題目列表(包括答案和解析)
根據(jù)測(cè)定硫酸銅晶體中結(jié)晶水含量的實(shí)驗(yàn),填寫(xiě)下列空白:
⑴ 有下列儀器,本實(shí)驗(yàn)中需要的儀器是(填寫(xiě)字母)__________,
除上述儀器外,還需要的儀器是(填儀器名稱(chēng)):____________。
A、帶砝碼的托盤(pán)天平 B、研缽 C、試管夾 D、酒精燈 E、蒸發(fā)皿
F、玻璃棒 G、坩堝 H、干燥管 I、石棉網(wǎng) J、三角架
⑵ 本實(shí)驗(yàn)至少需要加熱_____________次,至少需要稱(chēng)量__________次;
⑶ 某學(xué)生實(shí)驗(yàn)得到以下數(shù)據(jù):加熱前容器的質(zhì)量為m1,容器和晶體的總質(zhì)量為m2,加熱后容器和無(wú)水CuSO4的總質(zhì)量為m3。請(qǐng)寫(xiě)出結(jié)晶水含量(ω)的計(jì)算公式并求出CuSO4?nH2O中n的值(用ml、m2、m3表示):ω= _______________,n = _________________
⑷ 若ml = 5.4g、m2 = 7.9g、m3 = 6.8g,該生測(cè)得實(shí)驗(yàn)結(jié)果偏高還是偏低? _______________
從下列分析中選出該生實(shí)驗(yàn)產(chǎn)生誤差的原因可能是(填寫(xiě)字母) ___________________
A、加熱前稱(chēng)量時(shí)容器未完全干燥
B、最后兩次加熱后的質(zhì)量差大于0.1g
C、加熱后容器未放在干燥容器中冷卻
D、加熱過(guò)程中有少量晶體濺出
E、加熱后的粉末中有少量黑色固體
(1)從下列儀器中選出所需儀器(用標(biāo)號(hào)字母填寫(xiě),________.
(A)托盤(pán)天平(帶砝碼)、(B)研缽、(C)試管夾、(D)酒精燈、(E)蒸發(fā)皿、(F)玻璃棒、(G)坩堝、(H)干燥管、(I)石棉網(wǎng)、(J)三腳架.除上述儀器外,還需要的儀器是________.
(2)本實(shí)驗(yàn)至少需加熱________次,至少需要稱(chēng)量________次.
(3)某學(xué)生實(shí)驗(yàn)得到以下數(shù)據(jù),請(qǐng)寫(xiě)出結(jié)晶水含量(x%)的計(jì)算公式(用W1、W2、W3表示):
x%=________________.
加熱前質(zhì)量 加熱后質(zhì)量
W1(容器) W2(容器+晶體) W3(容器+CuSO4)
5.4g 7.9g 6.8g
求CuSO4·nH2O中n值的計(jì)算公式:
n=________________.
(4)該生結(jié)果偏高還是偏低?________.
從下列分析中選出該實(shí)驗(yàn)產(chǎn)生誤差的原因可能是(填寫(xiě)字母)________.
A.加熱前稱(chēng)量時(shí),容器未?
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實(shí)驗(yàn)用品:硫酸銅晶體試樣、研缽、干燥器、坩堝、三腳架、泥三角、玻璃棒、藥匙、托盤(pán)天平、火柴
實(shí)驗(yàn)步驟:
①根據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)計(jì)算硫酸銅晶體試樣中結(jié)晶水的質(zhì)量分?jǐn)?shù)。
②將坩堝放入干燥器,冷卻至室溫后,稱(chēng)重;
③將盛有試樣的坩堝加熱,待晶體變成白色粉末時(shí),停止加熱;
④在研缽中加入一定量的硫酸銅晶體試樣研細(xì),將研細(xì)后的試樣粉末放入到坩堝中稱(chēng)量;
⑤將坩堝再加熱一定時(shí)間,放入干燥器中冷卻至室溫后稱(chēng)量。重復(fù)本操作,直至兩次稱(chēng)量結(jié)果相差不大于0.
⑥準(zhǔn)確稱(chēng)量一個(gè)干凈、干燥的坩堝;
分析該方案并回答下面問(wèn)題:
(1)該實(shí)驗(yàn)的正確步驟是_______________________。
(2)完成本實(shí)驗(yàn)還需要的實(shí)驗(yàn)用品是_____________。
(3)硫酸銅不能放置在空氣中冷卻的原因是___________________________________。
(4)下面的情況有可能造成測(cè)試結(jié)果偏高的是__________(填序號(hào))。
A.試樣中含有加熱不揮發(fā)的雜質(zhì)
B.試樣中含有加熱易揮發(fā)的雜質(zhì)
C.測(cè)試前試樣已有部分脫水
D.實(shí)驗(yàn)前坩堝未完全干燥
E.晶體加熱脫水不完全
F.加熱時(shí)晶體濺出
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