如圖甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框,邊長為a,總電阻為R,在1位置以速度v0進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,并開始計(jì)時t=0,若磁場的寬度為b(b>3a),在3t0時刻線框到達(dá)2位置速度又為v0,并開始離開勻強(qiáng)磁場.此過程中v-t圖象如圖乙所示,則( 。
![]() |
科目:高中物理 來源: 題型:
A、t=0時線框右側(cè)的邊兩端M、N間電壓為0.25V | B、恒力F的大小為1.0N | C、線框完全離開磁場的位置3的瞬時速度為2m/s | D、線框完全離開磁場的位置3的瞬時速度為1m/s |
科目:高中物理 來源:2014屆山東省濟(jì)寧市高二下學(xué)期期中考試物理試卷(解析版) 題型:選擇題
如圖甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量為1 kg的單匝均勻正方形銅線框,在1位置以速度v0=3 m/s進(jìn)入勻強(qiáng)磁場時開始計(jì)時t=0,此時線框中感應(yīng)電動勢為1 V,在t=3 s時刻線框到達(dá)2位置開始離開勻強(qiáng)磁場.此過程中v-t圖象如圖乙所示,那么( )
A.t=0時線框右側(cè)的邊兩端M、N間電壓為0.25 V
B.恒力F的大小為1.0 N
C.線框完全離開磁場的位置3的瞬時速度為2 m/s
D.線框完全離開磁場的位置3的瞬時速度為1 m/s
科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題
A.t=0時,線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav0 |
B.在t0時刻線框的速度為v0-2Ft0/m |
C.線框完全離開磁場的瞬間位置3速度一定比t0時刻線框的速度大 |
D.線框從1位置進(jìn)入磁場到完全離開磁場位置3過程中,線框中產(chǎn)生的電熱為F(a+b) |
科目:高中物理 來源:2010-2011學(xué)年四川省綿陽中學(xué)高三(下)周練物理試卷(七)(解析版) 題型:選擇題
科目:高中物理 來源:2010-2011學(xué)年湖南省常德市澧縣二中高三(下)第七次月考物理試卷(解析版) 題型:選擇題
科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題
A.t=0時線框右側(cè)的邊兩端M、N間電壓為0.25V |
B.恒力F的大小為1.0N |
C.線框完全離開磁場的位置3的瞬時速度為2m/s |
D.線框完全離開磁場的位置3的瞬時速度為1m/s |
科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題
A.t=0時線框右側(cè)的邊兩端M、N間電壓為0.25 V |
B.恒力F的大小為1.0 N |
C.線框完全離開磁場的位置3的瞬時速度為2 m/s |
D.線框完全離開磁場的位置3的瞬時速度為1 m/s |
科目:高中物理 來源: 題型:單選題
科目:高中物理 來源:0107 模擬題 題型:不定項(xiàng)選擇
科目:高中物理 來源: 題型:
如圖甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框,邊長為a,
總電阻為R,在1位置以速度v0進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,并開始計(jì)時t=0,若磁場
的寬度為b(b>3a),在3t0時刻線框到達(dá)2位置速度又為v0,并開始離開勻強(qiáng)磁場。此過程
中v-t圖象如圖乙所示,則( )
A.t=0時,線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav0
B.在t0時刻線框的速度為v0-2Ft0/m
C.線框完全離開磁場的瞬間位置3速度一定比t0時刻線框的速度大
D.線框從1位置進(jìn)入磁場到完全離開磁場位置3過程中,線框中產(chǎn)生的電熱為F(a+b)
湖北省互聯(lián)網(wǎng)違法和不良信息舉報(bào)平臺 | 網(wǎng)上有害信息舉報(bào)專區(qū) | 電信詐騙舉報(bào)專區(qū) | 涉歷史虛無主義有害信息舉報(bào)專區(qū) | 涉企侵權(quán)舉報(bào)專區(qū)
違法和不良信息舉報(bào)電話:027-86699610 舉報(bào)郵箱:58377363@163.com