如圖甲所示,光滑水平面上的兩個(gè)物體A、B在運(yùn)動(dòng)中彼此間發(fā)生了相互作用,圖乙為A、B相互作用前后的速度一時(shí)間圖象,(  )
A.A、B的質(zhì)量之比為l:2
B.A、B的質(zhì)量之比為2:l
C.A、B作用前后的總動(dòng)能減小
D.A、B作用前后的總動(dòng)能不變
魔方格
D
請?jiān)谶@里輸入關(guān)鍵詞:
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

如圖甲所示,光滑水平面上的兩個(gè)物體A、B在運(yùn)動(dòng)中彼此間發(fā)生了相互作用,圖乙為A、B相互作用前后的速度一時(shí)間圖象,(  )
A.A、B的質(zhì)量之比為l:2
B.A、B的質(zhì)量之比為2:l
C.A、B作用前后的總動(dòng)能減小
D.A、B作用前后的總動(dòng)能不變
精英家教網(wǎng)

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:2008-2009學(xué)年江蘇省鎮(zhèn)江市高三(上)第二次調(diào)研物理試卷(解析版) 題型:選擇題

如圖甲所示,光滑水平面上的兩個(gè)物體A、B在運(yùn)動(dòng)中彼此間發(fā)生了相互作用,圖乙為A、B相互作用前后的速度一時(shí)間圖象,( )

A.A、B的質(zhì)量之比為l:2
B.A、B的質(zhì)量之比為2:l
C.A、B作用前后的總動(dòng)能減小
D.A、B作用前后的總動(dòng)能不變

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

如圖甲所示,光滑水平面上A、B兩點(diǎn)相距xAB=13m,一個(gè)質(zhì)量m=1.0kg的小滑塊在水平推力的作用下沿水平面自左向右滑動(dòng),所受水平推力按圖乙所示的規(guī)律變化,求:
(1)滑塊在t=3.0s末距A點(diǎn)的距離;
(2)滑塊到達(dá)B點(diǎn)時(shí)速度的大。

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:解答題

如圖甲所示,光滑水平面上A、B兩點(diǎn)相距xAB=13m,一個(gè)質(zhì)量m=1.0kg的小滑塊在水平推力的作用下沿水平面自左向右滑動(dòng),所受水平推力按圖乙所示的規(guī)律變化,求:
(1)滑塊在t=3.0s末距A點(diǎn)的距離;
(2)滑塊到達(dá)B點(diǎn)時(shí)速度的大小.

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:2009-2010學(xué)年北京市朝陽區(qū)高一(上)期末物理試卷(解析版) 題型:解答題

如圖甲所示,光滑水平面上A、B兩點(diǎn)相距xAB=13m,一個(gè)質(zhì)量m=1.0kg的小滑塊在水平推力的作用下沿水平面自左向右滑動(dòng),所受水平推力按圖乙所示的規(guī)律變化,求:
(1)滑塊在t=3.0s末距A點(diǎn)的距離;
(2)滑塊到達(dá)B點(diǎn)時(shí)速度的大小.

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:不詳 題型:問答題

如圖甲所示,光滑水平面上A、B兩點(diǎn)相距xAB=13m,一個(gè)質(zhì)量m=1.0kg的小滑塊在水平推力的作用下沿水平面自左向右滑動(dòng),所受水平推力按圖乙所示的規(guī)律變化,求:
(1)滑塊在t=3.0s末距A點(diǎn)的距離;
(2)滑塊到達(dá)B點(diǎn)時(shí)速度的大。

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:2011年河南省五市高三第二次聯(lián)合考試?yán)砜凭C合物理試題 題型:單選題

如圖甲所示,光滑水平面上有一個(gè)單匝均勻正方形銅線框,錢框質(zhì)量為m,邊長為a,總電阻為R.垂直于水平面的有界勻強(qiáng)磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,磁場左、右邊界相互平行,相距為b(b>3a).線框的MN邊與磁場邊界平行.在垂直于MN的水平恒力F作用下線框水平向右運(yùn)動(dòng),t=0時(shí)MN邊以速度v0進(jìn)入磁場,t=t0時(shí)線框完全進(jìn)入磁場,t=3t0時(shí)線框MN邊以速度v0離開磁場.v-t圖象如圖乙所示.

A.t=0時(shí),線框MN邊兩端電壓為Bav0
B.t0時(shí)刻線框的速度為(v0-2Ft0/m)
C.線框完全離開磁場的瞬間速度一定比t0時(shí)刻線框的速度大
D.線框在開始進(jìn)入磁場到完全離開磁場過程中產(chǎn)生的電熱為F(a+b)

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:2011年河南省五市高三第二次聯(lián)合考試?yán)砜凭C合物理試題 題型:選擇題

如圖甲所示,光滑水平面上有一個(gè)單匝均勻正方形銅線框,錢框質(zhì)量為m,邊長為a,總電阻為R.垂直于水平面的有界勻強(qiáng)磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,磁場左、右邊界相互平行,相距為b(b>3a).線框的MN邊與磁場邊界平行.在垂直于MN的水平恒力F作用下線框水平向右運(yùn)動(dòng),t=0時(shí)MN邊以速度v0進(jìn)入磁場,t=t0時(shí)線框完全進(jìn)入磁場,t=3t0時(shí)線框MN邊以速度v0離開磁場.v-t圖象如圖乙所示.

A.t=0時(shí),線框MN邊兩端電壓為Bav0

B.t0時(shí)刻線框的速度為(v0-2Ft0/m)

    C.線框完全離開磁場的瞬間速度一定比t0時(shí)刻線框的速度大

D.線框在開始進(jìn)入磁場到完全離開磁場過程中產(chǎn)生的電熱為F(a+b)

 

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

如圖甲所示,光滑水平面上有一個(gè)單匝均勻正方形銅線框,錢框質(zhì)量為m,邊長為a,總電阻為R.垂直于水平面的有界勻強(qiáng)磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,磁場左、右邊界相互平行,相距為b(b>3a).線框的MN邊與磁場邊界平行.在垂直于MN的水平恒力F作用下線框水平向右運(yùn)動(dòng),t=0時(shí)MN邊以速度v0進(jìn)入磁場,t=t0時(shí)線框完全進(jìn)入磁場,t=3t0時(shí)線框MN邊以速度v0離開磁場.v-t圖象如圖乙所示.
A.t=0時(shí),線框MN邊兩端電壓為Bav0
B.t0時(shí)刻線框的速度為(v0-2Ft0/m)
C.線框完全離開磁場的瞬間速度一定比t0時(shí)刻線框的速度大
D.線框在開始進(jìn)入磁場到完全離開磁場過程中產(chǎn)生的電熱為F(a+b)

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

如圖甲所示,光滑水平面上有一個(gè)單匝均勻正方形銅線框,錢框質(zhì)量為m,邊長為a,總電阻為R.垂直于水平面的有界勻強(qiáng)磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,磁場左、右邊界相互平行,相距為b(b>3a).線框的MN邊與磁場邊界平行.在垂直于MN的水平恒力F作用下線框水平向右運(yùn)動(dòng),t=0時(shí)MN邊以速度v0進(jìn)入磁場,t=t0時(shí)線框完全進(jìn)入磁場,t=3t0時(shí)線框MN邊以速度v0離開磁場.v-t圖象如圖乙所示.(  )
A.t=0時(shí),線框MN邊兩端電壓為Bav0
B.t0時(shí)刻線框的速度為(v0-2Ft0)/m
C.線框完全離開磁場的瞬間速度一定比t0時(shí)刻線框的速度大
D.線框在開始進(jìn)入磁場到完全離開磁場過程中產(chǎn)生的電熱為F(a+b)
精英家教網(wǎng)

查看答案和解析>>


同步練習(xí)冊答案