下列溶液中各微粒的濃度關(guān)系不正確的是

A．0.1 mol/L的HCOOH溶液中：c(HCOO—)＋c(OH—)＝c(H＋)

B．1 L 0.1 mol/L的CuSO4·(NH4)2SO4·6H2O的溶液中： c(SO42—)＞c(NH4＋)＞c(Cu2＋)＞c(H＋)＞c (OH—)

C．0.1 mol/L 的NaHCO3溶液中：  c(Na＋)＋c(H＋)＝c(HCO3—)＋2c(CO32—)＋c(OH—)

D．等體積、等物質(zhì)的量濃度的NaX和弱酸HX混合后的溶液中：c(Na＋)＞c(HX)＞c(X—)＞c(H＋)＞c(OH—)

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：


據(jù)報(bào)道，科學(xué)家開(kāi)發(fā)出了利用太陽(yáng)能分解水的新型催化劑。下列有關(guān)水分解過(guò)程的能量變化示意圖正確的是

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：


在一定條件下，乙烷和乙烯都能制備氯乙烷(C2H5Cl)。試回答：

(1)用乙烷制備氯乙烷的化學(xué)方程式是

____________________________________________，該反應(yīng)的類型是________________；

(2)用乙烯制備氯乙烷的化學(xué)方程式是_______________________，該反應(yīng)的類型是________；

(3)上述兩種制備氯乙烷的方法中，________方法好。原因是__________________________________。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：


如果用排水法收集濃硝酸受熱分解所產(chǎn)生的氣體，則

A．收集到NO         B．收集到NO2          C．收集到O2          D．收集不到任何氣體

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：


如圖示的裝置中，把X溶液逐滴滴下與Y物質(zhì)反應(yīng)，若X為濃硫酸，Y為第三周期金屬元素中常溫下與水難反應(yīng)的單質(zhì)。Z為品紅溶液。實(shí)驗(yàn)中觀察到Z褪色。則Y為

A．Na        B．Mg　　   C．Al        D．Mg或Al

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：


下列說(shuō)法在一定條件下可以實(shí)現(xiàn)的是

①非金屬置換金屬的反應(yīng)�、谌跛岱磻�(yīng)可以生成強(qiáng)酸�、蹧](méi)有水生成，也沒(méi)有沉淀和氣體生成的復(fù)分解反應(yīng)�、苡袉钨|(zhì)參加的非氧化還原反應(yīng)　

A．①②③④    B．②④      C．①②③       D．①③④

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：


已知氯氣、溴蒸氣分別跟氫氣反應(yīng)的熱化學(xué)方程式如下(Q1、Q2均為正值):

H2(g)+Cl2(g) 2HCl(g)+Q1

H2(g)+Br2(g) 2HBr(g)+Q2

有關(guān)上述反應(yīng)的敘述正確的是(    )

A.Q1＞Q2

B.生成物總能量均高于反應(yīng)物總能量

C.生成1 mol HCl氣體時(shí)放出Q1熱量

D.1 mol HBr(g)具有的能量大于1 mol HBr(l)具有的能量

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：


含有2～5個(gè)碳原子的直鏈烷烴沸點(diǎn)和燃燒熱的數(shù)據(jù)見(jiàn)下表：

烷烴名稱

乙烷

丙烷

丁烷

戊烷

沸點(diǎn)(℃)

-88.6

-42.1

-0.5

36.1

燃燒熱(kJ·mol-1)

1560.7

2219.2

2877.6

3535.6

*燃燒熱：1摩爾物質(zhì)完全燃燒，生成二氧化碳、液態(tài)水時(shí)所放出的熱量

根據(jù)表中數(shù)據(jù)，下列判斷錯(cuò)誤的是(    )。

A.正庚烷在常溫常壓下肯定不是氣體

B.烷烴燃燒熱和其所含碳原子數(shù)成線性關(guān)系

C.隨碳原子數(shù)增加，烷烴沸點(diǎn)逐漸升高

D.隨碳原子數(shù)增加，烷烴沸點(diǎn)和燃燒熱都成比例增加

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：


SiCl4的分子結(jié)構(gòu)與CCl4類似，對(duì)其作出如下推斷，其中正確的是（     ）

①SiCl4晶體是分子晶體　             ②常溫、常壓下SiCl4是液體　

③SiCl4的分子是由極性鍵形成的　     ④SiCl4熔點(diǎn)高于CCl4

A．全部        B．只有①②          C．只有②③          D．只有①

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