如圖甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框,邊長為a,總電阻為R,在1位置以速度v0進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,并開始計(jì)時t=0,若磁場的寬度為b(b>3a),在3t0時刻線框到達(dá)2位置速度又為v0,并開始離開勻強(qiáng)磁場.此過程中v-t圖象如圖乙所示,則( 。
A.t=0時,線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav0
B.在t0時刻線框的速度為v0-2Ft0/m
C.線框完全離開磁場的瞬間位置3速度一定比t0時刻線框的速度大
D.線框從1位置進(jìn)入磁場到完全離開磁場位置3過程中,線框中產(chǎn)生的電熱為F(a+b)
魔方格
B
請?jiān)谶@里輸入關(guān)鍵詞:
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

如圖甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量為1kg的單匝均勻正方形銅線框,在1位置以速度v0=3m/s進(jìn)入勻強(qiáng)磁場時開始計(jì)時t=0,此時線框中感應(yīng)電動勢為1V,在t=3s時刻線框到達(dá)2位置開始離開勻強(qiáng)磁場.此過程中v-t圖象如圖乙所示,那么( 。
精英家教網(wǎng)
A、t=0時線框右側(cè)的邊兩端M、N間電壓為0.25VB、恒力F的大小為1.0NC、線框完全離開磁場的位置3的瞬時速度為2m/sD、線框完全離開磁場的位置3的瞬時速度為1m/s

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:2014屆山東省濟(jì)寧市高二下學(xué)期期中考試物理試卷(解析版) 題型:選擇題

如圖甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量為1 kg的單匝均勻正方形銅線框,在1位置以速度v0=3 m/s進(jìn)入勻強(qiáng)磁場時開始計(jì)時t=0,此時線框中感應(yīng)電動勢為1 V,在t=3 s時刻線框到達(dá)2位置開始離開勻強(qiáng)磁場.此過程中v-t圖象如圖乙所示,那么(   )

A.t=0時線框右側(cè)的邊兩端M、N間電壓為0.25 V

B.恒力F的大小為1.0 N

C.線框完全離開磁場的位置3的瞬時速度為2 m/s

D.線框完全離開磁場的位置3的瞬時速度為1 m/s

 

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

如圖甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框,邊長為a,總電阻為R,在1位置以速度v0進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,并開始計(jì)時t=0,若磁場的寬度為b(b>3a),在3t0時刻線框到達(dá)2位置速度又為v0,并開始離開勻強(qiáng)磁場.此過程中v-t圖象如圖乙所示,則( 。
A.t=0時,線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav0
B.在t0時刻線框的速度為v0-2Ft0/m
C.線框完全離開磁場的瞬間位置3速度一定比t0時刻線框的速度大
D.線框從1位置進(jìn)入磁場到完全離開磁場位置3過程中,線框中產(chǎn)生的電熱為F(a+b)
精英家教網(wǎng)

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:2010-2011學(xué)年四川省綿陽中學(xué)高三(下)周練物理試卷(七)(解析版) 題型:選擇題

如圖甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框,邊長為a,總電阻為R,在1位置以速度v進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,并開始計(jì)時t=0,若磁場的寬度為b(b>3a),在3t時刻線框到達(dá)2位置速度又為v,并開始離開勻強(qiáng)磁場.此過程中v-t圖象如圖乙所示,則( )

A.t=0時,線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav
B.在t時刻線框的速度為v-2Ft/m
C.線框完全離開磁場的瞬間位置3速度一定比t時刻線框的速度大
D.線框從1位置進(jìn)入磁場到完全離開磁場位置3過程中,線框中產(chǎn)生的電熱為F(a+b)

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:2010-2011學(xué)年湖南省常德市澧縣二中高三(下)第七次月考物理試卷(解析版) 題型:選擇題

如圖甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框,邊長為a,總電阻為R,在1位置以速度v進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,并開始計(jì)時t=0,若磁場的寬度為b(b>3a),在3t時刻線框到達(dá)2位置速度又為v,并開始離開勻強(qiáng)磁場.此過程中v-t圖象如圖乙所示,則( )

A.t=0時,線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav
B.在t時刻線框的速度為v-2Ft/m
C.線框完全離開磁場的瞬間位置3速度一定比t時刻線框的速度大
D.線框從1位置進(jìn)入磁場到完全離開磁場位置3過程中,線框中產(chǎn)生的電熱為F(a+b)

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

如圖甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量為1kg的單匝均勻正方形銅線框,在1位置以速度v0=3m/s進(jìn)入勻強(qiáng)磁場時開始計(jì)時t=0,此時線框中感應(yīng)電動勢為1V,在t=3s時刻線框到達(dá)2位置開始離開勻強(qiáng)磁場.此過程中v-t圖象如圖乙所示,那么( 。
A.t=0時線框右側(cè)的邊兩端M、N間電壓為0.25V
B.恒力F的大小為1.0N
C.線框完全離開磁場的位置3的瞬時速度為2m/s
D.線框完全離開磁場的位置3的瞬時速度為1m/s

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

如圖甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量為1 kg的單匝均勻正方形銅線框,在1位置以速度v0=3 m/s進(jìn)入勻強(qiáng)磁場時開始計(jì)時t=0,此時線框中感應(yīng)電動勢為1 V,在t=3 s時刻線框到達(dá)2位置開始離開勻強(qiáng)磁場.此過程中v-t圖象如圖乙所示,那么(   )
A.t=0時線框右側(cè)的邊兩端M、N間電壓為0.25 V
B.恒力F的大小為1.0 N
C.線框完全離開磁場的位置3的瞬時速度為2 m/s
D.線框完全離開磁場的位置3的瞬時速度為1 m/s

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:單選題

如圖甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量為1 kg的單匝均勻正方形銅線框,在1位置以速度v0=3 m/s進(jìn)入勻強(qiáng)磁場時開始計(jì)時t=0,此時線框中感應(yīng)電動勢為1 V,在t=3 s時刻線框到達(dá)2位置開始離開勻強(qiáng)磁場.此過程中v-t圖象如圖乙所示,那么


  1. A.
    t=0時線框右側(cè)的邊兩端M、N間電壓為0.25 V
  2. B.
    恒力F的大小為1.0 N
  3. C.
    線框完全離開磁場的位置3的瞬時速度為2 m/s
  4. D.
    線框完全離開磁場的位置3的瞬時速度為1 m/s

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:0107 模擬題 題型:不定項(xiàng)選擇

如圖甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框,邊長為a,總電阻為R,在1位置以速度v0進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,并開始計(jì)時t=0,若磁場的寬度為b(b>3a),在3t0時刻線框到達(dá)2位置速度又為v0,并開始離開勻強(qiáng)磁場。此過程中v-t圖象如圖乙所示,則
[     ]
A.t=0時,線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav0
B.在t0時刻線框的速度為v0-2Ft0/m
C.線框完全離開磁場的瞬間位置3速度一定比t0時刻線框的速度大
D.線框從1位置進(jìn)入磁場到完全離開磁場位置3過程中,線框中產(chǎn)生的電熱為F(a+b)

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

如圖甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框,邊長為a

總電阻為R,在1位置以速度v0進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,并開始計(jì)時t=0,若磁場

的寬度為bb>3a),在3t0時刻線框到達(dá)2位置速度又為v0,并開始離開勻強(qiáng)磁場。此過程

v-t圖象如圖乙所示,則(  )

A.t=0時,線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav0

B.在t0時刻線框的速度為v0-2Ft0/m

C.線框完全離開磁場的瞬間位置3速度一定比t0時刻線框的速度大

D.線框從1位置進(jìn)入磁場到完全離開磁場位置3過程中,線框中產(chǎn)生的電熱為F(a+b)

查看答案和解析>>


同步練習(xí)冊答案