晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備高純硅的主要流程如圖所示：

已知SiHCl₃能與H₂O強烈反應，生成一種可燃燒的單質(zhì)氣體和兩種酸．請回答下列問題：
（1）寫出制備粗硅的化學方程式______．
（2）在生成SiHCl₃的反應中，還原劑與還原產(chǎn)物的質(zhì)量比為______．
（3）整個制備過程必須控制無水無氧，若有水可能發(fā)生的反應是______．
（4）下列關于硅及其化合物的敘述錯誤的是______（填字母代號）
A．二氧化硅晶體中硅氧原子間以共價鍵結(jié)合
B．用于現(xiàn)代通訊的光導纖維的主要成分是高純度的硅
C．硅與碳位于同一主族，性質(zhì)相似，在自然界中廣泛存在著游離態(tài)的硅
D．SiO₂和CO₂都是酸性氧化物，均可與強堿（如NaOH）溶液反應，而不與任何酸反應．

晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備高純硅的主要流程如圖所示：



已知SiHCl₃能與H₂O強烈反應，生成一種可燃燒的單質(zhì)氣體和兩種酸．請回答下列問題：
（1）寫出制備粗硅的化學方程式______．
（2）在生成SiHCl₃的反應中，還原劑與還原產(chǎn)物的質(zhì)量比為______．
（3）整個制備過程必須控制無水無氧，若有水可能發(fā)生的反應是______．
（4）下列關于硅及其化合物的敘述錯誤的是______（填字母代號）
A．二氧化硅晶體中硅氧原子間以共價鍵結(jié)合
B．用于現(xiàn)代通訊的光導纖維的主要成分是高純度的硅
C．硅與碳位于同一主族，性質(zhì)相似，在自然界中廣泛存在著游離態(tài)的硅
D．SiO₂和CO₂都是酸性氧化物，均可與強堿（如NaOH）溶液反應，而不與任何酸反應．

晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備高純硅的主要流程如圖所示：

已知SiHCl₃能與H₂O強烈反應，生成一種可燃燒的單質(zhì)氣體和兩種酸．請回答下列問題：
（1）寫出制備粗硅的化學方程式．
（2）在生成SiHCl₃的反應中，還原劑與還原產(chǎn)物的質(zhì)量比為．
（3）整個制備過程必須控制無水無氧，若有水可能發(fā)生的反應是．
（4）下列關于硅及其化合物的敘述錯誤的是（填字母代號）
A．二氧化硅晶體中硅氧原子間以共價鍵結(jié)合
B．用于現(xiàn)代通訊的光導纖維的主要成分是高純度的硅
C．硅與碳位于同一主族，性質(zhì)相似，在自然界中廣泛存在著游離態(tài)的硅
D．SiO₂和CO₂都是酸性氧化物，均可與強堿（如NaOH）溶液反應，而不與任何酸反應．

I．下列說法正確的是（填字母編號，每小題只有一個正確答案，下同）
A．離子晶體中一定存在離子鍵，分子晶體中一定存在共價鍵
B．主族元素形成的單質(zhì)，從上到下熔沸點逐漸升高
C．N₂分子中的共價鍵是由兩個σ鍵和一個π鍵組成的
D．以極性鍵結(jié)合的分子不一定是極性分子
II．下列敘述正確的是．
A．用VSERP理論預測PCl₃的立體構型為平面三角形
B．SO₂和CO₂都是含有極性鍵的非極性分子
C．在NH⁺₄和[Cu（NH₃）₄]²⁺中都存在配位鍵
D．鋁元素的原子核外共有5種不同運動狀態(tài)的電子
III．Q、R、X、Y、Z五種元素的原子序數(shù)逐漸增大．已知Z的原子序數(shù)為29，其余均為短周期主族元素．Y原子的價電子排布為msⁿmpⁿ．R原子核外L層的電子數(shù)為奇數(shù)，Q、X原子p軌道的電子數(shù)分別為2和4．請回答下列問題：
（1）Z²⁺的核外電子排布式是．如圖是Z和X形成晶體的晶胞結(jié)構示意圖（O代表X），可確定該晶胞中陰離子的個數(shù)為．
（2）Q與Y形成的最簡單氣態(tài)氫化物分別為A、B，試比較它們的熱穩(wěn)定性并說明理由：
．
（3）Q和X形成的一種化合物甲的相對分子質(zhì)量為44，則甲的空間構型是，中心原子采取的雜化軌道類型是，該分子中含有個π鍵．
（4）R有多種氧化物，其中乙的相對分子質(zhì)量最�。�在一定條件下，2L的乙氣體與0.5L的氧氣相混合，若該混合氣體被足量的NaOH溶液完全吸收后沒有氣體殘留，所生成的R的含氧酸鹽的化學式是．
（5）這五種元素中，電負性最大與最小的兩種非金屬元素形成的晶體屬于晶體；Q、R、X三種元素的第一電離能數(shù)值由小到大的順序為（用元素符號作答）