有A、B、C、D、E五種元素，其中A、B、C屬于同一周期，A原子最外層p能級(jí)的電子數(shù)等于次外層的電子數(shù)總數(shù)；B原子最外層中有兩個(gè)不成對(duì)的電子；D、E原子核內(nèi)各自的質(zhì)子數(shù)與中子數(shù)相等；B元素可分別與A、C、D、E生成RB₂型化合物，并知在DB₂和EB₂中，D與B的質(zhì)量比為7：8；E與B的質(zhì)量比為1：1．試回答：
（1）寫出基態(tài)D原子的電子排布式．
（2）用電子式表示AE₂的形成過程，與AE₂互為等電子體的離子是．
（3）B、C兩元素的第一電離能較大的元素是： （填寫元素符號(hào)）．
（4）根據(jù)VSEPR模型預(yù)測(cè)C的氫化物的立體結(jié)構(gòu)為，中心原子C的軌道雜化類型為．
（5）C的單質(zhì)中π鍵的數(shù)目為，B、D兩元素的氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性大小關(guān)系為：＞ （填寫化學(xué)式）．

有A、B、C、D、E五種元素，它們?cè)�子的核電荷�?shù)依次遞增且均小于18；
A原子核內(nèi)僅有1個(gè)質(zhì)子；B原子的電子總數(shù)與C原子的最外層電子數(shù)相等； C原子有兩個(gè)電子層，最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的3倍；D元素的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的三分之一．E的單質(zhì)是黃綠色氣體且有毒．
（1）寫出A分別與B、C所形成化合物的化學(xué)式：，．
（2）分別寫出C和D的原子結(jié)構(gòu)示意圖：，．
（3）寫出C、D、E所形成的化合物的電離方程式：．
（4）寫出E的單質(zhì)與A、C、D三元素所形成的化合物反應(yīng)的化學(xué)方程式，若是氧化還原反應(yīng)，請(qǐng)用雙線橋標(biāo)出電子轉(zhuǎn)移的數(shù)目和方向：．

有A、B、C、D、E五種元素，其中A、B、C屬于同一周期，A原子最外層p能級(jí)中的電子數(shù)等于次外層的電子總數(shù)，C原子最外層中有2個(gè)不成對(duì)的電子．已知C、D、E原子核內(nèi)的質(zhì)子數(shù)均與中子數(shù)相等，且C元素可分別與A、B、D、E生成RC₂型化合物，在DC₂中，D與C的質(zhì)量比為7：8，在EC₂中，E與C的質(zhì)量比為1：1．請(qǐng)回答下列問題：
（1）寫出A、E兩種元素的元素符號(hào)：A、E．
（2）寫出D原子的電子排布式．
（3）指出E在元素周期表中的位置．
（4）比較A、B、C三種元素的第一電離能的大小順序．
（5）比較D和E元素的電負(fù)性的相對(duì)大小．

有A、B、C、D、E五種元素，它們?cè)�子的核電荷�?shù)依次遞增且均小于18，A原子核內(nèi)僅有1個(gè)質(zhì)子，B原子的電子總數(shù)與D原子的最外層電子數(shù)相等，A原子與B原子的最外層電子數(shù)之和與C原子的最外層電子數(shù)相等，D原子有兩個(gè)電子層，最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的3倍，E元素原子最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的三分之一．
（1）畫出E的原子結(jié)構(gòu)示意圖；
（2）寫出A與B、C、D所形成化合物的化學(xué)式：、、．

有A、B、C、D、E五種元素，其中A、B、C屬于同一周期，且原子序數(shù)B＞C，A原子最外層p能級(jí)的電子數(shù)等于次外層的電子總數(shù)，B元素可分別與A、C、D、E生成常見的RB₂型化合物，并知在DB₂和EB₂中，D與B的質(zhì)量比為7：8，E與B的質(zhì)量比為1：1．根據(jù)以上條件，回答下列問題：
（1）推斷五種元素分別是（用元素名稱回答）：D，E．
（2）指出C元素在元素周期表中的位置．E元素的最高價(jià)氧化物的分子構(gòu)型為．
（3）沸點(diǎn)DB₂EB₂（填“＞”、“＜”或“=”等于），理由
（4）寫出與EB₃分子互為等電子體并含A、B、C任意兩種元素的微粒（填1種）
（5）通常人們把拆開1mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能．鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，下列是一些鍵的鍵能：SiCl₄（g）+2H₂（g） 高溫 Si（s）+4HCl（g）  通過計(jì)算該反應(yīng)是熱（填“吸”或
“放”）kJ/mol

化學(xué)鍵	Si-O	Si-Cl	H-H	H-Cl	Si-Si	Si-C
鍵能/kJ?mol-1	460	360	436	431	176	347