（2011·天津理綜·T3）質(zhì)點(diǎn)做直線運(yùn)動(dòng)的位移與時(shí)間的關(guān)系為（各物理量均采用國(guó)際單位制單位），則該質(zhì)點(diǎn)（   ）

A. 第1s內(nèi)的位移是5m               B. 前2s內(nèi)的平均速度是6m/s

C. 任意相鄰的1s 內(nèi)位移差都是1m     D. 任意1s內(nèi)的速度增量都是2m/s

(2010年高考天津理綜卷)如圖所示，質(zhì)量m₁＝0.1 kg，電阻R₁＝0.3 Ω，長(zhǎng)度l＝0.4 m的導(dǎo)體棒ab橫放在U形金屬框架上．框架質(zhì)量m₂＝0.2 kg，放在絕緣水平面上，與水平面間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ＝0.2.相距0.4 m的MM′、NN′相互平行，電阻不計(jì)且足夠長(zhǎng)．電阻R₂＝0.1 Ω的MN垂直于MM′.整個(gè)裝置處于豎直向上的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁感應(yīng)強(qiáng)度B＝0.5 T．垂直于ab施加F＝2 N的水平恒力，ab從靜止開始無(wú)摩擦地運(yùn)動(dòng)，始終與MM′、NN′保持良好接觸．當(dāng)ab運(yùn)動(dòng)到某處時(shí)，框架開始運(yùn)動(dòng)．設(shè)框架與水平面間最大靜摩擦力等于滑動(dòng)摩擦力，g取10 m/s².

(1)求框架開始運(yùn)動(dòng)時(shí)ab速度v的大�。�

(2)從ab開始運(yùn)動(dòng)到框架開始運(yùn)動(dòng)的過(guò)程中，MN上產(chǎn)生的熱量Q＝0.1 J，求該過(guò)程ab位移x的大小．

(2010年高考天津理綜卷)在靜電場(chǎng)中，將一正電荷從a點(diǎn)移到b點(diǎn)，電場(chǎng)力做了負(fù)功，則(　　)

A．b點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度一定比a點(diǎn)大

B．電場(chǎng)線方向一定從b指向a

C．b點(diǎn)的電勢(shì)一定比a點(diǎn)高

D．該電荷的動(dòng)能一定減小

(2010·天津理綜)在靜電場(chǎng)中，將一正電荷從a點(diǎn)移到b點(diǎn)，電場(chǎng)力做了負(fù)功，則(　　)

A．b點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度一定比a點(diǎn)大    B．電場(chǎng)線方向一定從b指向a

C．b點(diǎn)的電勢(shì)一定比a點(diǎn)高    D．該電荷的動(dòng)能一定減小

 (2011年天津理綜)質(zhì)點(diǎn)做直線運(yùn)動(dòng)的位移x與時(shí)間t的關(guān)系為x＝5t＋t²(各物理量均采用國(guó)際單位制單位)，則該質(zhì)點(diǎn)(　　)

A．第1 s內(nèi)的位移是5 m

B．前2 s內(nèi)的平均速度是6 m/s

C．任意相鄰的1 s內(nèi)位移差都是1 m

D．任意1 s內(nèi)的速度增量都是2 m/s