23.如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運動的簡化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi).存在兩個場強大小均為E的勻強電場I和II.兩電場的邊界均是邊長為L的正方形.(1)在該區(qū)域AB邊的中點處由靜止釋放電子.求電子離開ABCD區(qū)域的位置.(2)在電場I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子.電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開.求所有釋放點的位置.(3)若將左側(cè)電場II整體水平向右移動L/n.仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開.求在電場I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置. 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運動的簡化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個場強大小均為E的勻強電場Ⅰ和Ⅱ,已知A、D兩點的坐標(biāo)分別為(L,0)和(-2L,0),兩電場的邊界均是邊長為L的正方形(不計電子所受重力),現(xiàn)在該區(qū)域AB邊的中點處由靜止釋放一電子,已知電子質(zhì)量為m,帶電量為e,試求:
(1)電子離開ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo);
(2)電子從電場Ⅱ出來后經(jīng)過多少時間到達(dá)X軸;
(3)電子到達(dá)X軸時的位置坐標(biāo).

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如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運動的簡化模型示意圖.在Oxy平面的第一象限,存在以x軸y軸及雙曲線y=
L2
4x
的一段(0≤x≤L,0≤y≤L)為邊界的勻強電場I;在第二象限存在以x=-L; x=-2L;y=0;y=L的勻強電場II.兩個電場大小均為E,不計電子所受重力.求
(1)從電場I的邊界B點處由靜止釋放電子,電子離開MNPQ時的位置;
(2)由電場I的AB曲線邊界處由靜止釋放電子離開MNPQ時的最小動能;
(3)若將左側(cè)電場II整體水平向左移動
L
n
(n≥1),要使電子從x=-2L,y=0處離開電場區(qū)域II,在電場I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置.

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精英家教網(wǎng)如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運動的簡化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個大小均為E的勻強電場I和II,兩電場的邊界均是邊長為L的正方形(不計粒子所受重力).
(1)在該區(qū)域AB邊的中點處由靜止釋放電子,求電子離開ABCD區(qū)域的位置;
(2)在電場I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開,求所有釋放點的位置;
(3)若將左側(cè)電場II整體水平向右移動L/4,仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開(D不隨電場移動),在電場I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置.

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如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運動的簡化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個場強大小均為E的勻強電場Ⅰ和Ⅱ,兩電場的邊界均是邊長為L的正方形(不計電子所受重力).

(1)在該區(qū)域AB邊的中點處由靜止釋放電子,求電子離開ABCD區(qū)域的位置.

(2)在電場Ⅰ區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開,求所有釋放點的位置.

(3)若將左側(cè)電場Ⅱ整體水平向右移動L/n(n≥1)仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D.處離開(D不隨電場移動),求在電場Ⅰ區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置.

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如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運動的簡化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個場強大小均為E的勻強電場Ⅰ和Ⅱ,兩電場的邊界均是邊長為L的正方形(不計電子所受重力).

①在該區(qū)域AB邊的中點處由靜止釋放電子,求電子離開ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo).

②在電場Ⅰ區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開,求所有釋放點的位置坐標(biāo)應(yīng)滿足的條件.

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