高溫 |
時(shí)間/min | 0 | 2 | 4 | t1 | t2 |
n(SiCl4)/mol | |||||
溫度/℃ | |||||
T1 | 5.0 | 4.5 | 4.2 | n1 | n1 |
T2 | 5.0 | 4.2 | 3.6 | n2 | n2 |
△c |
△t |
| ||
△t |
| ||
2S |
C4(HCl) |
C(SiCl4)C2(H2) |
C4(HCl) |
C(SiCl4)C2(H2) |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
(14分)高純硅是當(dāng)今科技的核心材料。工業(yè)上,用氫氣還原四氯化硅制得高純硅的反應(yīng)為SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g) 。已知SiCl4可完全水解生成硅酸和鹽酸。向容積為1L的密閉容器中充入一定量的SiCl4(g)和H2(g),分別在T1和T2溫度時(shí)進(jìn)行反應(yīng)。SiCl4的物質(zhì)的量隨時(shí)間變化情況如下表所示:
(1)T1時(shí),反應(yīng)開(kāi)始的2 min內(nèi),用HCl表示的反應(yīng)速率為 。
(2)該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為:K= 。
(3)保持其他條件不變,下列措施可提高SiCl4轉(zhuǎn)化率的是 。
a.充入更多的SiCl4(g)
b.充入更多的H2(g)
c.及時(shí)分離出Si(s)
d.使用催化劑
e.將容器的體積擴(kuò)大一倍
(4)據(jù)上表中的數(shù)據(jù)分析:T1 T2(填“>”或“<”,下同),理由是 。已知n1>n2,ΔH 0。
(5)有同學(xué)認(rèn)為,采用水淋法來(lái)吸收生成的HCl,可以提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率。該認(rèn)識(shí) (填“合理”或“不合理”),理由是 。
(6)將平衡后的混合氣體溶于水,取少量上層清液,向其中滴加足 量的AgNO3溶液,反應(yīng)后過(guò)濾,取沉淀向其中加入Na2S溶液,可觀察到 。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
(14分)高純硅是當(dāng)今科技的核心材料。工業(yè)上,用氫氣還原四氯化硅制得高純硅的反應(yīng)為SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g) 。已知SiCl4可完全水解生成硅酸和鹽酸。向容積為1L的密閉容器中充入一定量的SiCl4(g)和H2(g),分別在T1和T2溫度時(shí)進(jìn)行反應(yīng)。SiCl4的物質(zhì)的量隨時(shí)間變化情況如下表所示:
(1)T1時(shí),反應(yīng)開(kāi)始的2 min內(nèi),用HCl表示的反應(yīng)速率為 。
(2)該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為:K= 。
(3)保持其他條件不變,下列措施可提高SiCl4轉(zhuǎn)化率的是 。
a.充入更多的SiCl4(g)
b.充入更多的H2(g)
c.及時(shí)分離出Si(s)
d.使用催化劑
e.將容器的體積擴(kuò)大一倍
(4)據(jù)上表中的數(shù)據(jù)分析:T1 T2(填“>”或“<”,下同),理由是 。已知n1>n2,ΔH 0。
(5)有同學(xué)認(rèn)為,采用水淋法來(lái)吸收生成的HCl,可以提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率。該認(rèn)識(shí) (填“合理”或“不合理”),理由是 。
(6)將平衡后的混合氣體溶于水,取少量上層清液,向其中滴加足 量的AgNO3溶液,反應(yīng)后過(guò)濾,取沉淀向其中加入Na2S溶液,可觀察到 。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2011-2012學(xué)年河南省鎮(zhèn)平一高高三下學(xué)期第二次周考理綜化學(xué)部分(解析版) 題型:填空題
(14分)高純硅是當(dāng)今科技的核心材料。工業(yè)上,用氫氣還原四氯化硅制得高純硅的反應(yīng)為SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g) 。已知SiCl4可完全水解生成硅酸和鹽酸。向容積為1L的密閉容器中充入一定量的SiCl4(g)和H2(g),分別在T1和T2溫度時(shí)進(jìn)行反應(yīng)。SiCl4的物質(zhì)的量隨時(shí)間變化情況如下表所示:
(1)T1時(shí),反應(yīng)開(kāi)始的2 min內(nèi), 用HCl表示的反應(yīng)速率為 。
(2)該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為:K= 。
(3)保持其他條件不變,下列措施可提高SiCl4轉(zhuǎn)化率的是 。
a.充入更多的SiCl4(g)
b.充入更多的H2(g)
c.及時(shí)分離出Si(s)
d.使用催化劑
e.將容器的體積擴(kuò)大一倍
(4)據(jù)上表中的數(shù)據(jù)分析:T1 T2(填“>”或“<”,下同),理由是 。已知n1>n2,ΔH 0。
(5)有同學(xué)認(rèn)為,采用水淋法來(lái)吸收生成的HCl,可以提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率。該認(rèn)識(shí) (填“合理”或“不合理”),理由是 。
(6)將平衡后的混合氣體溶于水,取少量上層清液,向其中滴加足 量的AgNO3溶液,反應(yīng)后過(guò)濾,取沉淀向其中加入Na2S溶液,可觀察到 。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2010-2011學(xué)年山西省太原市高三模擬(二)(理綜)化學(xué)部分 題型:填空題
(14分)高純硅是當(dāng)今科技的核心材料。工業(yè)上,用氫氣還原四氯化硅制得高純硅的反應(yīng)為SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g) 。已知SiCl4可完全水解生成硅酸和鹽酸。向容積為1L的密閉容器中充入一定量的SiCl4(g)和H2(g),分別在T1和T2溫度時(shí)進(jìn)行反應(yīng)。SiCl4的物質(zhì)的量隨時(shí)間變化情況如下表所示:
(1)T1時(shí),反應(yīng)開(kāi)始的2 min內(nèi), 用HCl表示的反應(yīng)速率為 。
(2)該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為:K= 。
(3)保持其他條件不變,下列措施可提高SiCl4轉(zhuǎn)化率的是 。
a.充入更多的SiCl4(g)
b.充入更多的H2(g)
c.及時(shí)分離出Si(s)
d.使用催化劑
e.將容器的體積擴(kuò)大一倍
(4)據(jù)上表中的數(shù)據(jù)分析:T1 T2(填“>”或“<”,下同),理由是 。已知n1>n2,ΔH 0。
(5)有同學(xué)認(rèn)為,采用水淋法來(lái)吸收生成的HCl,可以提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率。該認(rèn)識(shí) (填“合理”或“不合理”),理由是 。
(6)將平衡后的混合氣體溶于水,取少量上層清液,向其中滴加足 量的AgNO3溶液,反應(yīng)后過(guò)濾,取沉淀向其中加入Na2S溶液,可觀察到 。
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