16.設(shè)阿伏伽德羅常數(shù)為NA,下列說法正確的是(  )
A.標(biāo)準(zhǔn)狀況下,22.4L甲醛完全燃燒產(chǎn)生NA個(gè)CO2分子
B.1L1mol/L Na2CO3溶液中,陰離子個(gè)數(shù)等于NA
C.100 g 98%的濃硫酸中含氧原子個(gè)數(shù)為4NA
D.常溫常壓下,1mol白磷中含有共價(jià)鍵為4NA

分析 A、求出甲醛的物質(zhì)的量,然后根據(jù)1mol甲醛中含1molC原子來分析;
B、碳酸鈉溶液中,碳酸根離子部分水解生成了氫氧根離子,陰離子數(shù)目增加;
C、硫酸溶液中,除了硫酸本身,水也含氧原子;
D、1mol白磷中含6molP-P鍵.

解答 解:A、標(biāo)況下22.4L甲醛的物質(zhì)的量為1mol,而甲醛中含1個(gè)碳原子,故1mol甲醛中含1mol碳原子,燃燒生成1mol二氧化碳即NA個(gè)二氧化碳分子,故A正確;
B、1L1mol/L Na2CO3溶液中含有溶質(zhì)碳酸鈉的物質(zhì)的量為1mol,由于溶液中碳酸根離子部分水解生成氫氧根離子,導(dǎo)致溶液中陰離子數(shù)目增加,所以溶液中陰離子個(gè)數(shù)大于NA,故B錯(cuò)誤;
C、硫酸溶液中,除了硫酸本身,水也含氧原子,故溶液中的氧原子的個(gè)數(shù)大于4NA個(gè),故C錯(cuò)誤;
D、1mol白磷中含6molP-P鍵,即6NA個(gè),故D錯(cuò)誤.
故選A.

點(diǎn)評 本題考查了阿伏伽德羅常數(shù)的有關(guān)計(jì)算,掌握物質(zhì)的量的計(jì)算公式和物質(zhì)結(jié)構(gòu)是解題關(guān)鍵,難度不大.

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

12.下列過程不涉及氧化還原反應(yīng)的是( 。
A.明礬凈水B.工業(yè)固氮C.海水提鎂D.電池充電

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

7.某實(shí)驗(yàn)小組依據(jù)反應(yīng) AsO${\;}_{4}^{3-}$+2H++2I-?AsO${\;}_{3}^{3-}$+I2+H2O設(shè)計(jì)如圖原電池,探究pH對AsO4氧化性的影響.測得電壓與pH的關(guān)系如圖.下列有關(guān)敘述錯(cuò)誤的是( 。
A.調(diào)節(jié)pH可以改變反應(yīng)的方向
B.pH=0.68 時(shí),反應(yīng)處于平衡狀態(tài)
C.pH=5 時(shí),負(fù)極電極反應(yīng)式為2I--2e-═I2
D.pH>0.68時(shí),氧化性I2>AsO${\;}_{4}^{3-}$

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

4.某興趣小組同學(xué)利用氧化還原反應(yīng):2KMnO4+10FeSO4+8H2SO4=2MnSO4+5Fe2(SO43+K2SO4+8H2O設(shè)計(jì)如下原電池,鹽橋中裝有飽和溶液.下列說法正確的是( 。
A.a電極上發(fā)生的反應(yīng)為:MnO4-+8H++5e-═Mn2++4H2O
B.外電路電子的流向是從a到b
C.電池工作時(shí),鹽橋中的SO42-移向甲燒杯
D.b電極上發(fā)生還原反應(yīng)

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

11.將充有n mLNO和m mLNO2氣體的試管倒立于盛水的水槽中,然后通入n mLO2.m>n,則充分反應(yīng)后,試管中氣體在同溫同壓下的體積為( 。
A.$\frac{3}{(m-n)}$mLB.$\frac{(m-n)}{3}$ mLC.$\frac{(4m-1)}{13}$ mLD.$\frac{(m-n)}{3}$3 mL

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

1.下列有關(guān)實(shí)驗(yàn)的描述正確的是( 。
A.常溫下,用pH計(jì)測定0.1mol/L的甲酸鈉溶液pH為13
B.向飽和醋酸鈉溶液中添加0.1mol/L的碳酸鈉溶液產(chǎn)生了無色氣體
C.少量Mg(OH)2沉淀中加入氯化銨濃溶液可以觀其察到白色沉淀溶解
D.向2ml 1mol/L的NaOH溶液中加入3滴 1mol/L MgCl2溶液,再加入3 滴1mol/L FeCl3溶液可以證明Mg(OH)2沉淀轉(zhuǎn)變成Fe(OH)3沉淀

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

8.下列各組離子在溶液中能夠大量共存的是( 。
A.K+、Cl-、NO3-、Ag+B.H+、HCO3-、Na+、Cl-
C.Na+、OH-、Ba2+、CO32-D.Mg2+、Cl-、H+、SO42-

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

5.向Ba(OH)2溶液中逐滴加入稀硫酸,溶液導(dǎo)電性的變化合理的圖象為( 。
A.B.C.D.

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題

6.硅是帶來人類文明的重要元素之一,從傳統(tǒng)材料到信息材料的發(fā)展過程中創(chuàng)造了一個(gè)有一個(gè)奇跡.
(1)新型陶瓷Si3N4的熔點(diǎn)高、硬度大、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定.工業(yè)上可以采用化學(xué)氣相沉積法,在H2的保護(hù)下,使SiCl4與N2反應(yīng)生成Si3N4沉積在石墨表面,寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式3SiCl4+2N2+6H2═Si3N4+12HCl.
(2)一種用工業(yè)硅(含少量鉀、鈉、鐵、銅的氧化物),已知硅的熔點(diǎn)是1420℃,高溫下氧氣及水蒸氣能明顯腐蝕氮化硅.一種合成氮化硅的工藝主要流程如下:

①凈化N2和H2時(shí),銅屑的作用是:除去原料氣中的氧氣;硅膠的作用是除去生成的水蒸氣.
②在氮化爐中3SiO2(s)+2N2(g)=Si3N4(s)△H=-727.5kJ/mol,開始時(shí)為什么要嚴(yán)格控制氮?dú)獾牧魉僖钥刂茰囟仍摲磻?yīng)為放熱反應(yīng),防止局部過熱,導(dǎo)致硅熔化熔合成團(tuán),阻礙與N2的接觸;體系中要通入適量的氫氣是為了將體系中的氧氣轉(zhuǎn)化為水蒸氣,而易被除去(或?qū)⒄麄(gè)體系中空氣排盡).
③X可能是硝酸(選填:“鹽酸”、“硝酸”、“硫酸”、“氫氟酸”).
(3)工業(yè)上可以通過如下圖所示的流程制取純硅:

①整個(gè)制備過程必須嚴(yán)格控制無水無氧.SiHCl3遇水劇烈反應(yīng),寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl.
②假設(shè)每一輪次制備1mol純硅,且生產(chǎn)過程中硅元素沒有損失,反應(yīng)I中HCl的利用率為90%,反應(yīng)II中H2的利用率為93.75%.則在第二輪次的生產(chǎn)中,補(bǔ)充投入HCl 和H2的物質(zhì)的量之比是5:1.

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