質(zhì)譜議的構(gòu)造原理如圖所示．從粒子源S出來時的粒子速度很小，可以看作初速為零，粒子經(jīng)過電場加速后進入有界的垂直紙面向里的勻強磁場區(qū)域，并沿著半圓周運動而達到照相底片上的P點，測得P點到入口的距離為x，則以下說法正確的是

A．粒子一定帶正電

B．粒子一定帶負(fù)電

C．x越大，則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越大

D．x越大，則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越小

質(zhì)譜議的構(gòu)造原理如圖所示．從粒子源S出來時的粒子速度很小，可以看作初速為零，粒子經(jīng)過電場加速后進入有界的垂直紙面向里的勻強磁場區(qū)域，并沿著半圓周運動而達到照相底片上的P點，測得P點到入口的距離為x，則以下說法正確的是

1. A.
   粒子一定帶正電
2. B.
   粒子一定帶負(fù)電
3. C.
   x越大，則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越大
4. D.
   x越大，則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越小

質(zhì)譜議的構(gòu)造原理如圖所示．從粒子源S出來時的粒子速度很小，可以看作初速為零，粒子經(jīng)過電場加速后進入有界的垂直紙面向里的勻強磁場區(qū)域，并沿著半圓周運動而達到照相底片上的P點，測得P點到入口的距離為x，則以下說法正確的是

A．粒子一定帶正電

B．粒子一定帶負(fù)電

C．x越大，則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越大

D．x越大，則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越小

質(zhì)譜議的構(gòu)造原理如圖所示．從粒子源S出來時的粒子速度很小，可以看作初速為零，粒子經(jīng)過電場加速后進入有界的垂直紙面向里的勻強磁場區(qū)域，并沿著半圓周運動而達到照相底片上的P點，測得P點到入口的距離為x，則以下說法正確的是