如圖所示,虛線框內(nèi)是磁感應強度為B的勻強磁場,導線框的四條邊的電阻均為r,長均為L,線框平面與磁場方向垂直.當導線框以恒定速度v水平向右運動,ab邊進入磁場時,ab兩端的電勢差為U,則( 。
A.U=
1
4
BLv
B.U=
1
3
BLv
C.U=
1
2
BLv
D.U=
3
4
BLv
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相關習題

科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,虛線框內(nèi)是磁感應強度為B的勻強磁場,導線框的四條邊的電阻均為r,長均為L,線框平面與磁場方向垂直.當導線框以恒定速度v水平向右運動,ab邊進入磁場時,ab兩端的電勢差為U,則( 。

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,虛線框內(nèi)是磁感應強度為B的勻強磁場,導線框的三條豎直邊的電阻均為r,長均為L,兩橫邊電阻不計,線框平面與磁場方向垂直.當導線框以恒定速度v水平向右運動,ab邊進入磁場時,ab兩端的電勢差為U1,當cd邊進入磁場時,ab兩端的電勢差為U2,則( 。

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

如圖所示,虛線框內(nèi)是磁感應強度為B的勻強磁場,導線框的四條邊的電阻均為r,長均為L,線框平面與磁場方向垂直.當導線框以恒定速度v水平向右運動,ab邊進入磁場時,ab兩端的電勢差為U,則(  )
A.U=
1
4
BLv
B.U=
1
3
BLv
C.U=
1
2
BLv
D.U=
3
4
BLv
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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

如圖所示,虛線框內(nèi)是磁感應強度為B的勻強磁場,導線框的四條邊的電阻均為r,長均為L,線框平面與磁場方向垂直.當導線框以恒定速度v水平向右運動,ab邊進入磁場時,ab兩端的電勢差為U,則( 。
A.U=
1
4
BLv
B.U=
1
3
BLv
C.U=
1
2
BLv
D.U=
3
4
BLv
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科目:高中物理 來源:不詳 題型:多選題

如圖所示,虛線框內(nèi)是磁感應強度為B的勻強磁場,導線框的三條豎直邊的電阻均為r,長均為L,兩橫邊電阻不計,線框平面與磁場方向垂直.當導線框以恒定速度v水平向右運動,ab邊進入磁場時,ab兩端的電勢差為U1,當cd邊進入磁場時,ab兩端的電勢差為U2,則(  )
A.U1=BLvB.U1=
1
3
BLv
C.U2=BLvD.U2=
2
3
BLv
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科目:高中物理 來源:2010-2011學年湖南師大附中高二(上)期末物理試卷(解析版) 題型:選擇題

如圖所示,虛線框內(nèi)是磁感應強度為B的勻強磁場,導線框的四條邊的電阻均為r,長均為L,線框平面與磁場方向垂直.當導線框以恒定速度v水平向右運動,ab邊進入磁場時,ab兩端的電勢差為U,則( )

A.U=BLv
B.U=BLv
C.U=BLv
D.U=BLv

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科目:高中物理 來源:2010-2011學年廣東省中山一中高二(上)第二次段考物理試卷(解析版) 題型:選擇題

如圖所示,虛線框內(nèi)是磁感應強度為B的勻強磁場,導線框的三條豎直邊的電阻均為r,長均為L,兩橫邊電阻不計,線框平面與磁場方向垂直.當導線框以恒定速度v水平向右運動,ab邊進入磁場時,ab兩端的電勢差為U1,當cd邊進入磁場時,ab兩端的電勢差為U2,則( )

A.U1=BLv
B.U1=BLv
C.U2=BLv
D.U2=BLv

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科目:高中物理 來源:同步題 題型:不定項選擇

如圖所示,虛線框內(nèi)是磁感應強度為B的勻強磁場,導線框的三條豎直邊的電阻均為r,長均為L,兩橫邊電阻不計,線框平面與磁場方向垂直。當導線框以恒定速度v水平向右運動,ab邊進入磁場時,ab兩端的電勢差為U1,當cd邊進入磁場時,ab兩端的電勢差為U2,則
[     ]
A.U1=BLv
B.U1=BLv
C.U2=BLv
D.U2=BLv

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科目:高中物理 來源:0118 期末題 題型:單選題

如圖所示,虛線框內(nèi)是磁感應強度為B的勻強磁場,導線框的四條邊的電阻均為r,長均為L,線框平面與磁場方向垂直。當導線框以恒定速度v水平向右運動,ab邊進入磁場時,ab兩端的電勢差為U,則
[     ]
A.U=BLv
B.U=BLv
C.U=BLv
D.U=BLv

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,虛線框內(nèi)是磁感應強度為B的勻強磁場,導線框的三條豎直邊的電阻均為r,長均為L,兩橫邊電阻不計,線框平面與磁場方向垂直。當導線框以恒定速度v水平向右運動,ab邊進入磁場時,ab兩端的電勢差為U1,當cd邊進入磁場時,ab兩端的電勢差為U2,則

 A.U1=BLv       B.U1=BLv      C.U2 = BLv         D.U=BLv

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