(14分)高純硅是當(dāng)今科技的核心材料。工業(yè)上,用氫氣還原四氯化硅制得高純硅的反應(yīng)為SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g) 。已知SiCl4可完全水解生成硅酸和鹽酸。向容積為1L的密閉容器中充入一定量的SiCl4(g)和H2(g),分別在T1和T2溫度時(shí)進(jìn)行反應(yīng)。SiCl4的物質(zhì)的量隨時(shí)間變化情況如下表所示:

(1)T1時(shí),反應(yīng)開(kāi)始的2 min內(nèi),用HCl表示的反應(yīng)速率為              。

(2)該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為:K=                           。

(3)保持其他條件不變,下列措施可提高SiCl4轉(zhuǎn)化率的是            

a.充入更多的SiCl4(g)

b.充入更多的H2(g)

c.及時(shí)分離出Si(s)

d.使用催化劑

e.將容器的體積擴(kuò)大一倍

(4)據(jù)上表中的數(shù)據(jù)分析:T1         T2(填“>”或“<”,下同),理由是          。已知n1>n2,ΔH        0。

(5)有同學(xué)認(rèn)為,采用水淋法來(lái)吸收生成的HCl,可以提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率。該認(rèn)識(shí)      (填“合理”或“不合理”),理由是                            

(6)將平衡后的混合氣體溶于水,取少量上層清液,向其中滴加足 量的AgNO3溶液,反應(yīng)后過(guò)濾,取沉淀向其中加入Na2S溶液,可觀察到                   。

 

(14分)

(1)1.0 mol/(L • min)(2分)  (2)(2分)

(3)be (2分)

(4)< (1分)    T2時(shí)反應(yīng)速率快 (2分)> (1分)

(5)不合理 (1分)  SiCl4遇水完全水解生成硅酸和鹽酸 (2分)

(6)白色沉淀轉(zhuǎn)化為黑色沉淀 (1分)

解析:(1)在T1時(shí),反應(yīng)開(kāi)始的2 min內(nèi)消耗的SiCl4的量是0.5mol,所以生成的HCl的量是2.0mol。因此用HCl表示的反應(yīng)速率為1.0 mol/(L • min)。

(2)平衡常數(shù)是指在一定條件下,可逆反應(yīng)達(dá)到平衡是生成物濃度的冪之積和反應(yīng)物濃度的冪之積的比值。根據(jù)方程式可寫(xiě)出該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式,需要注意的是在表達(dá)式中不能出現(xiàn)固體或純液體的。

(3)因?yàn)檫@是一個(gè)體積增大的可逆反應(yīng),因此將容器的體積擴(kuò)大一倍,平衡向正反應(yīng)方向移動(dòng),增大反應(yīng)物的轉(zhuǎn)化率,e正確。充入更多的SiCl4(g),平衡雖然向正反應(yīng)方向移動(dòng),但會(huì)降低自身的轉(zhuǎn)化率,而提高氫氣的轉(zhuǎn)化率,所以a不正確,b正確。Si(s)是固體不影響平衡,c不正確。催化劑能同等程度改變正逆反應(yīng)速率,但不會(huì)影響平衡,但不正確。故正確的答案是be。

(4)根據(jù)表中數(shù)據(jù)可知在相同時(shí)間內(nèi)溫度為T(mén)2反應(yīng)速率快,因?yàn)闇囟仍礁,速率越快,故T2大于T1。n1>n2說(shuō)明前者的轉(zhuǎn)化率低于后者,即溫度越高反應(yīng)物的轉(zhuǎn)化率越大,所以正反應(yīng)是吸熱反應(yīng)。即ΔH大于0。

(5)由于SiCl4遇水完全水解生成硅酸和鹽酸,所以采用水淋法來(lái)吸收生成的HCl是錯(cuò)誤的。

(6)平衡后的混合氣體溶于水,所得溶液中含有鹽酸,滴加AgNO3溶液將生成AgCl沉淀,過(guò)濾后向沉淀中加入Na2S溶液,則沉淀顏色將由白色轉(zhuǎn)化為黑色,這是因?yàn)锳g2S比AgCl更難溶,沉淀將向生成更難溶的物質(zhì)轉(zhuǎn)化。

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

高純硅是當(dāng)今科技的核心材料.工業(yè)上,用氫氣還原四氯化硅制得高純硅的反應(yīng)為SiCl4(g)+2H2(g)
高溫
Si(s)+4HCl(g).已知SiCl4可完全水解生成硅酸和鹽酸.向容積為1L的密閉容器中充入一定量的SiCl4(g)和H2(g),分別在T1和T2溫度時(shí)進(jìn)行反應(yīng).SiCl4的物質(zhì)的量隨時(shí)間變化情況如下表所示:
時(shí)間/min 0 2 4 t1 t2
n(SiCl4)/mol
溫度/℃
T1 5.0 4.5 4.2 n1 n1
T2 5.0 4.2 3.6 n2 n2
(1)T1時(shí),反應(yīng)開(kāi)始的2min內(nèi),用HCl表示的反應(yīng)速率為
 

(2)該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為:K=
 

(3)保持其他條件不變,下列措施可提高SiCl4轉(zhuǎn)化率的是
 

a.充入更多的SiCl4(g)    b.充入更多的H2(g)         c.及時(shí)分離出Si(s)
d.使用催化劑           e.將容器的體積擴(kuò)大一倍
(4)據(jù)上表中的數(shù)據(jù)分析:T1
 
  T2(填“>”或“<”,下同),理由是
 

已知n1>n2,△H
 
0.
(5)有同學(xué)認(rèn)為,采用水淋法來(lái)吸收生成的HCl,可以提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率.該認(rèn)識(shí)
 
(填“合理”或“不合理”),理由是
 

(6)將平衡后的混合氣體溶于水,取少量上層清液,向其中滴加足量的AgNO3溶液,反應(yīng)后過(guò)濾,取沉淀向其中加入Na2S溶液,可觀察到
 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(14分)高純硅是當(dāng)今科技的核心材料。工業(yè)上,用氫氣還原四氯化硅制得高純硅的反應(yīng)為SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g) 。已知SiCl4可完全水解生成硅酸和鹽酸。向容積為1L的密閉容器中充入一定量的SiCl4(g)和H2(g),分別在T1和T2溫度時(shí)進(jìn)行反應(yīng)。SiCl4的物質(zhì)的量隨時(shí)間變化情況如下表所示:

(1)T1時(shí),反應(yīng)開(kāi)始的2 min內(nèi),用HCl表示的反應(yīng)速率為              。

(2)該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為:K=                           。

(3)保持其他條件不變,下列措施可提高SiCl4轉(zhuǎn)化率的是             。

a.充入更多的SiCl4(g)

b.充入更多的H2(g)

c.及時(shí)分離出Si(s)

d.使用催化劑

e.將容器的體積擴(kuò)大一倍

(4)據(jù)上表中的數(shù)據(jù)分析:T1         T2(填“>”或“<”,下同),理由是          。已知n1>n2,ΔH        0。

(5)有同學(xué)認(rèn)為,采用水淋法來(lái)吸收生成的HCl,可以提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率。該認(rèn)識(shí)      (填“合理”或“不合理”),理由是                            。

(6)將平衡后的混合氣體溶于水,取少量上層清液,向其中滴加足 量的AgNO3溶液,反應(yīng)后過(guò)濾,取沉淀向其中加入Na2S溶液,可觀察到                   。

 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2011-2012學(xué)年河南省鎮(zhèn)平一高高三下學(xué)期第二次周考理綜化學(xué)部分(解析版) 題型:填空題

(14分)高純硅是當(dāng)今科技的核心材料。工業(yè)上,用氫氣還原四氯化硅制得高純硅的反應(yīng)為SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g) 。已知SiCl4可完全水解生成硅酸和鹽酸。向容積為1L的密閉容器中充入一定量的SiCl4(g)和H2(g),分別在T1和T2溫度時(shí)進(jìn)行反應(yīng)。SiCl4的物質(zhì)的量隨時(shí)間變化情況如下表所示:

(1)T1時(shí),反應(yīng)開(kāi)始的2 min內(nèi), 用HCl表示的反應(yīng)速率為               。

(2)該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為:K=                           。

(3)保持其他條件不變,下列措施可提高SiCl4轉(zhuǎn)化率的是             。

a.充入更多的SiCl4(g)

b.充入更多的H2(g)

c.及時(shí)分離出Si(s)

d.使用催化劑

e.將容器的體積擴(kuò)大一倍

(4)據(jù)上表中的數(shù)據(jù)分析:T1         T2(填“>”或“<”,下同),理由是           。已知n1>n2,ΔH        0。

(5)有同學(xué)認(rèn)為,采用水淋法來(lái)吸收生成的HCl,可以提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率。該認(rèn)識(shí)      (填“合理”或“不合理”),理由是                            

(6)將平衡后的混合氣體溶于水,取少量上層清液,向其中滴加足 量的AgNO3溶液,反應(yīng)后過(guò)濾,取沉淀向其中加入Na2S溶液,可觀察到                    。

 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2010-2011學(xué)年山西省太原市高三模擬(二)(理綜)化學(xué)部分 題型:填空題

(14分)高純硅是當(dāng)今科技的核心材料。工業(yè)上,用氫氣還原四氯化硅制得高純硅的反應(yīng)為SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g) 。已知SiCl4可完全水解生成硅酸和鹽酸。向容積為1L的密閉容器中充入一定量的SiCl4(g)和H2(g),分別在T1和T2溫度時(shí)進(jìn)行反應(yīng)。SiCl4的物質(zhì)的量隨時(shí)間變化情況如下表所示:

(1)T1時(shí),反應(yīng)開(kāi)始的2 min內(nèi), 用HCl表示的反應(yīng)速率為               。

(2)該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為:K=                           。

(3)保持其他條件不變,下列措施可提高SiCl4轉(zhuǎn)化率的是             。

a.充入更多的SiCl4(g)

b.充入更多的H2(g)

c.及時(shí)分離出Si(s)

d.使用催化劑

e.將容器的體積擴(kuò)大一倍

(4)據(jù)上表中的數(shù)據(jù)分析:T1         T2(填“>”或“<”,下同),理由是           。已知n1>n2,ΔH        0。

(5)有同學(xué)認(rèn)為,采用水淋法來(lái)吸收生成的HCl,可以提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率。該認(rèn)識(shí)      (填“合理”或“不合理”),理由是                             。

(6)將平衡后的混合氣體溶于水,取少量上層清液,向其中滴加足 量的AgNO3溶液,反應(yīng)后過(guò)濾,取沉淀向其中加入Na2S溶液,可觀察到                    。

 

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