1．有關(guān)晶體的下列說法中正確的是 ( ) A．氧化鎂熔化時離子鍵未被破壞 B．原子晶體中共價鍵越強.熔點越高k+s-5#u C．分子晶體中分子間作用力越大.分子越穩(wěn)定 D．冰熔化時水分子中共價鍵發(fā)生斷裂冰熔化時水分子間的氫鍵被破壞. 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請回答下列問題：

（1）制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷（SiHCl3）還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過程示意圖如下：

①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式　          　　。

②整個制備過程必須嚴(yán)格控制無水無氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和H2，該反應(yīng)的氧化劑是             ；H2還原過程中若混O2，可能引起的后果是            。（2）下列有關(guān)硅材料的說法正確的是      （填字母）。

A．晶體硅和二氧化硅晶體的結(jié)構(gòu)都類似金剛石，都常用來制造電子部件。

B．氮化硅硬度大、熔點高，可用于制作高溫陶瓷和軸承。

C．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂為原料制成的，沒有固定的熔點。

D．鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅。

（3）三硅酸鎂（2MgO?3SiO2?nH2O）被用來治療胃潰瘍，是因為該物質(zhì)不溶于水，服用后能中和胃酸，作用持久。寫出三硅酸鎂與胃酸（鹽酸）反應(yīng)的化學(xué)方程式：

                                                                       

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（14分）元素單質(zhì)及其化合物有廣泛用途，請根據(jù)周期表中第三周期元素相關(guān)知識回答下列問題：
（1）按原子序數(shù)遞增的順序（稀有氣體除外），以下說法正確的是               。
a．原子序數(shù)和離子半徑均減小              b．金屬性減弱，非金屬性增強
c．氧化物對應(yīng)的水合物堿性減弱，酸性增強  d．單質(zhì)的熔點降低
（2）原子最外層電子數(shù)與次外層電子數(shù)相同的元素名稱為           ，氧化性最弱的簡單陽離子是   。
（3）已知：

化合物
MgO
Al2O3
MgCl2
AlCl3
類型
離子化合物
離子化合物
離子化合物
共價化合物
熔點/℃
2800
2050
714
191
 
工業(yè)制鎂時，電解MgCl2而不電解MgO的原因是                           ；制鋁時，電解Al2O3而不電解AlCl3的原因是                                                 。
（4）晶體硅（熔點1410℃）是良好的半導(dǎo)體材料。由粗硅制純硅過程如下：

寫出SiCl4的電子式：            ；在上述由SiCl4制純硅的反應(yīng)中，測得每生成1.12kg純硅需吸收akJ熱量，寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式：                                 。
（5）P2O5是非氧化性干燥劑，下列氣體不能用濃硫酸干燥，可用P2O5干燥的是          。
a． NH3        b． HI        c． SO2      d ． CO2
（6）KClO3可用于實驗室制O2，若不加催化劑，400℃時分解只生成兩種鹽，其中一種是無氧酸鹽，另一種鹽的陰陽離子個數(shù)比為1:1。寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式：                                   。     

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（14分）元素單質(zhì)及其化合物有廣泛用途，請根據(jù)周期表中第三周期元素相關(guān)知識回答下列問題：
（1）按原子序數(shù)遞增的順序（稀有氣體除外），以下說法正確的是               。
a．原子序數(shù)和離子半徑均減小              b．金屬性減弱，非金屬性增強
c．氧化物對應(yīng)的水合物堿性減弱，酸性增強  d．單質(zhì)的熔點降低
（2）原子最外層電子數(shù)與次外層電子數(shù)相同的元素名稱為           ，氧化性最弱的簡單陽離子是   。
（3）已知：
化合物
MgO
Al2O3
MgCl2
AlCl3
類型
離子化合物
離子化合物
離子化合物
共價化合物
熔點/℃
2800
2050
714
191
 
工業(yè)制鎂時，電解MgCl2而不電解MgO的原因是                           ；制鋁時，電解Al2O3而不電解AlCl3的原因是                                                 。
（4）晶體硅（熔點1410℃）是良好的半導(dǎo)體材料。由粗硅制純硅過程如下：

寫出SiCl4的電子式：            ；在上述由SiCl4制純硅的反應(yīng)中，測得每生成1.12kg純硅需吸收akJ熱量，寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式：                                 。
（5）P2O5是非氧化性干燥劑，下列氣體不能用濃硫酸干燥，可用P2O5干燥的是          。
a． NH3        b． HI        c． SO2      d ． CO2
（6）KClO3可用于實驗室制O2，若不加催化劑，400℃時分解只生成兩種鹽，其中一種是無氧酸鹽，另一種鹽的陰陽離子個數(shù)比為1:1。寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式：                                   。     

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2012年12月，我國成功實現(xiàn)殲—15飛機在“遼寧號”航母上的起降實驗，建造航母平臺和艦載飛機離不開如鈦、物質(zhì)A等材料。請回答下列問題：
(1)寫出鈦基態(tài)原子的核外電子排布式：___________________________。
(2)已知元素A處于第3周期，其原子的第一至第四電離能數(shù)據(jù)如表所示：
電離能(kJ/mol)
I1
I2
I3
I4
A
738
1 451
7 733
10 540
 
①A的元素符號為________。
②與元素A同周期的電負(fù)性最大的元素為________(填元素符號)，該元素能與同周期的另一種非金屬元素形成5原子分子，該分子的中心原子采用的雜化方式是________，該分子的空間構(gòu)型為________。
(3)鈦鎂合金是制造高性能飛機的重要材料。已知鈦、鎂金屬均采用六方最密堆積()，下列說法正確的是________(填序號)。
A．用鈦鎂合金來制造高性能飛機，主要由于其價格昂貴，制造出的飛機能賣個好價錢
B．在高溫下切割金屬鈦不會產(chǎn)生任何安全事故
C．鈦、鎂金屬晶體中，其配位數(shù)均為12
D．金屬鈦的熔點很高(1 668 ℃)，與金屬鍵關(guān)系不大
(4)鈣鈦型復(fù)合氧化物(如圖所示)可用于制造航空母艦中的熱敏傳感器，該晶體以A原子為晶胞的頂點，A可以是Ca、Sr、Ba或Pb，當(dāng)B是V、Cr、Mn或Fe時，這種化合物具有很好的電化學(xué)性能。用A、B、O表示鈣鈦型復(fù)合氧化物晶體的化學(xué)式為________。

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X、Y、Z三種元素，原子序數(shù)依次減�。甔是第四周期主族元素，其部分電離能如圖1所示；X、Y元素具有相同的最高正化合價；Z元素是形成化合物種類最多的元素．回答下列問題：
（1）已知Y元素的電負(fù)性為1.2，氮元素的電負(fù)性為3.0，則Y與氮形成的化合物的化學(xué)式為
Mg3N2
Mg3N2
，該化合物的晶體類型為
離子晶體
離子晶體

（2）電負(fù)性：X
＜
＜
Y（填“＞”、“=”或“＜”）． 
（3）元素Z的一種氫化物（化學(xué)式為Z2H4）是重要的化工原料．有關(guān)Z2H4分子的說法正確的是
BD
BD
（填字母）．
A．分子中含有氫鍵       B．分子中既含有極性鍵又含有非極性鍵
C．含有4個σ鍵和1個π鍵      D．屬于非極性分子
（4）X的氧化物與鈦（Ti）的氧化物相互作用，能形成鈦酸鹽，其晶體結(jié)構(gòu)示意圖如圖2所示（X、Ti和O三種元素對應(yīng)的離子
分別位于立方體的體心、頂點和面心）．該晶體中，鈦離子和周圍
12
12
（填數(shù)字）個氧離子相緊鄰．
（5）X的氧化物的熔點比Y的氧化物的熔點
低
低
（填“高”或“低”），原因是
CaO、MgO均為離子晶體，鈣離子半徑比鎂離子半徑大，CaO的晶格能小，故熔點低
CaO、MgO均為離子晶體，鈣離子半徑比鎂離子半徑大，CaO的晶格能小，故熔點低
．

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