(20分)(1)在同一個原子中，離核越近、n越小的能層中的電子能量越      。理論研究證明，多電子原子中，同一能層的電子，能量也可能不同，還可以把它們分成能級，第三能層有3個能級，分別為3s、3p和     �，F(xiàn)代物質(zhì)結(jié)構(gòu)理論證實，原子的電子排布遵循構(gòu)造原理能使整個原子的能量處于最低狀態(tài)，處于最低能量的原子叫做      原子。
(2)寫出下列基態(tài)原子的簡化電子排布式：
①₁₄Si　　　　　           　；②₂₆Fe                          。 
(3)按所示格式填寫下表中的空格：

(4)N≡N的鍵能為942kJ·mol^－1，N—N單鍵的鍵能為247kJ·mol^－1，計算說明N₂中的
      鍵更穩(wěn)定(填“σ”或“π”)。
(5)在配離子[Fe(SCN)]²⁺中，提供空軌道接受孤電子對的微粒是     ，配離子 [Cu(NH₃)₄]²⁺的配體是              。
(6)根據(jù)價層電子對互斥理論判斷：
①NH₃分子中，中心原子上的σ鍵電子對數(shù)為       ，孤電子對數(shù)為      ，價層電子對數(shù)為       ，中心原子的雜化方式為    雜化，VSEPR構(gòu)型為           ，分子的立體構(gòu)型為           。
②BF₃分子中，中心原子的雜化方式為       雜化，分子的立體構(gòu)型為           。