（14分）工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅。

（1）題26圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是     ；NaOH溶液的出口為       （填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為       （填字母）；干燥塔中應(yīng)使用的液體是      。

（2）多晶硅主要采用SiHCl₃還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl₄的綜合利用收到廣泛關(guān)注。

①SiCl₄可制氣相白炭黑（與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl₄與H₂和O₂反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為                                     。

②SiCl₄可轉(zhuǎn)化為SiHCl₃而循環(huán)使用。一定條件下，在20L恒容密閉容器中的反應(yīng)：

   3 SiCl₄（g）+2H₂（g）+Si（s）4SiHCl₃（g）

達(dá)平衡后，H₂與SiHCl₃物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L，若H₂全部來源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為   kg。

（3）采用無膜電解槽電解飽和食鹽水，可制取氯酸鈉，同時(shí)生成氫氣，現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg，則生成氫氣      （標(biāo)準(zhǔn)狀況）。

工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅。

（1）題26圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是     ；NaOH溶液的出口為       （填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為       （填字母）；干燥塔中應(yīng)使用的液體是      。

（2）多晶硅主要采用SiHCl₃還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl₄的綜合利用收到廣泛關(guān)注。

①SiCl₄可制氣相白炭黑（與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl₄與H₂和O₂反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為                                     。

②SiCl₄可轉(zhuǎn)化為SiHCl₃而循環(huán)使用。一定條件下，在20L恒容密閉容器中的反應(yīng)：

   3 SiCl₄（g）+2H₂（g）+Si（s）4SiHCl₃（g）

達(dá)平衡后，H₂與SiHCl₃物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L，若H₂全部來源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為   kg。

（3）采用無膜電解槽電解飽和食鹽水，可制取氯酸鈉，同時(shí)生成氫氣，現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg，則生成氫氣      （標(biāo)準(zhǔn)狀況）。

工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅。

（1）題26圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是     ；NaOH溶液的出口為       （填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為       （填字母）；干燥塔中應(yīng)使用的液體是      。

（2）多晶硅主要采用SiHCl₃還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl₄的綜合利用收到廣泛關(guān)注。

①SiCl₄可制氣相白炭黑（與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl₄與H₂和O₂反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為                                     。

②SiCl₄可轉(zhuǎn)化為SiHCl₃而循環(huán)使用。一定條件下，在20L恒容密閉容器中的反應(yīng)：

   3 SiCl₄（g）+2H₂（g）+Si（s）4SiHCl₃（g）

達(dá)平衡后，H₂與SiHCl₃物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L，若H₂全部來源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為   kg。

（3）采用無膜電解槽電解飽和食鹽水，可制取氯酸鈉，同時(shí)生成氫氣，現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg，則生成氫氣      （標(biāo)準(zhǔn)狀況）。

工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅。

（1）題26圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是     ；NaOH溶液的出口為       （填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為       （填字母）；干燥塔中應(yīng)使用的液體是      。

（2）多晶硅主要采用SiHCl₃還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl₄的綜合利用收到廣泛關(guān)注。

①SiCl₄可制氣相白炭黑（與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl₄與H₂和O₂反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為                                     。

②SiCl₄可轉(zhuǎn)化為SiHCl₃而循環(huán)使用。一定條件下，在20L恒容密閉容器中的反應(yīng)：

   3 SiCl₄（g）+2H₂（g）+Si（s）4SiHCl₃（g）

達(dá)平衡后，H₂與SiHCl₃物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L，若H₂全部來源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為   kg。

（3）采用無膜電解槽電解飽和食鹽水，可制取氯酸鈉，同時(shí)生成氫氣，現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg，則生成氫氣      （標(biāo)準(zhǔn)狀況）。

（12分）工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅。

（1）下圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是     ；NaOH溶液的出口為       （填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為       （填字母）；干燥塔中應(yīng)使用的液體是      。

（2）多晶硅主要采用SiHCl₃還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl₄的綜合利用受到廣泛關(guān)注。

① SiCl₄可制氣相白炭黑（與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl₄與H₂和O₂反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為                       。

② SiCl₄可轉(zhuǎn)化為SiHCl₃而循環(huán)使用。一定條件下，在20L恒容密閉容器中的反應(yīng)：

   3 SiCl₄（g）+2H₂（g）+Si（s）4SiHCl₃（g）

達(dá)平衡后，H₂與SiHCl₃物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L，若H₂全部來源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為  ______kg。

（3）采用無膜電解槽電解飽和食鹽水，可制取氯酸鈉，同時(shí)生成氫氣，現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg，則生成氫氣     （標(biāo)準(zhǔn)狀況）。