如圖所示,寬度為L(zhǎng)的光滑金屬框架MNPQ固定在水平面內(nèi),并處在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B 的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)方向豎直向下,框架的電阻非均勻分布.將質(zhì)量為m,電阻為R,長(zhǎng)為L(zhǎng)的金屬棒ab放置在框架上,并且框架接觸良好.金屬棒以v0的初速度,向左做加速度大小為a的勻減速直線運(yùn)動(dòng),運(yùn)動(dòng)中金屬棒僅受安培力作用,則在速度從v0減為v的過(guò)程中,通過(guò)R的電量為( 。
A.
B(
v20
-v2)L
2aR
B.
m(v0-v)
BL
C.
BLv0(v0-v)
Ra
D.
BLv(v0-v)
Ra
魔方格
B
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相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示,寬度為L(zhǎng)的光滑金屬框架MNPQ固定在水平面內(nèi),并處在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B 的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)方向豎直向下,框架的電阻非均勻分布.將質(zhì)量為m,電阻為R,長(zhǎng)為L(zhǎng)的金屬棒ab放置在框架上,并且框架接觸良好.金屬棒以v0的初速度,向左做加速度大小為a的勻減速直線運(yùn)動(dòng),運(yùn)動(dòng)中金屬棒僅受安培力作用,則在速度從v0減為v的過(guò)程中,通過(guò)R的電量為( 。

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科目:高中物理 來(lái)源:2010-2011學(xué)年浙江省臺(tái)州市高三上學(xué)期期末考試物理試卷 題型:選擇題

如圖所示,寬度為L(zhǎng)的光滑金屬框架MNPQ固定在水平面內(nèi),并處在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B 的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)方向豎直向下,框架的電阻非均勻分布.將質(zhì)量為m,電阻為R,長(zhǎng)為L(zhǎng)的金屬棒ab放置在框架上,并且框架接觸良好.金屬棒以v0的初速度,向左做加速度大小為a的勻減速直線運(yùn)動(dòng),運(yùn)動(dòng)中金屬棒僅受安培力作用,則在速度從v0減為v的過(guò)程中,通過(guò)R的電量為

A.          B.     

C.           D.

 

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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:單選題

如圖所示,寬度為L(zhǎng)的光滑金屬框架MNPQ固定在水平面內(nèi),并處在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B 的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)方向豎直向下,框架的電阻非均勻分布.將質(zhì)量為m,電阻為R,長(zhǎng)為L(zhǎng)的金屬棒ab放置在框架上,并且框架接觸良好.金屬棒以v0的初速度,向左做加速度大小為a的勻減速直線運(yùn)動(dòng),運(yùn)動(dòng)中金屬棒僅受安培力作用,則在速度從v0減為v的過(guò)程中,通過(guò)R的電量為(  )
A.
B(
v20
-v2)L
2aR
B.
m(v0-v)
BL
C.
BLv0(v0-v)
Ra
D.
BLv(v0-v)
Ra
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科目:高中物理 來(lái)源:2010-2011學(xué)年浙江省臺(tái)州市高三(上)期末物理試卷(解析版) 題型:選擇題

如圖所示,寬度為L(zhǎng)的光滑金屬框架MNPQ固定在水平面內(nèi),并處在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B 的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)方向豎直向下,框架的電阻非均勻分布.將質(zhì)量為m,電阻為R,長(zhǎng)為L(zhǎng)的金屬棒ab放置在框架上,并且框架接觸良好.金屬棒以v的初速度,向左做加速度大小為a的勻減速直線運(yùn)動(dòng),運(yùn)動(dòng)中金屬棒僅受安培力作用,則在速度從v減為v的過(guò)程中,通過(guò)R的電量為( )

A.
B.
C.
D.

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示,寬度為L的光滑金屬框架MNPQ固定在水平面內(nèi),并處在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B 的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)方向豎直向下,框架的電阻非均勻分布.將質(zhì)量為m,電阻為R,長(zhǎng)為L的金屬棒ab放置在框架上,并且框架接觸良好.金屬棒以v0的初速度,向左做加速度大小為a的勻減速直線運(yùn)動(dòng),運(yùn)動(dòng)中金屬棒僅受安培力作用,則在速度從v0減為v的過(guò)程中,通過(guò)R的電量為

A.          B.     

C.           D.

  

 


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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示,寬度為L的光滑金屬框架MNPQ固定在水平面內(nèi),并處在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B 的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)方向豎直向下,框架的電阻非均勻分布.將質(zhì)量為m,電阻為R,長(zhǎng)為L的金屬棒ab放置在框架上,并且框架接觸良好.金屬棒以v0的初速度,向左做加速度大小為a的勻減速直線運(yùn)動(dòng),運(yùn)動(dòng)中金屬棒僅受安培力作用,則在速度從v0減為v的過(guò)程中,通過(guò)R的電量為

A.          B.     

C.           D.

 


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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示,寬度為L(zhǎng)的光滑金屬框架MNPQ固定在水平面內(nèi),并處在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B 的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)方向豎直向下,框架的電阻非均勻分布.將質(zhì)量為m,電阻為R,長(zhǎng)為L(zhǎng)的金屬棒ab放置在框架上,并且框架接觸良好.金屬棒以v0的初速度,向左做加速度大小為a的勻減速直線運(yùn)動(dòng),運(yùn)動(dòng)中金屬棒僅受安培力作用,則在速度從v0減為v的過(guò)程中,通過(guò)R的電量為

A.          B.     

C.           D.

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示,寬度為L(zhǎng)的光滑金屬框架MNPQ固定在水平面內(nèi),并處在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B 的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)方向豎直向下,框架的電阻非均勻分布.將質(zhì)量為m,電阻為R,長(zhǎng)為L(zhǎng)的金屬棒ab放置在框架上,并且框架接觸良好.金屬棒以v0的初速度,向左做加速度大小為a的勻減速直線運(yùn)動(dòng),運(yùn)動(dòng)中金屬棒僅受安培力作用,則在速度從v0減為v的過(guò)程中,通過(guò)R的電量為

A.          B.     

C.          D.

 

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科目:高中物理 來(lái)源:2011屆浙江省臺(tái)州市高三上學(xué)期期末考試物理試卷 題型:單選題

如圖所示,寬度為L(zhǎng)的光滑金屬框架MNPQ固定在水平面內(nèi),并處在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B 的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)方向豎直向下,框架的電阻非均勻分布.將質(zhì)量為m,電阻為R,長(zhǎng)為L(zhǎng)的金屬棒ab放置在框架上,并且框架接觸良好.金屬棒以v0的初速度,向左做加速度大小為a的勻減速直線運(yùn)動(dòng),運(yùn)動(dòng)中金屬棒僅受安培力作用,則在速度從v0減為v的過(guò)程中,通過(guò)R的電量為

A.B.
C.D.

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示,寬度L=0.5 m的光滑金屬框架MNPQ固定于水平面內(nèi),并處在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B=0.4 T,方向豎直向下的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,框架的電阻非均勻分布。將質(zhì)量m=0.1 kg,電阻可忽略的金屬棒ab放置在框架上,并與框架接觸良好。以P為坐標(biāo)原點(diǎn),PQ方向?yàn)?i>x軸正方向建立坐標(biāo)。金屬棒從x0=1 m處以v0=2 m/s的初速度,沿x軸負(fù)方向做a=2 m/s2的勻減速直線運(yùn)動(dòng),運(yùn)動(dòng)中金屬棒僅受安培力作用。

求:(1)金屬棒ab運(yùn)動(dòng)0.5 m,框架產(chǎn)生的焦耳熱Q?

(2)框架中aNPb部分的電阻R隨金屬棒ab的位置坐標(biāo)x變化的函數(shù)關(guān)系?

(3)為求金屬棒ab沿x軸負(fù)方向運(yùn)動(dòng)0.4 s過(guò)程中通過(guò)ab的電荷量q,某同學(xué)解法為:先算出經(jīng)過(guò)0.4 s金屬棒的運(yùn)動(dòng)距離x,以及0.4 s時(shí)回路內(nèi)的電阻R,然后代入q==求解。指出該同學(xué)解法的錯(cuò)誤之處,并用正確的方法解出結(jié)果。

 

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