下面關于SiO2晶體網(wǎng)狀結構的敘述正確的是

A．存在四面體結構單元，O處于中心，Si處于4個頂角

B．最小的環(huán)上，有3個Si原子和3個O原子

C．最小的環(huán)上，Si和O原子數(shù)之比為1：2

D．最小的環(huán)上，有6個Si原子和6個O原子


【解析】二氧化硅是原子晶體，結構為空間網(wǎng)狀，存在硅氧四面體結構，硅處于中心，氧處于4個頂角所以A項錯誤；在SiO2晶體中，每6個Si和6個O形成一個12元環(huán)（最小環(huán)），所以D對，B、C都錯誤！

【命題意圖】考查學生的空間想象能力，和信息遷移能力，實際上第三冊課本第一單元里面有結構圖！

怎樣理解SiO2的結構，可從晶體硅進行轉化，晶體硅與金剛石結構相似，只需將C原子換成Si原子即可，課本上有我直接拿來用，再將Si-Si鍵斷開，加入氧即可，見：

 

但是若將題目中B、B、D三個選項前面分別加上“平均每個”，則本題的答案就又變了，這時就要應用均攤法了，由于每個Si原子被12個環(huán)所共用，每個O原子被6個環(huán)所共用，每個Si-O鍵被6個環(huán)所共用，則均攤之后在每個環(huán)上含有0.5個Si，1個O，2個Si-O鍵，此時則B、D錯誤，C正確了，也即在1molSiO2中含有4 mol Si-O鍵（這是我們經(jīng)�？嫉模�

【答案】D


練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源： 題型：


提純含有少量硝酸鋇雜質(zhì)的硝酸鉀溶液，可以使用的方法是  （    ）                  

A．加入過量碳酸鈉溶液，過濾，除去沉淀，溶液中補加適量硝酸

B．加入過量硫酸鉀溶液，過濾，除去沉淀，溶液中補加適量硝酸

C．加入過量硫酸鈉溶液，過濾，除去沉淀，溶液中補加適量硝酸

D．加入過量碳酸鉀溶液，過濾，除去沉淀，溶液中補加適量硝酸

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科目：高中化學 來源： 題型：


    前四周期原子序數(shù)依次增大的元素A，B，C，D中，

A和B的價電子層中未成對電子均只有1個，平且A－和B+

的電子相差為8；與B位于同一周期的C和D，它們價

電子層中的未成對電子數(shù)分別為4和2，且原子序數(shù)

相差為2。

    回答下列問題：

（1）D2+的價層電子排布圖為_______。

（2）四種元素中第一電離最小的是________，

電負性最大的是________。（填元素符號）

（3）A、B和D三種元素組成的一個化合物的晶胞如圖所示。

①該化合物的化學式為_________；D的配位數(shù)為_______；

②列式計算該晶體的密度_______g·cm-3。

（4）A－、B+和C3+三種離子組成的化合物B3CA6，其中化學鍵的類型有_____；該化合物中存在一個復雜離子，該離子的化學式為_______，配位體是____。

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科目：高中化學 來源： 題型：


是常規(guī)核裂變產(chǎn)物之一，可以通過測定大氣或水中的含量變化來檢測核電站是否發(fā)生放射性物質(zhì)泄漏。下列有關的敘述中錯誤的是

A. 的化學性質(zhì)與相同        B. 的原子序數(shù)為53

C. 的原子核外電子數(shù)為78        D. 的原子核內(nèi)中子數(shù)多于質(zhì)子數(shù)

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科目：高中化學 來源： 題型：


用于金屬焊接的某種焊條，其藥皮由大理石、水泥、硅鐵等配制而成。

（1）Al的原子結構示意圖為_____________________；Al與NaOH溶液反應的離子方程式為

________________________________________________。

(2)30Si的原子的中子數(shù)為_________；SiO2晶體類型為__________________。

（3）Al3+與Yn－的電子數(shù)相同，Y所在族的各元素的氫化物的水溶液均顯酸性，則該族氫化物中沸點最低的是________。

（4）焊接過程中，藥皮在高溫下產(chǎn)生了熔渣和使金屬不被氧化的氣體，該氣體是__________。

（5）經(jīng)處理后的熔渣36.0g（僅含F(xiàn)e2O3、Al2O3、SiO2），加入足量稀鹽酸，分離得到11.0g固體；濾液中加入過量NaOH溶液，分離得到21.4g固體；則此熔渣中Al2O3的質(zhì)量分數(shù)為__________________。

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科目：高中化學 來源： 題型：


碳族元素包括：C、Si、 Ge、 Sn、Pb。

(1)碳納米管有單層或多層石墨層卷曲而成，其結構類似于石墨晶體，每個碳原子通過　　　　雜化與周圍碳原子成鍵，多層碳納米管的層與層之間靠　　　　結合在一起。

(2)CH4中共用電子對偏向C，SiH4中共用電子對偏向H，則C、Si、H的電負性由大到小的順序為　　　　。

(3)用價層電子對互斥理論推斷SnBr2分子中Sn—Br的鍵角　　　120°（填“＞”“＜”或“＝”）。

(4)鉛、鋇、氧形成的某化合物的晶胞結構是：Pb4+處于立方晶胞頂點，Ba2+處于晶胞中心，O2-處于晶胞棱邊中心，該化合物化學式為　　　　　　　，每個Ba2+與　　　　個O2-配位。

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科目：高中化學 來源： 題型：


以下表示氦原子結構的化學用語中,對電子運動狀態(tài)描述最詳盡的是(    )

A.∶He             B.           C.1s2         D.

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科目：高中化學 來源： 題型：


某元素的一種同位素X的原子質(zhì)量數(shù)為A，含N個中子，它與1H原子組成HmX分子。在a g HmX中所含質(zhì)子的物質(zhì)的量是

A. mol            B.  mol

C.  mol               D.  mol

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科目：高中化學 來源： 題型：


下列含有非極性鍵的共價化合物是

A.HCl               B.Na2O2                C.C2H2               D.CH4

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