硅在材料王國中具有舉足輕重的位置．請解答下列試題：
（1）硅的制備方法是制約太陽能發(fā)展的瓶頸，硅的制備原料是石英砂，石英與焦炭在高溫電爐中反應可以制得硅．該反應的化學方程式是，該反應的氣體產(chǎn)物是一氧化碳，不是二氧化碳，其原因是．
（2）氮化硅Si₃N₄是一種高溫結(jié)構(gòu)材料，粉末狀態(tài)的Si₃N₄可以由SiCl₄的蒸氣和NH₃反應制�。�粉末狀Si₃N₄對空氣和水都不穩(wěn)定．但將粉末狀的Si₃N₄和適量氧化鎂在230×1.01×l0⁵Pa和185℃的密閉容器中熱處理，可以制得結(jié)構(gòu)十分緊密、對空氣和水都相當穩(wěn)定的固體材料，同時還得到對水不穩(wěn)定的Mg₃N₂．
①寫出由SiCl₄和NH₃反應制取Si₃N₄的化學反應方程式；
②現(xiàn)用四氯化硅和氮氣在氫氣氣氛保護下，加強熱發(fā)生反應，使生成的Si₃N₄沉積在石墨表面可得較高純度的氮化硅，該制造方法稱為：；反應的化學方程式為；該法還可制造金剛石薄膜，反應的化學方程式為．
③在Si₃N₄和適量氧化鎂在230×1.01×10⁵ Pa和185℃的密閉容器中熱處理的過程中，除生成Mg₃N₂外，還可能生成物質(zhì)．熱處理后除去MgO和Mg₃N₂的方法是．

氮化硅（Si₃N₄）是一種新型陶瓷材料，它可在高溫下的氮氣流中由石英與焦炭通過以下反應制得：
3SiO₂（s）+6C（s）+2N₂（g）?Si₃N₄（s）+6CO（g）+Q（Q＞0）
完成下列填空：
（1）某溫度下該反應在一容積為2L的密閉容器中進行，2min后達到平衡，剛好有2mol電子發(fā)生轉(zhuǎn)移，則2min內(nèi)反應的速率為：v（CO）=；該反應的平衡常數(shù)表達式為．
（2）其它條件不變時僅增大壓強，則．
a．K值減小，平衡向逆反應方向移動
b．K值增大，平衡向正反應方向移動
c．K值不變，平衡向逆反應方向移動
d．K值不變，平衡向正反應方向移動
（3）一定條件下能說明上述反應已達平衡的是．
a．c（N₂ ）：c（CO）=1：3        b．3v（N₂ ）=v（CO）      c．固體質(zhì)量不再改變       d．氣體密度不再改變
（4）達到平衡后改變某一條件，反應速率v與時間t的關(guān)系如圖所示．
若不改變N₂與CO的量，則圖中t₄時引起變化的原因可能是；圖中t₆時引起變化的原因可能是．由圖可知，平衡混合物中CO含量最高的時間段是．

氮化硅（Si₃N₄）是一種新型陶瓷材料，它可由石英與焦炭在高溫的氮氣流中，通過以下反應制得：
3SiO₂（s）+6C（s）+2N₂（g）

高溫

Si₃N₄（s）+6CO（g）△H＜0
（1）該反應的平衡常數(shù)表達式為K=；升高溫度，其平衡常數(shù)值（選填“增大”、“減小”或“不變”）．
（2）上述反應的熵變△S0（選填“＞、＜或=”）．
（3）在一定溫度下上述反應達到平衡的標志是（填序號）
A．單位時間生成2摩爾Si₃N₄的同時生成1摩爾的N₂
B．容器內(nèi)c（N₂）：c（CO）=1：3
C．容器內(nèi)的氣體中，CO的百分含量保持不變
D．單位時間消耗1摩爾SiO₂的同時生成2摩爾的C
（4）達到平衡后，改變某一外界條件，反應速率v與時間t的關(guān)系如圖：

若不改變N₂、CO的量，則圖中t₄時引起平衡移動的條件可能是（寫一種）；圖中t₆時引起變化的條件是；圖中表示平衡混合氣體中CO的含量最高的一段時間是．

氮化硅（Si₃N₄）是一種新型陶瓷材料，它可由石英與焦炭在高溫的氮氣流中通過以下反應制得．
3SiO₂+6C+2N₂

高溫

Si₃N₄+6CO，△H=QkJ/mol．
（1）該反應的平衡常數(shù)表達式為K=．
（2）已知上述反應為放熱反應，則Q0（填“＞”、“＜”或“=”）；升高溫度時，其平衡常數(shù)（填“增大”、“減小”或“不變”）．
（3）若增大體系壓強，則上述平衡向（填“正”或“逆”）反應方向移動．
（4）若已知平衡時CO生成速率為v（CO）=18mol?L^-1?min^-1，則N₂的生成速率為v（N₂）=mol?L^-1?min^-1．

（2010?天津）化學已滲透到人類生活的各個方面．下列說法不正確的是（　�。�