Question

下表是Na、Mg、Si、S、Br五種元素的單質(zhì)的沸點(diǎn)，其中b、e均是熱和電的良導(dǎo)體。

單質(zhì)	a	b	c	d	e
沸點(diǎn)(℃)	58.8	882.9	444.7	2 355	1 107

(1) a的元素在元素周期表中的位置為_(kāi)_______。
(2) 寫(xiě)出d的元素原子的電子式________；其最高價(jià)氧化物形成的晶體為_(kāi)_______晶體(填類型)，溶于強(qiáng)堿的離子方程式為_(kāi)_______________________________________。
(3) c與氫形成的分子X(jué)的空間構(gòu)型為_(kāi)_______；寫(xiě)出X的水溶液與足量b元素的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物反應(yīng)的離子方程式___________________________________。
(4) 上述元素所能形成的簡(jiǎn)單離子中半徑最小的是________（填離子符號(hào)），最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物酸性最強(qiáng)的是________(填分子式)，e元素與N元素形成化合物的電子式為_(kāi)___________________________。
(5) b元素與氯元素形成的化合物Y的晶體中，1個(gè)晶胞內(nèi)含有的基本微粒及個(gè)數(shù)是________。

Answer 1

（11分 除注明外每空1分）（1）第四周期第ⅦA族
（2）； 原子； Si+2OH^-+H₂O＝SiO₃^2-+2H₂↑
（3）V型  H₂S+2OH^-＝S^2-+H₂O  （4）Mg²⁺   H₂SO₄      
（5）4個(gè)Na⁺   4個(gè)Cl^-（2分）

試題分析：鈉和鎂形成的晶體是金屬晶體，鈉離子半徑大于鎂離子比較，所以金屬鎂的沸點(diǎn)高于鈉的。b、e均是熱和電的良導(dǎo)體，所以b是鈉，e是鎂。硅是原子晶體，沸點(diǎn)最高，所以d是硅。S和單質(zhì)溴形成的晶體均是分子晶體，其中S單質(zhì)的沸點(diǎn)高于單質(zhì)溴的，所以a是溴，c是S。
（1）溴位于元素周期表的第四周期第ⅦA族。
（2）硅位于第二正確第ⅣA族，其電子式是。二氧化硅形成的晶體是原子晶體。單質(zhì)硅能和氫氧化鈉溶液反應(yīng)，反應(yīng)的離子方程式是Si+2OH^-+H₂O＝SiO₃^2-+2H₂↑。
（3）H₂S分子中S原子含有的孤對(duì)電子對(duì)數(shù)＝（6－2×1）÷2＝2，所以H₂S是V形結(jié)構(gòu)。H₂S是二元弱酸，所以和過(guò)量的氫氧化鈉溶液反應(yīng)的離子方程式是H₂S+2OH^-＝S^2-+H₂O。
（4）在核外電子排布相同的條件下，微粒半徑隨原子序數(shù)的增大而減小，所以形成的簡(jiǎn)單離子中半徑最小的是Mg²⁺。非金屬性越強(qiáng)，最高價(jià)氧化物水化物的酸性越強(qiáng)，所以最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物酸性最強(qiáng)的H₂SO₄。氮元素和鎂形成的化合物氮化鎂是含有離子鍵的離子化合物，電子式是。
（5）根據(jù)氯化鈉的晶胞結(jié)構(gòu)可知，1個(gè)晶胞內(nèi)含有的基本微粒及個(gè)數(shù)是4個(gè)Na⁺和4個(gè)Cl^-。
點(diǎn)評(píng)：該題是高考中的常見(jiàn)題型，屬于中等難度的試題。試題基礎(chǔ)性強(qiáng)，側(cè)重對(duì)學(xué)生能力的培養(yǎng)和解題方法的指導(dǎo)與訓(xùn)練，旨在考查學(xué)生靈活運(yùn)用基礎(chǔ)知識(shí)解決實(shí)際問(wèn)題的能力，有利于培養(yǎng)學(xué)生的應(yīng)試能力和邏輯推理能力。該題以“周期表中元素的推斷”為載體，比較全面考查學(xué)生有關(guān)元素推斷知識(shí)和靈活運(yùn)用知識(shí)的能力�？疾閷W(xué)生對(duì)元素周期表的熟悉程度及其對(duì)表中各元素性質(zhì)和相應(yīng)原子結(jié)構(gòu)的周期性遞變規(guī)律的認(rèn)識(shí)和掌握程度�？疾榱藢W(xué)生對(duì)物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)關(guān)系以及運(yùn)用元素周期律解決具體化學(xué)問(wèn)題的能力。