)是激光技術(shù)先進(jìn)的國(guó)家，紅寶石（Al2O3）是最早用于產(chǎn)生激光的材料，它是一種兩性氧化物，請(qǐng)用離子方程式加以說(shuō)明：
Al2O3+6H+═2Al3++3H2O、Al2O3+2OH-=2AlO2-+H2O
Al2O3+6H+═2Al3++3H2O、Al2O3+2OH-=2AlO2-+H2O
；
（4）納米材料．膠體是一種物質(zhì)以“納米”顆粒的形式分散到另一種物質(zhì)里形成的分散系，區(qū)分膠體和溶液最經(jīng)典的方法是
丁達(dá)爾現(xiàn)象
丁達(dá)爾現(xiàn)象

（5）高分子材料．可以分成無(wú)機(jī)高分子材料和有機(jī)高分子材料．已知乙醇是有機(jī)高分子材料合成過(guò)程中的重要物質(zhì)，請(qǐng)寫出工業(yè)上以乙烯為原料制乙醇的化學(xué)方程式
CH2=CH2+H20
催化劑
加熱
CH3CH2OH
CH2=CH2+H20
催化劑
加熱
CH3CH2OH
．

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工業(yè)上電解飽和食鹽水能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅。

(1) 右圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是     ； NaOH溶液的出口為______ (填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為_____ (填字母）；干燥塔中使用的液體干燥劑是____（每空2分）。

(2) 原料粗鹽中常含有泥沙和Ca2+、Mg2+、Fe3+、SO42-等雜質(zhì)，必須精制后才能供電解使用。精制時(shí)，粗鹽溶于水過(guò)濾后，還要加人的試劑分別為①Na2CO3、②HCl(鹽酸）、③BaCl2,這3種試劑添加的合理順序是     （2分)(填序號(hào))。

(3) 多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用受到廣泛關(guān)注SiCl4可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為                          。也可轉(zhuǎn)化為而循環(huán)使用。一定條件下，在200C恒容密閉容器中發(fā)生反應(yīng): ，達(dá)平衡后，H2與SiHCL3物質(zhì)的量濃度分別為0. 140mol/L和0. 020mol/L，若H2全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的物質(zhì)的量為_______ mol。

(4)已知1 g陰極產(chǎn)生的氣體在陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體中完全燃燒時(shí)放出92. 3 kj的熱量，則該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為:                                    。

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工業(yè)上電解飽和食鹽水能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅。

(1) 右圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是     ； NaOH溶液的出口為______ (填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為_____ (填字母）；干燥塔中使用的液體干燥劑是____（每空2分）。

(2) 原料粗鹽中常含有泥沙和Ca2+、Mg2+、Fe3+、SO42-等雜質(zhì)，必須精制后才能供電解使用。精制時(shí)，粗鹽溶于水過(guò)濾后，還要加人的試劑分別為①Na2CO3、②HCl(鹽酸）、③BaCl2,這3種試劑添加的合理順序是     （2分)(填序號(hào))。

(3) 多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用受到廣泛關(guān)注SiCl4可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為                          (2分)。也可轉(zhuǎn)化為而循環(huán)使用。一定條件下，在200C恒容密閉容器中發(fā)生反應(yīng): ，達(dá)平衡后，H2與SiHCL3物質(zhì)的量濃度分別為0. 140mol/L和0. 020mol/L，若H2全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的物質(zhì)的量為_______ (2分)mol。

(4)已知1 g陰極產(chǎn)生的氣體在陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體中完全燃燒時(shí)放出92. 3 kj的熱量，則該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為:                                    (2分)。

 

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工業(yè)上電解飽和食鹽水能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅。
(1) 右圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是    ；NaOH溶液的出口為______(填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為_____(填字母）；干燥塔中使用的液體干燥劑是____（每空2分）。

(2) 原料粗鹽中常含有泥沙和Ca2+、Mg2+、Fe3+、SO42-等雜質(zhì)，必須精制后才能供電解使用。精制時(shí)，粗鹽溶于水過(guò)濾后，還要加人的試劑分別為①Na2CO3、②HCl(鹽酸）、③BaCl2,這3種試劑添加的合理順序是    （2分)(填序號(hào))。
(3) 多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用受到廣泛關(guān)注SiCl4可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為                         (2分)。也可轉(zhuǎn)化為而循環(huán)使用。一定條件下，在200C恒容密閉容器中發(fā)生反應(yīng):，達(dá)平衡后，H2與SiHCL3物質(zhì)的量濃度分別為0. 140mol/L和0. 020mol/L，若H2全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的物質(zhì)的量為_______ (2分)mol。
(4)已知1 g陰極產(chǎn)生的氣體在陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體中完全燃燒時(shí)放出92. 3 kj的熱量，則該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為:                                    (2分)。

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工業(yè)上電解飽和食鹽水能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅。

(1) 右圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是     ； NaOH溶液的出口為______ (填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為_____ (填字母）；干燥塔中使用的液體干燥劑是____（每空2分）。

(2) 原料粗鹽中常含有泥沙和Ca2+、Mg2+、Fe3+、SO42-等雜質(zhì)，必須精制后才能供電解使用。精制時(shí)，粗鹽溶于水過(guò)濾后，還要加人的試劑分別為①Na2CO3、②HCl(鹽酸）、③BaCl2,這3種試劑添加的合理順序是     （2分)(填序號(hào))。

(3) 多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用受到廣泛關(guān)注SiCl4可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為                          (2分)。也可轉(zhuǎn)化為而循環(huán)使用。一定條件下，在200C恒容密閉容器中發(fā)生反應(yīng): ，達(dá)平衡后，H2與SiHCL3物質(zhì)的量濃度分別為0. 140mol/L和0. 020mol/L，若H2全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的物質(zhì)的量為_______ (2分)mol。

(4)已知1 g陰極產(chǎn)生的氣體在陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體中完全燃燒時(shí)放出92. 3 kj的熱量，則該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為:                                    (2分)。

 

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