硅單質及其化合物應用范圍很廣。請回答下列問題:
(1)制備硅半導體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當前制備高純硅 的主要方法,生產過程示意圖如下:
① 寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學反應方程式
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② 整個制備過程必須嚴格控制無水無氧。SiHCl3遇水劇烈反應生成H2SiO3、HCl和另一種物質,寫出配平的化學反應方程式
________________________________________________________________________;
H2還原SiHCl3過程中若混入O2,可能引起的后果是
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(2)下列有關硅材料的說法正確的是________(填字母)。
A.碳化硅化學性質穩(wěn)定,可用于生產耐高溫水泥
B.氮化硅硬度大、熔點高,可用于制作高溫陶瓷和軸承
C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導纖維
D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點很高
E.鹽酸可以與硅反應,故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入飽和氯化銨溶液, 振蕩。寫出實驗現(xiàn)象并給予解釋:
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解析 (1)①根據原子守恒即質量守恒可以寫出SiHCl3與H2反應的化學方程式。
②SiHCl3和H2O劇烈反應生成H2SiO3、HCl和另一種物質,分析它們化合價的變化可知, ,而Cl的化合價未發(fā)生變化,因此另一種元素即H元素的化合價必 定降低,即另一種物質是H2。
(2)碳化硅、氮化硅為原子晶體,A、B和C都正確。玻璃是一種玻璃態(tài)物質,無固定的 熔點。鹽酸不能與硅反應,而HCl在573 K以上的溫度下可與硅發(fā)生反應。因此D、E 都不正確。
答案 (1)①SiHCl3+H2Si+3HCl
②SiHCl3+3H2O===H2SiO3↓+3HCl↑+H2↑
氧氣與氫氣混合,可能引起爆炸;氧氣可能會氧化SiHCl3
(2)ABC
(3)現(xiàn)象:試管中有白色膠狀沉淀生成,并且有刺激性氣體生成
解釋:Na2SiO3和NH4Cl均能夠水解,二者相互促進,Na2SiO3水解生成 H2SiO3, NH4Cl水解產生NH3
科目:高中化學 來源: 題型:
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(1)制備硅半導體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當前制備高純硅的主要方法,生產過程示意圖如下:
①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學反應方程式____________________________。
②整個制備過程必須嚴格控制無水無氧。SiHCl3遇水劇烈反應生成H2SiO3、HCl和另一種物質,寫出配平的化學反應方程式_________________;H2還原SiHCl3過程中若混入O2,可能引起的后果是_________________________。
(2)下列有關硅材料的說法正確的是__________________(填字母)。
A.碳化硅化學性質穩(wěn)定,可用于生產耐高溫水泥
B.氮化硅硬度大、熔點高,可用于制作高溫陶瓷和軸承
C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導纖維
D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點很高
E.鹽酸可以與硅反應,故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入飽和氯化銨溶液,振蕩。寫出實驗現(xiàn)象并給予解釋_______________________________。
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科目:高中化學 來源:2011屆福建省廈門外國語學校高三11月月考化學試卷 題型:填空題
硅單質及其化合物應用范圍很廣。
(1)制備硅半導體材料必須先得到高純硅,工業(yè)上可以按如下步驟制備純硅:
Ⅰ.高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
Ⅱ.粗硅與干燥的氯氣在450 ℃~500 ℃ 反應制得SiCl4
Ⅲ. SiCl4液體經精餾提純后與過量H2在1100 ℃~1200 ℃ 反應制得純硅
已知SiCl4沸點為57.6 ℃,能與H2O強烈反應。1 mol H2與SiCl4氣體完全反應吸收的熱量為120.2 kJ。請回答下列問題:
① 第Ⅰ步制備粗硅的化學反應方程式為 ,第Ⅲ步反應的熱化學方程式是 。
②整個制備純硅過程必須嚴格控制無水無氧。SiCl4在潮濕的空氣中因水解而產生白色煙霧,其生成物是 ;H2還原SiCl4過程中若混O2,可能引起的后果是 。
(2)二氧化硅大量用于生產玻璃。工業(yè)上用SiO2、Na2CO3和CaCO3共283 kg在高溫下完全反應時放出CO2 44 kg,生產出的玻璃可用化學式Na2SiO3·CaSiO3·xSiO2表示,則其中x= 。
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