Question

【題目】CuCl廣泛應(yīng)用于有機合成催化。例如回答下列問題：

（1）CuCl中Cu+核外電子排布式為______________，Cu與Cl相比，第一電離能較大的是______________。

（2）已知為平面分子，則－CHO中碳原子的雜化方式為______________。

（3）寫出與CO互為等電子體的非極性分子的電子式______________，14gCO中含______________molπ鍵。合成氨工業(yè)中用銅洗液吸收CO，形成配合物[Cu(NH3)3CO]Ac(HAc代表醋酸)，其中______________ (填粒子符號)接受孤對電子形成配位鍵，配位數(shù)是______________。

（4）銅鈣可形成合金，單質(zhì)銅的熔點比單質(zhì)鈣高，其原因是____________________________，其中一種合金的晶胞結(jié)構(gòu)構(gòu)如圖所示，已知：該晶體的密度為ρg·cm-3，NA是阿伏加德羅常數(shù)的值，則其中兩個Ca原子核之間距離為______________。

Answer 1

【答案】 [Ar]3d10 Cl sp2 1 Cu+ 4 銅晶體中的金屬鍵比鈣晶體中的金屬鍵強度大(合理即可)

【解析】（1）考查電子排布式的書寫、第一電離能規(guī)律，Cu位于第四周期IB，核外電子排布式為 [Ar]3d10；Cl屬于非金屬，Cu屬于金屬，因此Cl的第一電離能大于Cu；（2）考查雜化類型判斷，醛基中C有3個σ鍵，無孤電子對，因此雜化類型為sp2；（3）考查等電子體、化學(xué)鍵、配位鍵，根據(jù)等電子體的定義，符合條件的是N2，即N2的電子式為；C與O之間共用叁鍵，1molCO中含有2molπ鍵，因此14gCO含有π鍵物質(zhì)的量為14×2/28mol=1mol，根據(jù)配合物組成，Cu＋為接受孤對電子，配位數(shù)為4；（4）考查晶體熔沸點高低判斷、晶胞的計算，金屬晶體熔沸點高低判斷，需要比較金屬鍵強弱，金屬鍵越強，熔沸點越高，因此有銅晶體中的金屬鍵比鈣晶體中的金屬鍵強度大；晶胞的質(zhì)量為，根據(jù)晶胞的密度的定義，晶胞棱長為cm，根據(jù)晶胞的結(jié)構(gòu)，相鄰的兩個Ca2＋距離是面對角線的一半，即距離為。