在FeCl₃溶液蝕刻銅箔制造電路板的工藝中，廢液處理和資源回收的過(guò)程簡(jiǎn)述如下，請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）請(qǐng)寫(xiě)出FeCl₃溶液與銅反應(yīng)的離子方程式：；操作Ⅰ加入的試劑W是．
（2）操作Ⅱ之前最好加入適量稀鹽酸，某同學(xué)用10mol?L^-1 的濃鹽酸配制250mL 1mol?L^-1 的稀鹽酸，并進(jìn)行有關(guān)實(shí)驗(yàn)．
①需要量取濃鹽酸mL．
②配制該稀鹽酸時(shí)除量筒、燒杯、玻璃棒外，還必須用到的儀器有、．
③用已知濃度的氫氧化鈉溶液滴定稀鹽酸，滴定過(guò)程中眼睛應(yīng)注視，實(shí)驗(yàn)時(shí)未用標(biāo)準(zhǔn)液潤(rùn)洗滴定管，測(cè)得錐形瓶中待測(cè)液的濃度實(shí)際濃度．（填“＞”、“＜”或“=”）．
（3）操作Ⅲ前需要通入氣體V，請(qǐng)寫(xiě)出實(shí)驗(yàn)室制取氣體V的化學(xué)方程式：，該反應(yīng)中是氧化劑．
（4）操作Ⅲ應(yīng)在HCl氣流氛圍中進(jìn)行，其原因是．
（5）若通入的V的量不足，則最后制得的氯化鐵晶體不純凈，這是因?yàn)槿芤篣中含有雜質(zhì)．請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)合理的實(shí)驗(yàn)，驗(yàn)證溶液U中的成分，并判斷通入的V的量是否不足（簡(jiǎn)要說(shuō)明實(shí)驗(yàn)步驟、現(xiàn)象和結(jié)論）．
供選擇的試劑：酸性KMnO₄溶液、KSCN溶液、氯水．
（6）若向氯化鐵溶液中加入一定量石灰水，調(diào)節(jié)溶液pH，可得紅褐色沉淀．該過(guò)程中調(diào)節(jié)溶液的pH為5，則金屬離子濃度為．（己知：Ksp[Fe（OH）₃]=4.0×10^-38）

在FeCl₃溶液蝕刻銅箔制造電路板的工藝中，廢液處理和資源回收的過(guò)程簡(jiǎn)述如下，請(qǐng)回答下列問(wèn)題：


（1）請(qǐng)寫(xiě)出FeCl₃溶液與銅反應(yīng)的離子方程式：______；操作Ⅰ加入的試劑W是______．
（2）操作Ⅱ之前最好加入適量稀鹽酸，某同學(xué)用10mol-L^-1 的濃鹽酸配制250mL 1mol-L^-1 的稀鹽酸，并進(jìn)行有關(guān)實(shí)驗(yàn)．
①需要量取濃鹽酸______mL．
②配制該稀鹽酸時(shí)除量筒、燒杯、玻璃棒外，還必須用到的儀器有______、______．
③用已知濃度的氫氧化鈉溶液滴定稀鹽酸，滴定過(guò)程中眼睛應(yīng)注視______，實(shí)驗(yàn)時(shí)未用標(biāo)準(zhǔn)液潤(rùn)洗滴定管，測(cè)得錐形瓶中待測(cè)液的濃度______實(shí)際濃度．（填“＞”、“＜”或“=”）．
（3）操作Ⅲ前需要通入氣體V，請(qǐng)寫(xiě)出實(shí)驗(yàn)室制取氣體V的化學(xué)方程式：______，該反應(yīng)中______是氧化劑．
（4）操作Ⅲ應(yīng)在HCl氣流氛圍中進(jìn)行，其原因是______．
（5）若通入的V的量不足，則最后制得的氯化鐵晶體不純凈，這是因?yàn)槿芤篣中含有雜質(zhì)______．請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)合理的實(shí)驗(yàn)，驗(yàn)證溶液U中的成分，并判斷通入的V的量是否不足______（簡(jiǎn)要說(shuō)明實(shí)驗(yàn)步驟、現(xiàn)象和結(jié)論）．
供選擇的試劑：酸性KMnO₄溶液、KSCN溶液、氯水．
（6）若向氯化鐵溶液中加入一定量石灰水，調(diào)節(jié)溶液pH，可得紅褐色沉淀．該過(guò)程中調(diào)節(jié)溶液的pH為5，則金屬離子濃度為_(kāi)_____．（己知：Ksp[Fe（OH）₃]=4.0×10^-38）

0.5L 1mol?L^-1 FeCl₃溶液與0.2L 1mol?L^-1 KCl溶液中的Cl^-的濃度之比（　　）