如圖甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框,邊長(zhǎng)為a,總電阻為R,在1位置以速度v0進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),并開(kāi)始計(jì)時(shí)t=0,若磁場(chǎng)的寬度為b(b>3a),在3t0時(shí)刻線框到達(dá)2位置速度又為v0,并開(kāi)始離開(kāi)勻強(qiáng)磁場(chǎng).此過(guò)程中v-t圖象如圖乙所示,則( 。
A.t=0時(shí),線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav0
B.在t0時(shí)刻線框的速度為v0-2Ft0/m
C.線框完全離開(kāi)磁場(chǎng)的瞬間位置3速度一定比t0時(shí)刻線框的速度大
D.線框從1位置進(jìn)入磁場(chǎng)到完全離開(kāi)磁場(chǎng)位置3過(guò)程中,線框中產(chǎn)生的電熱為F(a+b)
魔方格
B
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相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量為1kg的單匝均勻正方形銅線框,在1位置以速度v0=3m/s進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)時(shí)開(kāi)始計(jì)時(shí)t=0,此時(shí)線框中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為1V,在t=3s時(shí)刻線框到達(dá)2位置開(kāi)始離開(kāi)勻強(qiáng)磁場(chǎng).此過(guò)程中v-t圖象如圖乙所示,那么( 。
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A、t=0時(shí)線框右側(cè)的邊兩端M、N間電壓為0.25VB、恒力F的大小為1.0NC、線框完全離開(kāi)磁場(chǎng)的位置3的瞬時(shí)速度為2m/sD、線框完全離開(kāi)磁場(chǎng)的位置3的瞬時(shí)速度為1m/s

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科目:高中物理 來(lái)源:2014屆山東省濟(jì)寧市高二下學(xué)期期中考試物理試卷(解析版) 題型:選擇題

如圖甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量為1 kg的單匝均勻正方形銅線框,在1位置以速度v0=3 m/s進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)時(shí)開(kāi)始計(jì)時(shí)t=0,此時(shí)線框中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為1 V,在t=3 s時(shí)刻線框到達(dá)2位置開(kāi)始離開(kāi)勻強(qiáng)磁場(chǎng).此過(guò)程中v-t圖象如圖乙所示,那么(   )

A.t=0時(shí)線框右側(cè)的邊兩端M、N間電壓為0.25 V

B.恒力F的大小為1.0 N

C.線框完全離開(kāi)磁場(chǎng)的位置3的瞬時(shí)速度為2 m/s

D.線框完全離開(kāi)磁場(chǎng)的位置3的瞬時(shí)速度為1 m/s

 

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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:單選題

如圖甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框,邊長(zhǎng)為a,總電阻為R,在1位置以速度v0進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),并開(kāi)始計(jì)時(shí)t=0,若磁場(chǎng)的寬度為b(b>3a),在3t0時(shí)刻線框到達(dá)2位置速度又為v0,并開(kāi)始離開(kāi)勻強(qiáng)磁場(chǎng).此過(guò)程中v-t圖象如圖乙所示,則( 。
A.t=0時(shí),線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav0
B.在t0時(shí)刻線框的速度為v0-2Ft0/m
C.線框完全離開(kāi)磁場(chǎng)的瞬間位置3速度一定比t0時(shí)刻線框的速度大
D.線框從1位置進(jìn)入磁場(chǎng)到完全離開(kāi)磁場(chǎng)位置3過(guò)程中,線框中產(chǎn)生的電熱為F(a+b)
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科目:高中物理 來(lái)源:2010-2011學(xué)年四川省綿陽(yáng)中學(xué)高三(下)周練物理試卷(七)(解析版) 題型:選擇題

如圖甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框,邊長(zhǎng)為a,總電阻為R,在1位置以速度v進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),并開(kāi)始計(jì)時(shí)t=0,若磁場(chǎng)的寬度為b(b>3a),在3t時(shí)刻線框到達(dá)2位置速度又為v,并開(kāi)始離開(kāi)勻強(qiáng)磁場(chǎng).此過(guò)程中v-t圖象如圖乙所示,則( )

A.t=0時(shí),線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav
B.在t時(shí)刻線框的速度為v-2Ft/m
C.線框完全離開(kāi)磁場(chǎng)的瞬間位置3速度一定比t時(shí)刻線框的速度大
D.線框從1位置進(jìn)入磁場(chǎng)到完全離開(kāi)磁場(chǎng)位置3過(guò)程中,線框中產(chǎn)生的電熱為F(a+b)

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科目:高中物理 來(lái)源:2010-2011學(xué)年湖南省常德市澧縣二中高三(下)第七次月考物理試卷(解析版) 題型:選擇題

如圖甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框,邊長(zhǎng)為a,總電阻為R,在1位置以速度v進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),并開(kāi)始計(jì)時(shí)t=0,若磁場(chǎng)的寬度為b(b>3a),在3t時(shí)刻線框到達(dá)2位置速度又為v,并開(kāi)始離開(kāi)勻強(qiáng)磁場(chǎng).此過(guò)程中v-t圖象如圖乙所示,則( )

A.t=0時(shí),線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav
B.在t時(shí)刻線框的速度為v-2Ft/m
C.線框完全離開(kāi)磁場(chǎng)的瞬間位置3速度一定比t時(shí)刻線框的速度大
D.線框從1位置進(jìn)入磁場(chǎng)到完全離開(kāi)磁場(chǎng)位置3過(guò)程中,線框中產(chǎn)生的電熱為F(a+b)

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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:單選題

如圖甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量為1kg的單匝均勻正方形銅線框,在1位置以速度v0=3m/s進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)時(shí)開(kāi)始計(jì)時(shí)t=0,此時(shí)線框中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為1V,在t=3s時(shí)刻線框到達(dá)2位置開(kāi)始離開(kāi)勻強(qiáng)磁場(chǎng).此過(guò)程中v-t圖象如圖乙所示,那么( 。
A.t=0時(shí)線框右側(cè)的邊兩端M、N間電壓為0.25V
B.恒力F的大小為1.0N
C.線框完全離開(kāi)磁場(chǎng)的位置3的瞬時(shí)速度為2m/s
D.線框完全離開(kāi)磁場(chǎng)的位置3的瞬時(shí)速度為1m/s

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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:單選題

如圖甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量為1 kg的單匝均勻正方形銅線框,在1位置以速度v0=3 m/s進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)時(shí)開(kāi)始計(jì)時(shí)t=0,此時(shí)線框中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為1 V,在t=3 s時(shí)刻線框到達(dá)2位置開(kāi)始離開(kāi)勻強(qiáng)磁場(chǎng).此過(guò)程中v-t圖象如圖乙所示,那么(   )
A.t=0時(shí)線框右側(cè)的邊兩端M、N間電壓為0.25 V
B.恒力F的大小為1.0 N
C.線框完全離開(kāi)磁場(chǎng)的位置3的瞬時(shí)速度為2 m/s
D.線框完全離開(kāi)磁場(chǎng)的位置3的瞬時(shí)速度為1 m/s

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:單選題

如圖甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量為1 kg的單匝均勻正方形銅線框,在1位置以速度v0=3 m/s進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)時(shí)開(kāi)始計(jì)時(shí)t=0,此時(shí)線框中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為1 V,在t=3 s時(shí)刻線框到達(dá)2位置開(kāi)始離開(kāi)勻強(qiáng)磁場(chǎng).此過(guò)程中v-t圖象如圖乙所示,那么


  1. A.
    t=0時(shí)線框右側(cè)的邊兩端M、N間電壓為0.25 V
  2. B.
    恒力F的大小為1.0 N
  3. C.
    線框完全離開(kāi)磁場(chǎng)的位置3的瞬時(shí)速度為2 m/s
  4. D.
    線框完全離開(kāi)磁場(chǎng)的位置3的瞬時(shí)速度為1 m/s

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科目:高中物理 來(lái)源:0107 模擬題 題型:不定項(xiàng)選擇

如圖甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框,邊長(zhǎng)為a,總電阻為R,在1位置以速度v0進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),并開(kāi)始計(jì)時(shí)t=0,若磁場(chǎng)的寬度為b(b>3a),在3t0時(shí)刻線框到達(dá)2位置速度又為v0,并開(kāi)始離開(kāi)勻強(qiáng)磁場(chǎng)。此過(guò)程中v-t圖象如圖乙所示,則
[     ]
A.t=0時(shí),線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav0
B.在t0時(shí)刻線框的速度為v0-2Ft0/m
C.線框完全離開(kāi)磁場(chǎng)的瞬間位置3速度一定比t0時(shí)刻線框的速度大
D.線框從1位置進(jìn)入磁場(chǎng)到完全離開(kāi)磁場(chǎng)位置3過(guò)程中,線框中產(chǎn)生的電熱為F(a+b)

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框,邊長(zhǎng)為a,

總電阻為R,在1位置以速度v0進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),并開(kāi)始計(jì)時(shí)t=0,若磁場(chǎng)

的寬度為bb>3a),在3t0時(shí)刻線框到達(dá)2位置速度又為v0,并開(kāi)始離開(kāi)勻強(qiáng)磁場(chǎng)。此過(guò)程

v-t圖象如圖乙所示,則(  )

A.t=0時(shí),線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav0

B.在t0時(shí)刻線框的速度為v0-2Ft0/m

C.線框完全離開(kāi)磁場(chǎng)的瞬間位置3速度一定比t0時(shí)刻線框的速度大

D.線框從1位置進(jìn)入磁場(chǎng)到完全離開(kāi)磁場(chǎng)位置3過(guò)程中,線框中產(chǎn)生的電熱為F(a+b)

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