圖a為測量分子速率分布的裝置示意圖．圓筒繞其中心勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，側(cè)面開有狹縫N，內(nèi)側(cè)貼有記錄薄膜，M為正對(duì)狹縫的位置．從原子爐R中射出的銀原子蒸汽穿過屏上的S縫后進(jìn)入狹縫N，在圓筒轉(zhuǎn)動(dòng)半個(gè)周期的時(shí)間內(nèi)相繼到達(dá)并沉積在薄膜上．展開的薄膜如圖b所示，NP，PQ間距相等．則（　�。�
A．到達(dá)M附近的銀原子速率較大
B．到達(dá)Q附近的銀原子速率較大
C．位于PQ區(qū)間的分子百分率大于位于NP區(qū)間的分子百分率
D．位于PQ區(qū)間的分子百分率小于位于NP區(qū)間的分子百分率
魔方格
C
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相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源：2012年普通高等學(xué)校招生全國統(tǒng)一考試?yán)砭C物理（上海卷解析版） 題型：選擇題

圖a為測量分子速率分布的裝置示意圖。圓筒繞其中心勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，側(cè)面開有狹縫N，內(nèi)側(cè)貼有記錄薄膜，M為正對(duì)狹縫的位置。從原子爐R中射出的銀原子蒸汽穿過屏上S縫后進(jìn)入狹縫N，在圓筒轉(zhuǎn)動(dòng)半個(gè)周期的時(shí)間內(nèi)相繼到達(dá)并沉積在薄膜上。展開的薄膜如圖b所示，NP，PQ間距相等。則  （       ）

（A）到達(dá)M附近的銀原子速率較大

（B）到達(dá)Q附近的銀原子速率較大

（C）位于PQ區(qū)間的分子百分率大于位于NP區(qū)間的分子百分率

（D）位于PQ區(qū)間的分子百分率小于位于NP區(qū)間的分子百分率

 

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科目：高中物理 來源：上海 題型：多選題

圖a為測量分子速率分布的裝置示意圖．圓筒繞其中心勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，側(cè)面開有狹縫N，內(nèi)側(cè)貼有記錄薄膜，M為正對(duì)狹縫的位置．從原子爐R中射出的銀原子蒸汽穿過屏上的S縫后進(jìn)入狹縫N，在圓筒轉(zhuǎn)動(dòng)半個(gè)周期的時(shí)間內(nèi)相繼到達(dá)并沉積在薄膜上．展開的薄膜如圖b所示，NP，PQ間距相等．則（　　）
A．到達(dá)M附近的銀原子速率較大
B．到達(dá)Q附近的銀原子速率較大
C．位于PQ區(qū)間的分子百分率大于位于NP區(qū)間的分子百分率
D．位于PQ區(qū)間的分子百分率小于位于NP區(qū)間的分子百分率
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科目：高中物理 來源：上海 題型：單選題

圖a為測量分子速率分布的裝置示意圖．圓筒繞其中心勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，側(cè)面開有狹縫N，內(nèi)側(cè)貼有記錄薄膜，M為正對(duì)狹縫的位置．從原子爐R中射出的銀原子蒸汽穿過屏上的S縫后進(jìn)入狹縫N，在圓筒轉(zhuǎn)動(dòng)半個(gè)周期的時(shí)間內(nèi)相繼到達(dá)并沉積在薄膜上．展開的薄膜如圖b所示，NP，PQ間距相等．則（　�。�
A．到達(dá)M附近的銀原子速率較大
B．到達(dá)Q附近的銀原子速率較大
C．位于PQ區(qū)間的分子百分率大于位于NP區(qū)間的分子百分率
D．位于PQ區(qū)間的分子百分率小于位于NP區(qū)間的分子百分率
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科目：高中物理 來源：2012年上海市高考物理試卷（解析版） 題型：選擇題

圖a為測量分子速率分布的裝置示意圖．圓筒繞其中心勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，側(cè)面開有狹縫N，內(nèi)側(cè)貼有記錄薄膜，M為正對(duì)狹縫的位置．從原子爐R中射出的銀原子蒸汽穿過屏上的S縫后進(jìn)入狹縫N，在圓筒轉(zhuǎn)動(dòng)半個(gè)周期的時(shí)間內(nèi)相繼到達(dá)并沉積在薄膜上．展開的薄膜如圖b所示，NP，PQ間距相等．則（ ）

A．到達(dá)M附近的銀原子速率較大
B．到達(dá)Q附近的銀原子速率較大
C．位于PQ區(qū)間的分子百分率大于位于NP區(qū)間的分子百分率
D．位于PQ區(qū)間的分子百分率小于位于NP區(qū)間的分子百分率

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

圖a為測量分子速率分布的裝置示意圖。圓筒繞其中心勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，側(cè)面開有狹縫N，內(nèi)側(cè)貼有記錄薄膜，M為正對(duì)狹縫的位置。從原子爐R中射出的銀原子蒸汽穿過屏上S縫后進(jìn)入狹縫N，在圓筒轉(zhuǎn)動(dòng)半個(gè)周期的時(shí)間內(nèi)相繼到達(dá)并沉積在薄膜上。展開的薄膜如圖b所示，NP，PQ間距相等。則     （      ）
A．到達(dá)M附近的銀原子速率較大
B．到達(dá)Q附近的銀原子速率較大
C．位于PQ區(qū)間的分子百分率大于位于NP區(qū)間的分子百分率
D．位于PQ區(qū)間的分子百分率小于位于NP區(qū)間的分子百分率

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科目：高中物理 來源：上海高考真題 題型：多選題

圖a為測量分子速率分布的裝置示意圖。圓筒繞其中心勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，側(cè)面開有狹縫N，內(nèi)側(cè)貼有記錄薄膜，M為正對(duì)狹縫的位置。從原子爐R中射出的銀原子蒸汽穿過屏上的S縫后進(jìn)入狹縫N，在圓筒轉(zhuǎn)動(dòng)半個(gè)周期的時(shí)間內(nèi)相繼到達(dá)并沉積在薄膜上。展開的薄膜如圖b所示，NP，PQ間距相等。則
[     ]
A.到達(dá)M附近的銀原子速率較大
B.到達(dá)Q附近的銀原子速率較大
C.位于PQ區(qū)間的分子百分率大于位于NP區(qū)間的分子百分率
D.位于PQ區(qū)間的分子百分率小于位于NP區(qū)間的分子百分率

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科目：高中物理 來源： 題型：

圖a為測量分子速率分布的裝置示意圖。圓筒繞其中心勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，側(cè)面開有狹縫N，內(nèi)側(cè)貼有記錄薄膜，M為正對(duì)狹縫的位置。從原子爐R中射出的銀原子蒸汽穿過屏上的S縫后進(jìn)入狹縫N，在圓筒轉(zhuǎn)動(dòng)半個(gè)周期的時(shí)間內(nèi)相繼到達(dá)并沉積在薄膜上。展開的薄膜如圖b所示，NP，PQ間距相等。則（            ）

（A）到達(dá)M附近的銀原子速率較大

（B）到達(dá)Q附近的銀原子速率較大

（C）位于PQ區(qū)間的分子百分率大于位于NP區(qū)間的分子百分率

（D）位于PQ區(qū)間的分子百分率小于位于NP區(qū)間的分子百分率

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科目：高中物理 來源：2012年普通高等學(xué)校招生全國統(tǒng)一考試?yán)砭C物理（上海卷帶解析） 題型：單選題

圖a為測量分子速率分布的裝置示意圖。圓筒繞其中心勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，側(cè)面開有狹縫N，內(nèi)側(cè)貼有記錄薄膜，M為正對(duì)狹縫的位置。從原子爐R中射出的銀原子蒸汽穿過屏上S縫后進(jìn)入狹縫N，在圓筒轉(zhuǎn)動(dòng)半個(gè)周期的時(shí)間內(nèi)相繼到達(dá)并沉積在薄膜上。展開的薄膜如圖b所示，NP，PQ間距相等。則 （      ）

A．到達(dá)M附近的銀原子速率較大
B．到達(dá)Q附近的銀原子速率較大
C．位于PQ區(qū)間的分子百分率大于位于NP區(qū)間的分子百分率
D．位于PQ區(qū)間的分子百分率小于位于NP區(qū)間的分子百分率

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科目：高中物理 來源：2012年普通高等學(xué)校招生全國統(tǒng)一考試上海卷物理 題型：021

圖a為測量分子速率分布的裝置示意圖．圓筒繞其中心勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，側(cè)面開有狹縫N，內(nèi)側(cè)貼有記錄薄膜，M為正對(duì)狹縫的位置．從原子爐R中射出的銀原子蒸汽穿過屏上S縫后進(jìn)入狹縫N，在圓筒轉(zhuǎn)動(dòng)半個(gè)周期的時(shí)間內(nèi)相繼到達(dá)并沉積在薄膜上．展開的薄膜如圖b所示，NP，PQ間距相等．則

A．到達(dá)M附近的銀原子速率較大

B．到達(dá)Q附近的銀原子速率較大

C．位于PQ區(qū)間的分子百分率大于位于NP區(qū)問的分子百分率

D．位于PQ區(qū)間的分子百分率小于位于NP區(qū)間的分子百分率

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科目：高中物理 來源： 題型：

（2012?上海）圖a為測量分子速率分布的裝置示意圖．圓筒繞其中心勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，側(cè)面開有狹縫N，內(nèi)側(cè)貼有記錄薄膜，M為正對(duì)狹縫的位置．從原子爐R中射出的銀原子蒸汽穿過屏上的S縫后進(jìn)入狹縫N，在圓筒轉(zhuǎn)動(dòng)半個(gè)周期的時(shí)間內(nèi)相繼到達(dá)并沉積在薄膜上．展開的薄膜如圖b所示，NP，PQ間距相等．則（　�。�

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