分析:p能級電子數(shù)不超過6,A原子最外層p能級的電子數(shù)等于次外層的電子數(shù)總數(shù),所以次外層為2個(gè)電子,則A的核外電子排布為1s
22s
22p
2,應(yīng)為C元素;
C原子最外層中有兩個(gè)不成對的電子,且C的原子序數(shù)大于A,所以C原子核外電子排布式為1s
22s
22p
4,為O元素,B的原子序數(shù)大于A而小于C,所以B是N元素;
B元素可分別與A、C、D、E生成RB
2型化合物,在DC
2中D與C的質(zhì)量比為7:8,設(shè)D的摩爾質(zhì)量為M,
:=7:8,M=28,C、D、E原子核內(nèi)的質(zhì)子數(shù)均與中子數(shù)相等,所以D是Si元素;
在EC
2中,E與C的質(zhì)量比為1:1,則M(E)=2M(O)=2×16=32,所以E為S元素,
結(jié)合元素對應(yīng)原子的結(jié)構(gòu)、單質(zhì)以及化合物的性質(zhì)解答該題.
解答:解:p能級電子數(shù)不超過6,A原子最外層p能級的電子數(shù)等于次外層的電子數(shù)總數(shù),所以次外層為2個(gè)電子,則A的核外電子排布為1s
22s
22p
2,應(yīng)為C元素;
C原子最外層中有兩個(gè)不成對的電子,且C的原子序數(shù)大于A,所以C原子核外電子排布式為1s
22s
22p
4,為O元素,B的原子序數(shù)大于A而小于C,所以B是N元素;
B元素可分別與A、C、D、E生成RB
2型化合物,在DC
2中D與C的質(zhì)量比為7:8,設(shè)D的摩爾質(zhì)量為M,
:=7:8,M=28,C、D、E原子核內(nèi)的質(zhì)子數(shù)均與中子數(shù)相等,所以D是Si元素;
在EC
2中,E與C的質(zhì)量比為1:1,則M(E)=2M(O)=2×16=32,所以E為S元素,
(1)通過以上分析知,A是C元素,E是S元素,故答案為:C;S;
(2)D是Si元素,其原子核外有14個(gè)電子,根據(jù)構(gòu)造原理知,其原子核外電子排布式為:1s
22s
22p
63s
23p
2,
故答案為:1s
22s
22p
63s
23p
2;
(3)E是S元素,其原子核外有3個(gè)電子層,最外層有6個(gè)電子,元素原子核外電子層數(shù)等于其周期數(shù),主族元素的最外層電子數(shù)等于其族序數(shù),所以S位于第三周期、第ⅥA族,故答案為:第三周期、第ⅥA族;
(4)A是C元素,B是N元素,C是O元素,同一周期中,元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢,但第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素,所以這三種元素的第一電離能從小到大順序是:C<O<N,故答案為:C<O<N;
(5)D是Si元素,E是S元素,同一周期中,元素的電負(fù)性隨著原子序數(shù)的增大而增大,所以電負(fù)性:Si<S,故答案為:Si<S.