(1)工業(yè)高爐煉鐵采用焦炭、鐵礦石等于高爐中共熱，并鼓入適量空氣，讓高溫下產(chǎn)生的CO氣體還原鐵礦石制得鐵。這種方法不可避免地混入了非金屬單質(zhì)——碳。純鐵的抗腐蝕能力相當強，而鐵碳合金卻易發(fā)生電化腐蝕。

①寫出鋼鐵發(fā)生吸氧腐蝕時的正極反應____________________________________。

②為保護鋼鐵制品不被腐蝕，可采用的電化學防護方法是(答出一種電化學防護方法的名稱)____________________________________。

(2)焊接無縫鋼軌時常采用鋁熱反應制備鐵，中學教材中也有Al和Fe₂O₃的鋁熱反應實驗。

①有人推測，鋁熱反應實驗中所得熔融物中可能混有Al。若用一個簡單實驗證明含Al，則應選用的試劑是____________，能證明含鋁的現(xiàn)象是__________________________。

②若經(jīng)實驗證實熔融物含鋁，欲將該熔融物完全溶解，下列試劑中最適宜的是____________(填序號)。

A.濃硫酸                                            B.稀硫酸

C.稀HNO₃                                          D.NaOH溶液

③實驗研究發(fā)現(xiàn)，硝酸發(fā)生氧化還原反應時，硝酸的濃度越稀，對應還原產(chǎn)物中氮元素的化合價越低，直到還原成銨根離子()。某同學取一定量熔融物與一定量很稀的硝酸充分反應，反應過程中無氣體放出。在反應結束后的溶液中逐滴加入4 mol·L^-1的NaOH溶液，所加NaOH溶液的體積(mL) 與產(chǎn)生沉淀的物質(zhì)的量(mol)的關系如圖所示：

試回答下列問題：

Ⅰ.圖中DE段沉淀的物質(zhì)的量沒有變化，此段發(fā)生反應的離子方程式為_________________。

Ⅱ.通過圖象判斷溶液中的離子結合OH^-能力最強的是________________，最弱的是________________。

Ⅲ.EF段反應的離子方程式是________________，A與B 的差值是________________mol。

高純度單晶硅是典型的無機非金屬材料，是制備半導體的重要材料，它的發(fā)現(xiàn)和使用曾引起計算機的一場“革命”。高純硅通常用以下方法制備：用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含F(xiàn)e、Al、B、P等雜質(zhì)），粗硅與氯氣反應生成四氯化硅（反應溫度為450～500℃），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置圖。

相關信息：a．四氯化硅遇水極易水解；b．硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接化合生成相應的氯化物；c．有關物質(zhì)的物理常數(shù)見下表：

請回答下列問題：

（1）儀器e的名稱為               ，裝置A中f管的作用是                           ，其中發(fā)生反應的離子方程式為                                              。

（2）裝置B中的試劑是                      。

（3）某學習小組設計了以下兩種實驗方案：方案甲：g接裝置Ⅰ；方案乙：g接裝置Ⅱ。但是甲乙兩個方案中虛線內(nèi)裝置均有不足之處，請你評價后填寫下表。

（4）在上述（3）的評價基礎上，請設計一個合理方案：                                   。

（5）通過上述合理的裝置制取并收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是            （填寫元素符號）。

高純度單晶硅是典型的無機非金屬材料，是制備半導體的重要材料，它的發(fā)現(xiàn)和使用曾引起計算機的一場“革命”。高純硅通常用以下方法制備：用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含F(xiàn)e、Al、B、P等雜質(zhì)），粗硅與氯氣反應生成四氯化硅（反應溫度為450～500℃），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置圖。

相關信息：a．四氯化硅遇水極易水解；b．硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接化合生成相應的氯化物；c．有關物質(zhì)的物理常數(shù)見下表：

請回答下列問題：

（1）儀器e的名稱為____________，裝置A中f管的作用是_______________________________________，其中發(fā)生反應的離子方程式為_____        ____________________________________     _______。

（2）裝置B中的試劑是____________。

（3）某學習小組設計了以下兩種實驗方案：方案甲：g接裝置Ⅰ；方案乙：g接裝置Ⅱ。但是甲乙兩個方案中虛線內(nèi)裝置均有不足之處，請你評價后填寫下表。

（4）在上述（3）的評價基礎上，請設計一個合理方案：___________     ________                  。

（5）通過上述合理的裝置制取并收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是    （填寫元素符號）。

高純度單晶硅是典型的無機非金屬材料，是制備半導體的重要材料，它的發(fā)現(xiàn)和使用曾引起計算機的一場“革命”。高純硅通常用以下方法制備：用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含F(xiàn)e、Al、B、P等雜質(zhì)），粗硅與氯氣反應生成四氯化硅（反應溫度為450～500℃），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置圖。

相關信息：a．四氯化硅遇水極易水解；b．硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接化合生成相應的氯化物；c．有關物質(zhì)的物理常數(shù)見下表：