質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量或分析同位素的重要設(shè)備，它的構(gòu)造原理如圖所示．離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束（速度可視為零），經(jīng)MN間的加速電壓U加速后從小孔S1垂直于磁感線進入勻強磁場，運轉(zhuǎn)半周后到達照相底片上的P點．設(shè)P到S1的距離為x，則（　�。�
A．若離子束是同位素，則x越大對應(yīng)的離子質(zhì)量越小
B．若離子束是同位素，則x越大對應(yīng)的離子質(zhì)量越大
C．只要x相同，對應(yīng)的離子質(zhì)量一定相同
D．只要x相同，對應(yīng)的離子的比荷一定相等
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科目：高中物理 來源： 題型：

質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量或分析同位素的重要設(shè)備，它的構(gòu)造原理如圖所示．離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束（速度可視為零），經(jīng)MN間的加速電壓U加速后從小孔S1垂直于磁感線進入勻強磁場，運轉(zhuǎn)半周后到達照相底片上的P點．設(shè)P到S1的距離為x，則（　�。�

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科目：高中物理 來源： 題型：

質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量或分析同位素的重要設(shè)備，它的構(gòu)造原理如圖所示．離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束（速度可視為零），經(jīng)MN間的加速電壓U加速后從小孔S1垂直于磁感線進入勻強磁場，運轉(zhuǎn)半周后到達照相底片上的P點．設(shè)P到S1的距離為x，則（　�。�

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科目：高中物理 來源：2012-2013學(xué)年湖南邵陽石齊學(xué)校高二上學(xué)期期中考試?yán)砜莆锢碓嚲恚◣Ы馕觯?/span> 題型：單選題

質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量或分析同位素的重要設(shè)備，它的構(gòu)造原理如圖示．離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束（速度可視為零），經(jīng)MN間的加速電壓U加速后從小孔S1垂直于磁感線進入勻強磁場，運轉(zhuǎn)半周后到達照相底片上的P點．設(shè)P到S1的距離為x，則

A．若離子束是同位素，則x越大對應(yīng)的離子質(zhì)量越小
B．若離子束是同位素，則x越大對應(yīng)的離子質(zhì)量越大
C．只要x相同，對應(yīng)的離子質(zhì)量一定相同
D．x相同，對應(yīng)的離子的比荷可能不相等

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科目：高中物理 來源：2012-2013學(xué)年海南瓊海嘉積中學(xué)高二上質(zhì)量監(jiān)測（三）理科物理試卷（帶解析） 題型：單選題

質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量或分析同位素的重要設(shè)備，它的構(gòu)造原理如圖所示．離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束（速度可視為零），經(jīng)MN間的加速電壓U加速后從小孔S1垂直于磁感線進入勻強磁場，運轉(zhuǎn)半周后到達照相底片上的P點．設(shè)P到S1的距離為x，則 （   ）

A．若離子束是同位素，則x越大對應(yīng)的離子質(zhì)量越小
B．若離子束是同位素，則x越大對應(yīng)的離子質(zhì)量越大
C．只要x相同，對應(yīng)的離子質(zhì)量一定相同
D．只要x相同，對應(yīng)的離子的比荷一定相等

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科目：高中物理 來源：2014屆海南瓊海嘉積中學(xué)高二上質(zhì)量監(jiān)測（三）理科物理試卷（解析版） 題型：選擇題

質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量或分析同位素的重要設(shè)備，它的構(gòu)造原理如圖所示．離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束（速度可視為零），經(jīng)MN間的加速電壓U加速后從小孔S1垂直于磁感線進入勻強磁場，運轉(zhuǎn)半周后到達照相底片上的P點．設(shè)P到S1的距離為x，則 （   ）

A．若離子束是同位素，則x越大對應(yīng)的離子質(zhì)量越小

B．若離子束是同位素，則x越大對應(yīng)的離子質(zhì)量越大

C．只要x相同，對應(yīng)的離子質(zhì)量一定相同

D．只要x相同，對應(yīng)的離子的比荷一定相等

 

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科目：高中物理 來源：2014屆湖南邵陽石齊學(xué)校高二上學(xué)期期中考試?yán)砜莆锢碓嚲恚ń馕霭妫?/span> 題型：選擇題

質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量或分析同位素的重要設(shè)備，它的構(gòu)造原理如圖示．離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束（速度可視為零），經(jīng)MN間的加速電壓U加速后從小孔S1垂直于磁感線進入勻強磁場，運轉(zhuǎn)半周后到達照相底片上的P點．設(shè)P到S1的距離為x，則

A．若離子束是同位素，則x越大對應(yīng)的離子質(zhì)量越小

B．若離子束是同位素，則x越大對應(yīng)的離子質(zhì)量越大

C．只要x相同，對應(yīng)的離子質(zhì)量一定相同

D．x相同，對應(yīng)的離子的比荷可能不相等

 

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：多選題

質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量或分析同位素的重要設(shè)備，它的構(gòu)造原理如圖所示．離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束（速度可視為零），經(jīng)MN間的加速電壓U加速后從小孔S1垂直于磁感線進入勻強磁場，運轉(zhuǎn)半周后到達照相底片上的P點．設(shè)P到S1的距離為x，則（　�。�
A．若離子束是同位素，則x越大對應(yīng)的離子質(zhì)量越小
B．若離子束是同位素，則x越大對應(yīng)的離子質(zhì)量越大
C．只要x相同，對應(yīng)的離子質(zhì)量一定相同
D．只要x相同，對應(yīng)的離子的比荷一定相等
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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量或分析同位素的重要設(shè)備，它的構(gòu)造原理如圖所示．離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束（速度可視為零），經(jīng)MN間的加速電壓U加速后從小孔S1垂直于磁感線進入勻強磁場，運轉(zhuǎn)半周后到達照相底片上的P點．設(shè)P到S1的距離為x，則（　�。�
A．若離子束是同位素，則x越大對應(yīng)的離子質(zhì)量越小
B．若離子束是同位素，則x越大對應(yīng)的離子質(zhì)量越大
C．只要x相同，對應(yīng)的離子質(zhì)量一定相同
D．只要x相同，對應(yīng)的離子的比荷一定相等
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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量或分析同位素的重要設(shè)備，它的構(gòu)造原理如圖所示．離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束（速度可視為零），經(jīng)MN間的加速電壓U加速后從小孔S1垂直于磁感線進入勻強磁場，運轉(zhuǎn)半周后到達照相底片上的P點．設(shè)P到S1的距離為x，則（　�。�
A．若離子束是同位素，則x越大對應(yīng)的離子質(zhì)量越小
B．若離子束是同位素，則x越大對應(yīng)的離子質(zhì)量越大
C．只要x相同，對應(yīng)的離子質(zhì)量一定相同
D．只要x相同，對應(yīng)的離子電荷量一定相同
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科目：高中物理 來源：2012-2013學(xué)年湖北省咸寧市赤壁一中高二（上）第二次段考物理試卷（解析版） 題型：選擇題

質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量或分析同位素的重要設(shè)備，它的構(gòu)造原理如圖所示．離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束（速度可視為零），經(jīng)MN間的加速電壓U加速后從小孔S1垂直于磁感線進入勻強磁場，運轉(zhuǎn)半周后到達照相底片上的P點．設(shè)P到S1的距離為x，則（ ）

A．若離子束是同位素，則x越大對應(yīng)的離子質(zhì)量越小
B．若離子束是同位素，則x越大對應(yīng)的離子質(zhì)量越大
C．只要x相同，對應(yīng)的離子質(zhì)量一定相同
D．只要x相同，對應(yīng)的離子的比荷一定相等

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