將兩種或多種金屬（或金屬與非金屬）在同一容器中加熱使其液化熔合，冷凝后得到具有金屬特性的熔合物合金．這是制取合金的常用方法之一．試據(jù)下表數(shù)據(jù)判斷（加熱條件可滿足），不宜采用上述方法制取的合金是

金屬	Na	Mg	Al	Cu	Fe
熔點(diǎn)/℃	97.5	649	660	1083	1535
沸點(diǎn)/℃	883	1090	2467	2567	2750

1. A.
   Na～Al合金
2. B.
   Mg～Fe合金
3. C.
   Al～Cu合金
4. D.
   Cu～Fe合金

（10分）閱讀短文，回答問題：

巨磁電阻效應(yīng)1988年阿爾貝·費(fèi)爾和彼得·格林貝格爾發(fā)現(xiàn)，在鐵、鉻相間的三層復(fù)合

電阻中，微弱的磁場(chǎng)可以導(dǎo)致電阻大小的急劇變化，這種現(xiàn)象被命名為“巨磁電阻效應(yīng)”．

更多的實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，并非任意兩種不同種金屬相間的三層膜都具有“巨磁電阻效應(yīng)”．組成三

層膜的兩種金屬中，有一種是鐵、鈷、鎳這三種容易被磁化的金屬中的一種，另一種是不易被磁化的其他金屬，才可能產(chǎn)生“巨磁電阻效應(yīng)”．

進(jìn)一步研究表明，“巨磁電阻效應(yīng)”只發(fā)生在膜層的厚度為特定值時(shí)．用R₀表示未加磁場(chǎng)時(shí)的電阻，R表示加入磁場(chǎng)后的電阻，科學(xué)家測(cè)得鐵、鉻組成的復(fù)合膜R與R₀之比與膜層厚度d（三層膜厚度均相同）的關(guān)系如乙圖所示．

1994年IBM公司根據(jù)“巨磁電阻效應(yīng)”原理，研制出“新型讀出磁頭”，將磁場(chǎng)對(duì)復(fù)合膜阻值的影響轉(zhuǎn)換成電流的變化來讀取信息．

（1）以下兩種金屬組成的三層復(fù)合膜可發(fā)生“巨磁電阻效應(yīng)”的是  ▲  ．

A．鎳、鉻       B．銅、銀       C．銅、鉻     D．鐵、鎳

（2）對(duì)鐵、鉻組成的復(fù)合膜，當(dāng)膜層厚度是2.2nm時(shí)，這種復(fù)合膜電阻  ▲  （選填“具有”或“不具有”）“巨磁電阻效應(yīng)”．

（3）“新型讀出磁頭”可將微弱的磁信息轉(zhuǎn)化為  ▲   信息．

（4）鐵、鉻組成的復(fù)合膜，發(fā)生“巨磁電阻效應(yīng)”時(shí)，

其電阻R比未加磁場(chǎng)時(shí)的電阻R₀   ▲   （選填

“大”或“小”）得多．

（5）丙圖是硬盤某區(qū)域磁記錄的分布情況，其中1表示有磁區(qū)域，0表示無磁區(qū)域．將鐵、鉻復(fù)合膜制成的“新型讀出磁頭”組成如圖所示電路，當(dāng)磁頭從左向右勻速經(jīng)過該區(qū)域過程中，電流表讀數(shù)變化情況應(yīng)是丁圖中的 ▲  ．

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巨磁電阻效應(yīng)1988年阿爾貝·費(fèi)爾和彼得·格林貝格爾發(fā)現(xiàn)，在鐵、鉻相間的三層復(fù)合
電阻中，微弱的磁場(chǎng)可以導(dǎo)致電阻大小的急劇變化，這種現(xiàn)象被命名為“巨磁電阻效應(yīng)”．
更多的實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，并非任意兩種不同種金屬相間的三層膜都具有“巨磁電阻效應(yīng)”．組成三
層膜的兩種金屬中，有一種是鐵、鈷、鎳這三種容易被磁化的金屬中的一種，另一種是不易被磁化的其他金屬，才可能產(chǎn)生“巨磁電阻效應(yīng)”．進(jìn)一步研究表明，“巨磁電阻效應(yīng)”只發(fā)生在膜層的厚度為特定值時(shí)．用R₀表示未加磁場(chǎng)時(shí)的電阻，R表示加入磁場(chǎng)后的電阻，科學(xué)家測(cè)得鐵、鉻組成的復(fù)合膜R與R₀之比與膜層厚度d（三層膜厚度均相同）的關(guān)系如乙圖所示．1994年IBM公司根據(jù)“巨磁電阻效應(yīng)”原理，研制出“新型讀出磁頭”，將磁場(chǎng)對(duì)復(fù)合膜阻值的影響轉(zhuǎn)換成電流的變化來讀取信息．
 

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巨磁電阻效應(yīng)1988年阿爾貝·費(fèi)爾和彼得·格林貝格爾發(fā)現(xiàn)，在鐵、鉻相間的三層復(fù)合

電阻中，微弱的磁場(chǎng)可以導(dǎo)致電阻大小的急劇變化，這種現(xiàn)象被命名為“巨磁電阻效應(yīng)”．

更多的實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，并非任意兩種不同種金屬相間的三層膜都具有“巨磁電阻效應(yīng)”．組成三

層膜的兩種金屬中，有一種是鐵、鈷、鎳這三種容易被磁化的金屬中的一種，另一種是不易被磁化的其他金屬，才可能產(chǎn)生“巨磁電阻效應(yīng)”．

進(jìn)一步研究表明，“巨磁電阻效應(yīng)”只發(fā)生在膜層的厚度為特定值時(shí)．用R₀表示未加磁場(chǎng)時(shí)的電阻，R表示加入磁場(chǎng)后的電阻，科學(xué)家測(cè)得鐵、鉻組成的復(fù)合膜R與R₀之比與膜層厚度d（三層膜厚度均相同）的關(guān)系如乙圖所示．

1994年IBM公司根據(jù)“巨磁電阻效應(yīng)”原理，研制出“新型讀出磁頭”，將磁場(chǎng)對(duì)復(fù)合膜阻值的影響轉(zhuǎn)換成電流的變化來讀取信息．

（1）以下兩種金屬組成的三層復(fù)合膜可發(fā)生“巨磁電阻效應(yīng)”的是  ▲  ．

A．鎳、鉻       B．銅、銀       C．銅、鉻      D．鐵、鎳

（2）對(duì)鐵、鉻組成的復(fù)合膜，當(dāng)膜層厚度是2.2nm時(shí)，這種復(fù)合膜電阻  ▲  （選填“具有”或“不具有”）“巨磁電阻效應(yīng)”．

（3）“新型讀出磁頭”可將微弱的磁信息轉(zhuǎn)化為   ▲   信息．

（4）鐵、鉻組成的復(fù)合膜，發(fā)生“巨磁電阻效應(yīng)”時(shí)，

其電阻R比未加磁場(chǎng)時(shí)的電阻R₀   ▲   （選填

“大”或“小”）得多．

（5）丙圖是硬盤某區(qū)域磁記錄的分布情況，其中1表示有磁區(qū)域，0表示無磁區(qū)域．將鐵、鉻復(fù)合膜制成的“新型讀出磁頭”組成如圖所示電路，當(dāng)磁頭從左向右勻速經(jīng)過該區(qū)域過程中，電流表讀數(shù)變化情況應(yīng)是丁圖中的  ▲  ．