21．位于豎直平面內(nèi)的矩形導(dǎo)線框abcd.ab長(zhǎng)為L(zhǎng)1=1.0 m.bc長(zhǎng)為L(zhǎng)2=0.5 m.線框的質(zhì)量m=0.2kg.電阻R=2Ω.其下方有一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域.該區(qū)域的上下邊界和均與ab平行.兩邊界間距離為H(H>L2).磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1.0T.方向與線框平面垂直.如圖18所示.令線框的cd邊從距離為h=0.7m處自由下落.已知線框的cd邊進(jìn)入磁場(chǎng)以后.ab邊到達(dá)邊界前的某一時(shí)刻.線框的速度已達(dá)到這一階段的最大值.求:(1)該最大速度是多少? 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

位于豎直平面內(nèi)的矩形導(dǎo)線框abcd，ab長(zhǎng)為L1，是水平的，bc長(zhǎng)為L2，導(dǎo)線框的質(zhì)量為m，電阻為R，其下方有一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，該區(qū)域的上、下邊界和均與ab平行，兩邊界間的距離為H，H＞L2，磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，方向與線框平面垂直，如圖所示．現(xiàn)讓線框從dc邊離磁場(chǎng)區(qū)域上邊界的距離為h處自由下落，已知在線框的dc邊進(jìn)入磁場(chǎng)以后，ab邊到達(dá)邊界之前的某一時(shí)刻線框的速度已達(dá)到這一階段的最大值．問(wèn)：

(1)速度的最大值vm是多少？

(2)從線框開(kāi)始下落到dc邊剛剛到達(dá)磁場(chǎng)區(qū)域下邊界的過(guò)程中，克服安培力做的總功為多少？

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（20分）位于豎直平面內(nèi)的矩形平面導(dǎo)線框abcd。ab長(zhǎng)為l1，是水平的，bc長(zhǎng)為l2，線框的質(zhì)量為m，電阻為R.。其下方有一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，該區(qū)域的上、下邊界PP′和QQ′均與ab平行，兩邊界間的距離為H，H＞l2，磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，方向與線框平面垂直，如圖所示。令線框的dc邊從離磁場(chǎng)區(qū)域上邊界PP′的距離為h處自由下落，已知在線框的dc邊進(jìn)入磁場(chǎng)后，ab邊到達(dá)邊界PP′之前的某一時(shí)刻線框的速度已達(dá)到這一階段的最大值。問(wèn)從線框開(kāi)始下落到dc邊剛剛到達(dá)磁場(chǎng)區(qū)域下邊界QQ′的過(guò)程中，磁場(chǎng)作用于線框的安培力作的總功為多少？

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位于豎直平面內(nèi)的矩形平面導(dǎo)線框abcd，ab長(zhǎng)L1=1.0m，是水平的，bd長(zhǎng)L2＝0.5m，線框的質(zhì)量m＝0.2kg，電阻R＝2Ω，其下方有一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，該區(qū)域的上、下邊界PP′和QQ′均與ab平行，兩邊界間距為H，H＞L，磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1.0T，方向與線框平面垂直，令線框的dc邊從離磁場(chǎng)上邊界的距離為h＝0.7 m處自由下落，已知線框的dc邊進(jìn)入磁場(chǎng)后，ab邊到達(dá)PP′之前的某一時(shí)刻線框的速度已達(dá)到這一階段的最大值，問(wèn)從線框開(kāi)始下落到dc邊剛剛到達(dá)磁場(chǎng)區(qū)域下邊界QQ′的過(guò)程中，磁場(chǎng)作用于線框的安培力做的總功是多少？

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精英家教網(wǎng)如圖所示，位于豎直平面內(nèi)的矩形單匝導(dǎo)線框abcd，其下方有一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，該區(qū)域的上邊界PP?水平且與ab邊平行，方向與線框平面垂直．已知磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，線框邊長(zhǎng)ab=L1，ad=L2，線框質(zhì)量為m．令線框的dc邊從距磁場(chǎng)區(qū)域邊界PP?的高度h處由靜止開(kāi)始下落，線框剛好勻速進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)域．
（1）求線框的電阻R．
（2）求線框在進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中，通過(guò)線框?qū)Ь�橫截面積的電荷量q．
（3）若將線框從dc邊距磁場(chǎng)區(qū)域邊界PP?的高度H處由靜止開(kāi)始下落，當(dāng)線框的一半進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)，線框剛好開(kāi)始勻速下落，求線框進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中產(chǎn)生的焦耳熱Q．

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如圖所示，位于豎直平面內(nèi)的矩形平面單匝導(dǎo)線框abcd，其下方有一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，該區(qū)域的上邊界PP′水平，并與線框的ab邊平行，磁場(chǎng)方向與線框平面垂直．已知磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，線框ab邊長(zhǎng)為L(zhǎng)1，ad邊長(zhǎng)為L(zhǎng)2，線框質(zhì)量為m．令線框的dc邊從離磁場(chǎng)區(qū)域邊界PP′的高度為h處由靜止開(kāi)始下落，線框剛好勻速進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)域．
（1）求線框的電阻R．
（2）求線框在進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中，通過(guò)線框?qū)Ь�橫截面的電荷量q．
（3）若將線框從dc邊離磁場(chǎng)區(qū)域邊界PP′的高度為H處由靜止開(kāi)始下落，當(dāng)線框的一半進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)，線框剛好開(kāi)始勻速下落，求線框進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程中，安培力做的總功W．
精英家教網(wǎng)

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