右圖是元素周期表的一部分，各元素在周期表中的位置如下，據(jù)此回答下列問(wèn)題：

a
			e	g	i	j
b	c	d	f	h		k	l

（1）下列各組元素中最容易形成離子鍵的是，最容易形成共價(jià)鍵的是
A、c和h     B、b和k    C、e和j      D、e和i
（2）下列由a～k形成的各分子中，所有原子都滿(mǎn)足最外層電子數(shù)8電子結(jié)構(gòu)的是
A、ga₃     B、ak   C、hk₃   D、ek₄
（3）請(qǐng)用化學(xué)方程式解釋下列現(xiàn)象
①玻璃容器不能盛放j的氫化物的水溶液：
②b的氧化物對(duì)應(yīng)的水化物溶液不能貯存在d制品中：．

右圖是用0.1mol?L^-1 CH₃COOH溶液滴定20mL 0.1mol?L^-1NaOH溶液的滴定曲線．該溶液中有關(guān)粒子濃度的關(guān)系式不正確的是（　　）

SnCl₄的制備需分兩步進(jìn)行，第一步是金屬Sn的制備，第二步由Sn和Cl₂反應(yīng)生成SnCl₄．
第一步：金屬Sn的制備--以錫石SnO₂為原料，用足量的焦炭作還原劑，在高溫下可制得粗錫，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為：，粗錫經(jīng)電解精煉可得純錫，精煉時(shí)的陰極反應(yīng)式為．
第二步：SnCl₄的制備--用干燥、純凈的Cl₂與熔融的Sn反應(yīng)制SnCl₄，同時(shí)放出大量的熱．已知SnCl₄常溫下是無(wú)色液體，沸點(diǎn)114℃，遇潮濕空氣便發(fā)生水解反應(yīng)，Sn的熔點(diǎn)：231℃，右圖是制取SnCl₄的實(shí)驗(yàn)裝置．
試回答以下問(wèn)題：
（1）裝置A中反應(yīng)的化學(xué)方程式為；
（2）當(dāng)反應(yīng)生成SnCl₄時(shí)，應(yīng)熄滅處的酒精燈，理由是；
（3）裝置B的主要缺點(diǎn)是，裝置D的主要缺點(diǎn)是；
（4）即使裝置B和裝置D進(jìn)行改進(jìn)后，老師說(shuō)該實(shí)驗(yàn)裝置設(shè)計(jì)仍不完整，請(qǐng)你協(xié)助該研究小組設(shè)計(jì)出所缺裝置（須標(biāo)出試劑的名稱(chēng)）并在下邊方框中畫(huà)出．

元素在周期表中的位置，反映了元素的原子結(jié)構(gòu)和元素的性質(zhì)．右圖是元素周期表的一部分．
（1）陰影部分元素N的最高價(jià)氧化物為．根據(jù)元素周期律，請(qǐng)你預(yù)測(cè)：H₃AsO₄、H₃PO₄的酸性強(qiáng)弱：H₃AsO₄H₃PO₄．（用“＞”、“＜”或“=”表示）
（2）元素S的最高正價(jià)和最低負(fù)價(jià)分別為、，
（3）在一定條件下，S與H₂反應(yīng)有一定限度（可理解為反應(yīng)進(jìn)行的程度），請(qǐng)判斷在相同條件下Se與H₂反應(yīng)的限度（選填“更大”、“更小”或“相同”）．
（4）羰基硫（COS）分子結(jié)構(gòu)與二氧化碳分子結(jié)構(gòu)相似，所有原子的最外層都滿(mǎn)足8電子結(jié)構(gòu)．請(qǐng)寫(xiě)出羰基硫分子的電子式
（5）單質(zhì)砷和熱的濃H₂SO₄反應(yīng)，生成As₂O₃，反應(yīng)的化學(xué)方程式為．

我國(guó)目前制備多晶硅主要采用三氯氫硅氫還原法、硅烷熱解法和四氯化硅氫還原法．由于三氯氫硅還原法具有一定優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用．其簡(jiǎn)化的工藝流程如圖所示：

反應(yīng)①：Si（粗）+3HCl（g） 

553----573K  .

SiHCl₃（l）+H₂（g）
反應(yīng)②：SiHCl₃+H₂ 

1373K  .

 Si（純）+3HCl
（1）制備三氯氫硅的反應(yīng)為：Si（s）+3HCl（g）═SiHCl₃（g）+H₂（g）；△H=-210kJ?mol^-1．伴隨的副反應(yīng)有：Si（s）+4HCl（g）═SiCl₄（g）+2H₂（g）；△H=-241kJ?mol^-1．SiCl₄在一定條件下與H₂反應(yīng)可轉(zhuǎn)化為SiHCl₃，反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為：SiCl₄（g）+H₂（g）═SiHCl₃（g）+HCl（g）；△H=．
（2）假設(shè)在每一輪次的投料生產(chǎn)中，硅元素沒(méi)有損失，反應(yīng)①HCl中的利用率為75%，反應(yīng)②中和H₂的利用率為80%．則在下一輪次的生產(chǎn)中，需補(bǔ)充投入HCl和H₂的體積比是．
（3）由于SiH₄具有易提純的特點(diǎn)，因此硅烷熱分解法是制備高純硅很有發(fā)展?jié)摿Φ姆椒ǎ�工業(yè)上廣泛采用的合成硅烷方法是讓硅化鎂和固體氯化銨在液氨介質(zhì)中反應(yīng)得到硅烷，化學(xué)方程式是；
整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水，否則反應(yīng)將不能生成硅烷，而是生成硅酸和氫氣等，其化學(xué)方程式為；
整個(gè)系統(tǒng)還必須與氧隔絕，其原因是．
（4）若將硅棒與鐵棒用導(dǎo)線相連浸在氫氧化鈉溶液中構(gòu)成原電池，則負(fù)極的電極反應(yīng)式為：
（5）硅能用于合成硅橡膠，右圖是硅橡膠中的一種，其主要優(yōu)點(diǎn)是玻璃化溫度低，耐輻射性能好，則該硅橡膠的化學(xué)式為．