題目列表(包括答案和解析)
A、OB間的距離大于
| ||||||||
B、點(diǎn)電荷乙能越過B點(diǎn)向左運(yùn)動(dòng),其電勢(shì)能仍增多 | ||||||||
C、在點(diǎn)電荷甲形成的電場(chǎng)中,AB間電勢(shì)差UAB=
| ||||||||
D、從A到B的過程中,電場(chǎng)力對(duì)點(diǎn)電荷乙做的功為W=μmgL0+
|
如圖所示,一個(gè)電量為+Q的點(diǎn)電荷甲,固定在絕緣水平面上的O點(diǎn).電量為-q、質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動(dòng),到B點(diǎn)時(shí)速度最小且為v.已知靜電力常量為k,點(diǎn)電荷乙與水平面的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ,AB間距離為L(zhǎng).則
A.OB間的距離為 |
B.從A到B的過程中,電場(chǎng)力對(duì)點(diǎn)電荷乙做的功為 |
C.從A到B的過程中,電場(chǎng)力對(duì)點(diǎn)電荷乙做的功為 |
D.在點(diǎn)電荷甲形成的電場(chǎng)中,AB間電勢(shì)差 |
如圖所示,一個(gè)電量為-Q的點(diǎn)電荷甲,固定在絕緣水平面上的O點(diǎn).另一個(gè)電量為+q及質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙,從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動(dòng),到B點(diǎn)的速度最小為v.已知點(diǎn)電荷乙與水平面的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ、AB間距離為L0及靜電力常量為k,則? (????? )
A.OB間的距離大于
B.點(diǎn)電荷乙能越過B點(diǎn)向左運(yùn)動(dòng),其電勢(shì)能仍增多
C.在點(diǎn)電荷甲形成的電場(chǎng)中,AB間電勢(shì)差
D.從A到B的過程中,電場(chǎng)力對(duì)點(diǎn)電荷乙做的功為
如圖所示,一個(gè)電量為+Q的點(diǎn)電荷甲,固定在絕緣水平面上的O點(diǎn).電量為-q、質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動(dòng),到B點(diǎn)時(shí)速度最小且為v.已知靜電力常量為k,點(diǎn)電荷乙與水平面的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ,AB間距離為L(zhǎng).則
A.OB間的距離為
B.從A到B的過程中,電場(chǎng)力對(duì)點(diǎn)電荷乙做的功為
C.從A到B的過程中,電場(chǎng)力對(duì)點(diǎn)電荷乙做的功為
D.在點(diǎn)電荷甲形成的電場(chǎng)中,AB間電勢(shì)差
如圖所示,一個(gè)電量為+Q的點(diǎn)電荷甲,固定在絕緣水平面上的O點(diǎn)。電量為﹣q、質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動(dòng),到B點(diǎn)速度最小為v.已知靜電力常量為k,點(diǎn)電荷乙與水平面的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ,AB間距離為L(zhǎng)0。則:
A.OB間的距離為
B.從A到B的過程中,電場(chǎng)力對(duì)點(diǎn)電荷乙做的功為
C.從A到B的過程中,電場(chǎng)力對(duì)點(diǎn)電荷乙做的功為
D.在點(diǎn)電荷甲形成的電場(chǎng)中,AB間電勢(shì)差
百度致信 - 練習(xí)冊(cè)列表 - 試題列表
湖北省互聯(lián)網(wǎng)違法和不良信息舉報(bào)平臺(tái) | 網(wǎng)上有害信息舉報(bào)專區(qū) | 電信詐騙舉報(bào)專區(qū) | 涉歷史虛無主義有害信息舉報(bào)專區(qū) | 涉企侵權(quán)舉報(bào)專區(qū)
違法和不良信息舉報(bào)電話:027-86699610 舉報(bào)郵箱:58377363@163.com