5.腐蝕的常見類型 (1)析氫腐蝕 在酸性條件下.正極發(fā)生2H++2e-=H2↑反應(yīng). (2)吸氧腐蝕 在極弱酸或中性條件下.正極發(fā)生2H2O+O2+4e-=4OH-反應(yīng). 若負(fù)極金屬不與電解質(zhì)溶液發(fā)生直接的反應(yīng).則形成吸氧腐蝕的原電池反應(yīng).如生鐵浸入食鹽水中.會形成許多微小的原電池. 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

不銹鋼是由鐵、鉻、鎳、碳及眾多不同元素所組成的合金,鐵是主要成分元素,鉻是第一主要的合金元素。其中鉻的含量不能低于11%,不然就不能生成致密氧化膜CrO3防止腐蝕。

(1)基態(tài)碳(C)原子的軌道表示式為                     。

(2)[Cr(H2O)4Cl2]Cl?2H2O中Cr的配位數(shù)為        ;已知CrO5中Cr為+6價,則CrO5的結(jié)構(gòu)式為          

(3)金屬鎳粉在CO氣流中輕微加熱,生成無色揮發(fā)性液態(tài)Ni(CO)4,呈四面體構(gòu)型。423K時,Ni(CO)4分解為Ni和CO,從而制得高純度的Ni粉。試推測:四羰基鎳的晶體類型是          , Ni(CO)4易溶于下列          。

A.水         B.四氯化碳       C.苯        D.硫酸鎳溶液

(4)Fe的一種晶體如甲、乙所示,若按甲虛線方向切乙得到的A~B圖中正確的是        。




(5)據(jù)報道,只含鎂、鎳和碳三種元素的晶體竟然具有超導(dǎo)性。鑒于這三種元素都是常見元素,從而引起廣泛關(guān)注。該晶體的結(jié)構(gòu)可看作由鎂原子和鎳原子在一起進(jìn)行面心立方密堆積,試寫出該晶體的化學(xué)式              。晶體中每個鎂原子周圍距離最近的鎳原子有          個。

圖中:碳原子用小球,鎳原子用大球,鎂原子用大

  

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氮化硅(Si3N4)是一種優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷,在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域中有重要用途.

Ⅰ.工業(yè)上有多種方法來制備氮化硅,常見的方法:

方法一 直接氮化法:在1 300~1 400℃時,高純粉狀硅與純氮?dú)饣希浞磻?yīng)方程式為______.
方法二 化學(xué)氣相沉積法:在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氮?dú)、氫氣反?yīng)生成氮化硅和HCl,與方法一相比,用此法制得的氮化硅純度較高,其原因是______.
方法三 Si(NH24熱分解法:先用四氯化硅與氨氣反應(yīng)生成Si3N4和一種氣體______(填分子式);然后使Si(NH24受熱分解,分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為______.
Ⅱ.(1)氮化硅抗腐蝕能力很強(qiáng),但易被氫氟酸腐蝕,氮化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和一種銨鹽,此鹽中存在的化學(xué)鍵類型有______.
(2)已知:25℃,101kPa條件下的熱化學(xué)方程式:
3Si(s)+2N2(g)═Si3N4(s)△H=-750.2kJ/mol  ①
Si(s)+2C12(g)═SiCl4(g)△H=-609.6kJ/mol 、
數(shù)學(xué)公式H2(g)+數(shù)學(xué)公式C12(g)═HCl(g)△H=-92.3kJ/mol  ③
請寫出四氯化硅氣體與氮?dú)、氫氣反?yīng)的熱化學(xué)方程式:______.
Ⅲ.工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下:


已知:X、高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應(yīng),Y與X在光照或點(diǎn)燃條件下可反應(yīng),Z的焰色呈黃色.
(1)原料B的主要成分是______(填化學(xué)式).
(2)寫出焦炭與原料B中的主要成分反應(yīng)的化學(xué)方程式:______.
(3)上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液時,陽極材料能否用Cu?______(填“能”或“不能”).寫出Cu為陽極電解A的水溶液開始一段時間陰、陽極的電極反應(yīng)方程式.陽極:______;陰極:______.

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